SSD Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0GW 1 ТБ с радиатором
 |
 |
Закрыть
Samsung MZ-V9P1T0GW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2025 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2025 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопитель?Выбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Купить Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0GW 1 ТБ с радиатором
Все цены 11 →Когда вы совершаете покупку по ссылкам на нашем сайте, мы можем получать партнерскую комиссию.
| 79 990 тг. |  | ||||
| 79 068 тг. |  | ||||
| 78 562 тг. |  | ||||
| 78 740 тг. |  | ||||
1 ТБ SSD диск Samsung 990 PRO (MZ-V9P1T0CW) черный MZ-V9P1T0CW | 94 699 тг. |  | |||
eще 6 предложений
Серия Samsung PRO (топовые/память TLC)Сравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13300 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14800 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5100 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14800 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13300 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
Модификации Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0GW
| Цены на Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0GW | ||||
|---|---|---|---|---|
 | Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW 1 ТБ без радиатора | от 65 820 тг. | 8 предложений | |
| Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0GW 1 ТБ с радиатором | от 74 490 тг. | 11 предложений | |
 | Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW 2 ТБ без радиатора | от 105 165 тг. | 5 предложений | |
 | Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0CW 2 ТБ с радиатором | от 115 618 тг. | 5 предложений | |
 | Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW 4 ТБ без радиатора | от 187 990 тг. | 8 предложений | |
| Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0CW 4 ТБ с радиатором | от 189 990 тг. | 9 предложений | |
Видеообзоры
Samsung 990 PRO NVMe SSD Review - Versus 22 Other Drives
18 октября 2022290 211 просмотр
Samsung 990 Pro vs Samsung 980 Pro SSD Comparison - Worth upgrading?
18 октября 2022327 605 просмотров
Samsung 990 Pro 4TB NVMe SSD Review
26 сентября 2023115 737 просмотров
Samsung 990 Pro NVME SSD Review: Speedy & Reliable
23 декабря 202413 444 просмотра
Samsung 990 Pro Review [PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD]
9 февраля 20233 787 просмотров
Samsung's 990 Pro NVME is DESTROYING Itself?
24 января 2023115 515 просмотров
SSD 990 PRO: Winner takes all | Samsung
24 августа 202250 882 просмотра
SAMSUNG 990 PRO SSD UPDATE - 15 MILLION PLEX USER DATA HACKED - SANDISK 22TB - GIGABYTE 10000 AORUS
27 августа 20224 538 просмотров
Top of its class: Samsung 990 Pro SSD 2 Tb M.2 NVMe Drive
15 ноября 202220 670 просмотров
Samsung 990 Pro SSD Firmware Issue UPDATED – Official Responses, Warranty & Replacements & Reactions
15 февраля 202338 066 просмотров
Samsung 990 Pro & 980 Pro - Comparison and Benchmarks!
27 октября 202224 440 просмотров
Как выбрать SSD-накопитель
Самый прогрессивный SSD класса PCI-E 4.0?
Хотя Samsung уже не является лидером в инновациях на рынке SSD, ее продукция по-прежнему пользуется уважением и попадает в топы продаж и рекомендаций. В конце 2023 года был выпущен накопитель 990 PRO, который претендует на звание одного из самых быстрых SSD с интерфейсом PCI-E 4.0. Его максимальная скорость чтения достигает 7450 МБ/с, а запись — 6900 МБ/с. Это прирост скорости записи на 40% по сравнению с предшественником Samsung 980 PRO.
Улучшения по всем параметрам
У 990 PRO значительно улучшены показатели операций ввода-вывода в секунду при работе с 4K блоками: до 1550 тысяч IOPS при записи и 1200 тысяч при чтении. Это увеличение скорости полезно для работы с базами данных, медиафайлами, виртуализацией данных и т.д. В играх такой прирост ускоряет загрузку, например, мир Forspoken загружается всего за одну секунду.
С возвращением!
Ключевыми улучшениями стали 176-слойная флеш-память от Samsung и новый контроллер Samsung Pascal, выполненный по 8-нанометровому техпроцессу. Вместо перехода на PCI-E 5.0, инженеры сосредоточились на оптимизации контроллера Pascal, улучшив гибридную кэш-память TurboWrite и повысив эффективность на ватт на 50% по сравнению с 980 PRO. Контроллер при интенсивных нагрузках не нагревается выше 72°C. В целом, Samsung 990 PRO — это серьезный SSD, опережающий большинство конкурентов.
РекомендуемСравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3200 МБ/с, чтение: 3800 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 8500 МБ/с, чтение: 10000 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 8500 МБ/с, чтение: 10000 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6200 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6200 МБ/с, чтение: 7200 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6300 МБ/с, чтение: 7300 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 8400 МБ/с, чтение: 10200 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6000 МБ/с, чтение: 7300 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6200 МБ/с, чтение: 7200 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 4400 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
