SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0CW 1 ТБ с радиатором
 |
 |
Закрыть
Samsung MZ-VAP1T0CW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопитель?Выбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Купить Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0CW 1 ТБ с радиатором
Когда вы совершаете покупку по ссылкам на нашем сайте, мы можем получать партнерскую комиссию.
SSD-накопитель Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0CW) [1 ТБ, M.2, PCI-E, 14800/13400 МБ/с] | 119 840 тг. |  | |||
| 117 812 тг. |  | ||||
| 114 707 тг. |  | ||||
| 121 900 тг. |  | ||||
1 ТБ SSD накопитель Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0CW) черный MZ-VAP1T0CW | 126 151 тг. |  | |||
Серия Samsung PRO (топовые/память TLC)Сравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13300 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5100 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14800 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13300 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
Модификации Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0CW
| Цены на Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0CW | ||||
|---|---|---|---|---|
 | Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0 1 ТБ без радиатора | от 109 800 тг. | 2 предложения | |
| Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0CW 1 ТБ с радиатором | от 114 707 тг. | 5 предложений | |
 | Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 2 ТБ без радиатора | от 156 078 тг. | 4 предложения | |
 | Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0CW 4 ТБ с радиатором | от 291 331 тг. | 4 предложения | |
Видеообзоры
FAST PCIE5 At Last - Samsung 9100 PRO NVME Review
18 марта15 955 просмотров
Samsung's First Proper Gen5 Drive! - 9100 PRO NVMe SSD Review
18 марта125 253 просмотра
Samsung 9100 Pro - Overview and Installation Guide
18 марта8 809 просмотров
Samsung 9100 Pro Gen5 SSD Review
18 марта25 758 просмотров
SSD 9100 PRO with Heatsink: Performance ready for a new era | Samsung
19 марта13 103 просмотра
SSD 9100 PRO Series: Performance ready for a new era | Samsung
25 марта 202514 475 просмотров
SSD 9100 PRO: Performance ready for a new era | Samsung
19 марта9 372 просмотра
Fastest Gaming SSD - Samsung 9100 Pro
5 апреля619 156 просмотров
Samsung 9100 Pro SSD Revealed - A Gen 5x4 Samsung SSD FINALLY!
27 февраля 202513 239 просмотров
SSD 9100 PRO: Performance ready for a new era | Samsung
18 марта27 262 просмотра
A Drive from the Future: Samsung 9100 Pro PCIE Gen5x4 NVME SSD Review
18 марта11 906 просмотров
Как выбрать SSD-накопитель
РекомендуемСравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5500 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 11000 МБ/с, чтение: 14900 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13300 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 9600 МБ/с, чтение: 11700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1024 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 11000 МБ/с, чтение: 14200 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 9500 МБ/с, чтение: 11700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 - 8000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6300 / 6600 МБ/с, IOPS 1100 / 1200 тыс, 7200 / 7300 МБ/с, IOPS 800 / 1200 тыс
500 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 4000 - 5000 МБ/с, IOPS 770 / 900 тыс, 5000 - 5500 МБ/с, IOPS 460 - 730 тыс
128 - 2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, 380 - 520 МБ/с, IOPS 70 - 89 тыс, 530 / 560 МБ/с, IOPS 35 - 85 тыс
