SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0 1 ТБ
 |
 |
Закрыть
Samsung MZ-VAP1T0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопитель?Выбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Купить Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0 1 ТБ
Когда вы совершаете покупку по ссылкам на нашем сайте, мы можем получать партнерскую комиссию.
| 118 159 тг. |  | ||||
| 127 380 тг. |  | ||||
| 109 694 тг. |  | ||||
Серия Samsung PRO (топовые/память TLC)Сравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13300 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5100 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14800 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
Модификации Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0
| Цены на Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0 | ||||
|---|---|---|---|---|
| Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0 1 ТБ | от 109 694 тг. | 3 предложения | |
| Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 2 ТБ | от 149 459 тг. | 3 предложения | |
| Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0 4 ТБ | от 292 618 тг. | 1 предложение | |
Видеообзоры
FAST PCIE5 At Last - Samsung 9100 PRO NVME Review
18 марта14 878 просмотров
Samsung's First Proper Gen5 Drive! - 9100 PRO NVMe SSD Review
18 марта118 311 просмотр
Samsung 9100 Pro - Overview and Installation Guide
18 марта7 025 просмотров
Samsung 9100 Pro Gen5 SSD Review
18 марта24 148 просмотров
SSD 9100 PRO with Heatsink: Performance ready for a new era | Samsung
19 марта11 452 просмотра
SSD 9100 PRO Series: Performance ready for a new era | Samsung
25 марта 202512 761 просмотр
SSD 9100 PRO: Performance ready for a new era | Samsung
19 марта8 323 просмотра
Fastest Gaming SSD - Samsung 9100 Pro
5 апреля501 008 просмотров
Samsung 9100 Pro SSD Revealed - A Gen 5x4 Samsung SSD FINALLY!
27 февраля 202513 097 просмотров
SSD 9100 PRO: Performance ready for a new era | Samsung
18 марта25 084 просмотра
A Drive from the Future: Samsung 9100 Pro PCIE Gen5x4 NVME SSD Review
18 марта9 076 просмотров
Как выбрать SSD-накопитель
РекомендуемСравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 9600 МБ/с, чтение: 11700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 9500 МБ/с, чтение: 11700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
128 - 2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, 380 - 520 МБ/с, IOPS 70 - 89 тыс, 530 / 560 МБ/с, IOPS 35 - 85 тыс
120 - 1920 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 320 МБ/с, IOPS 40 тыс, 450 МБ/с, IOPS 40 тыс
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, 6300 МБ/с, IOPS 1350 / 1400 тыс, 7150 / 7250 МБ/с, IOPS 850 - 1050 тыс
500 / 1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 4000 / 6400 МБ/с, IOPS - / 700 тыс, 7000 / 7400 МБ/с, IOPS - / 1000 тыс
500 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 3900 - 7000 МБ/с, IOPS 900 / 1000 тыс, 7300 МБ/с, IOPS 450 - 1000 тыс
