SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0CW 2 ТБ с радиатором
 |
 |
Закрыть
Samsung MZ-VAP2T0CW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2026 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2026 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопительВыбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Купить Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0CW 2 ТБ с радиатором
Все цены 7 →Когда вы совершаете покупку по ссылкам на нашем сайте, мы можем получать партнерскую комиссию.
| 234 000 тг. |  | ||||
| 214 373 тг. |  | ||||
2 ТБ SSD диск Samsung 9100 PRO с радиатором (MZ-VAP2T0CW) черный MZ-VAP2T0CW | 227 247 тг. |  | |||
| 210 804 тг. |  | ||||
| 228 020 тг. |  | ||||
| 194 990 тг. |  | ||||
| 210 390 тг. |  | ||||
Серия Samsung PRO (топовые/память TLC)Сравнить в таблице →
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13300 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13300 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14800 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
Модификации Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0CW
| Цены на Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0CW | ||||
|---|---|---|---|---|
 | Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0 1 ТБ без радиатора | от 111 990 тг. | 7 предложений | |
 | Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0CW 1 ТБ с радиатором | от 120 590 тг. | 8 предложений | |
 | Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 2 ТБ без радиатора | от 172 990 тг. | 8 предложений | |
| Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0CW 2 ТБ с радиатором | от 194 990 тг. | 7 предложений | |
 | Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0CW 4 ТБ с радиатором | от 321 310 тг. | 6 предложений | |
Видеообзоры
Samsung's First Proper Gen5 Drive! - 9100 PRO NVMe SSD Review
18 марта 2025140 894 просмотра
FAST PCIE5 At Last - Samsung 9100 PRO NVME Review
18 марта 202517 527 просмотров
Samsung 9100 Pro - Overview and Installation Guide
18 марта 202515 722 просмотра
Fastest Gaming SSD - Samsung 9100 Pro
5 апреля 2025858 003 просмотра
SSD 9100 PRO: Performance ready for a new era | Samsung
18 марта 202538 021 просмотр
Samsung 9100 Pro Gen5 SSD Review
18 марта 202527 982 просмотра
SSD 9100 PRO Series: Performance ready for a new era | Samsung
25 марта 202517 256 просмотров
A Drive from the Future: Samsung 9100 Pro PCIE Gen5x4 NVME SSD Review
18 марта 202516 600 просмотров
SSD 9100 PRO with Heatsink: Performance ready for a new era | Samsung
19 марта 202514 792 просмотра
Samsung 9100 Pro SSD Revealed - A Gen 5x4 Samsung SSD FINALLY!
27 февраля 202513 384 просмотра
SSD 9100 PRO: Performance ready for a new era | Samsung
19 марта 202510 816 просмотров
Как выбрать SSD-накопитель
Samsung возвращается в гонку SSD-накопителей
После двухлетнего перерыва Samsung, некогда безусловный лидер рынка SSD, представила действительно передовой Gen5-накопитель 9100 PRO. Главной особенностью модели стал энергоэффективный и сравнительно холодный для PCI-E 5.0 контроллер собственного производства Samsung Presto, который по скорости и стабильности сумел превзойти популярный Phison E26.
236-слойная флэш-память собственного производства
В серии 9100 используется фирменная 236-слойная флэш-память. Для версии на 2 ТБ заявлены впечатляющие показатели: до 14 700 МБ/с при чтении и 13 400 МБ/с при записи — практически предел для шины PCI-E 5.0. IOPS также впечатляют: 2,6 млн при записи и 1,85 млн при чтении. Дополнительно предусмотрен 2 ГБ DRAM-буфер и поддержка шифрования TCG Opal 2.0. В тестах, как синтетических, так и реальных, накопитель показал выдающиеся результаты, обеспечивая высокую производительность даже под нагрузкой. При этом он отличается умеренным энергопотреблением и стабильной работой без троттлинга благодаря компактному радиатору.
Отличное соотношение цена-качество
Единственный нюанс заключается в том, что конкуренты не дремали: едва 9100 PRO получил звание лучшего PCI-E 5.0 SSD, как на рынке появились модели с контроллером Silicon Motion SM2508 и еще более высокими скоростями — например, Kingston Fury Renegade G5 или Crucial T710. Однако ценовая политика Samsung теперь стала заметно более взвешенной, и стоимость новинки практически не отличается от аналогов.
РекомендуемСравнить в таблице →
2048 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 7000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, SATA 3, 3D TLC NAND, запись: 500 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, гарантия 3 года
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 7000 МБ/с, чтение: 7300 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6500 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D QLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 3 года
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D QLC NAND, запись: 4400 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 / 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 4850 / 5000 МБ/с, IOPS 770 / 900 тыс, 5150 / 5500 МБ/с, IOPS 650 / 690 тыс
128 - 2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, 380 - 520 МБ/с, IOPS 70 - 89 тыс, 530 / 560 МБ/с, IOPS 35 - 85 тыс