SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0CW 2 ТБ с радиатором
 |
 |
Закрыть
Samsung MZ-VAP2T0CW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопительВыбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Купить Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0CW 2 ТБ с радиатором
Когда вы совершаете покупку по ссылкам на нашем сайте, мы можем получать партнерскую комиссию.
| 197 780 тг. |  | ||||
| 192 665 тг. |  | ||||
| 179 990 тг. |  | ||||
Серия Samsung PRO (топовые/память TLC)Сравнить в таблице →
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13300 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5100 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14800 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14800 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13300 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
Модификации Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0CW
| Цены на Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0CW | ||||
|---|---|---|---|---|
 | Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0 1 ТБ без радиатора | от 103 990 тг. | 7 предложений | |
 | Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0CW 1 ТБ с радиатором | от 121 368 тг. | 5 предложений | |
 | Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 2 ТБ без радиатора | от 150 658 тг. | 7 предложений | |
| Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0CW 2 ТБ с радиатором | от 179 990 тг. | 3 предложения | |
 | Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0 4 ТБ без радиатора | от 279 440 тг. | 6 предложений | |
 | Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0CW 4 ТБ с радиатором | от 306 217 тг. | 1 предложение | |
Видеообзоры
Samsung's First Proper Gen5 Drive! - 9100 PRO NVMe SSD Review
18 марта 2025133 753 просмотра
FAST PCIE5 At Last - Samsung 9100 PRO NVME Review
18 марта 202517 004 просмотра
Samsung 9100 Pro - Overview and Installation Guide
18 марта 202511 776 просмотров
Fastest Gaming SSD - Samsung 9100 Pro
5 апреля775 440 просмотров
SSD 9100 PRO: Performance ready for a new era | Samsung
18 марта 202528 803 просмотра
Samsung 9100 Pro Gen5 SSD Review
18 марта 202527 127 просмотров
SSD 9100 PRO Series: Performance ready for a new era | Samsung
25 марта 202516 097 просмотров
A Drive from the Future: Samsung 9100 Pro PCIE Gen5x4 NVME SSD Review
18 марта 202514 506 просмотров
SSD 9100 PRO with Heatsink: Performance ready for a new era | Samsung
19 марта 202514 191 просмотр
Samsung 9100 Pro SSD Revealed - A Gen 5x4 Samsung SSD FINALLY!
27 февраля 202513 348 просмотров
SSD 9100 PRO: Performance ready for a new era | Samsung
19 марта 202510 304 просмотра
Как выбрать SSD-накопитель
Samsung возвращается в гонку SSD-накопителей
После двухлетнего перерыва Samsung, некогда безусловный лидер рынка SSD, представила действительно передовой Gen5-накопитель 9100 PRO. Главной особенностью модели стал энергоэффективный и сравнительно холодный для PCI-E 5.0 контроллер собственного производства Samsung Presto, который по скорости и стабильности сумел превзойти популярный Phison E26.
236-слойная флэш-память собственного производства
В серии 9100 используется фирменная 236-слойная флэш-память. Для версии на 2 ТБ заявлены впечатляющие показатели: до 14 700 МБ/с при чтении и 13 400 МБ/с при записи — практически предел для шины PCI-E 5.0. IOPS также впечатляют: 2,6 млн при записи и 1,85 млн при чтении. Дополнительно предусмотрен 2 ГБ DRAM-буфер и поддержка шифрования TCG Opal 2.0. В тестах, как синтетических, так и реальных, накопитель показал выдающиеся результаты, обеспечивая высокую производительность даже под нагрузкой. При этом он отличается умеренным энергопотреблением и стабильной работой без троттлинга благодаря компактному радиатору.
Отличное соотношение цена-качество
Единственный нюанс заключается в том, что конкуренты не дремали: едва 9100 PRO получил звание лучшего PCI-E 5.0 SSD, как на рынке появились модели с контроллером Silicon Motion SM2508 и еще более высокими скоростями — например, Kingston Fury Renegade G5 или Crucial T710. Однако ценовая политика Samsung теперь стала заметно более взвешенной, и стоимость новинки практически не отличается от аналогов.
РекомендуемСравнить в таблице →
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 14000 МБ/с, чтение: 14900 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 11800 МБ/с, чтение: 12400 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2048 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 14000 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 11800 МБ/с, чтение: 12000 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 12700 МБ/с, чтение: 14600 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 - 8000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6300 / 6600 МБ/с, IOPS 1100 / 1200 тыс, 7200 / 7300 МБ/с, IOPS 800 / 1200 тыс
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 4850 - 5000 МБ/с, IOPS 770 / 900 тыс, 5150 / 5500 МБ/с, IOPS 650 - 730 тыс
256 - 2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, 400 - 520 МБ/с, IOPS 85 / 89 тыс, 530 / 560 МБ/с, IOPS 65 - 85 тыс