SSD Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW 1 ТБ
 |
 |
Закрыть
Samsung MZ-V9S1T0BW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Способность работать в режимах PCI-E 4.0 4x или PCI-E 5.0 2x. Микросхемы V-NAND 8-го поколения с тремя битами на ячейку (TLC) и 5-нм контроллер без внешнего буфера DRAM.
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2025 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2025 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопитель?Выбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Купить Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW 1 ТБ
Когда вы совершаете покупку по ссылкам на нашем сайте, мы можем получать партнерскую комиссию.
Твердотельный накопитель SSD Samsung 990 EVO PLUS 1TB M.2 | 51 756 тг. |  | |||
| 56 088 тг. |  | ||||
1 ТБ SSD диск Samsung 990 EVO Plus (MZ-V9S1T0BW) черный MZ-V9S1T0BW | 70 639 тг. |  | |||
Серия Samsung EVO (высокоэффективные TLC)Сравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 6300 МБ/с, чтение: 7150 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 6300 МБ/с, чтение: 7250 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 6300 МБ/с, чтение: 7250 МБ/с, гарантия 5 лет
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 2300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
Модификации Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW
| Цены на Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW | ||||
|---|---|---|---|---|
| Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW 1 ТБ | от 51 756 тг. | 3 предложения | |
| Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0BW 2 ТБ | от 89 156 тг. | 5 предложений | |
| Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S4T0BW 4 ТБ | от 164 559 тг. | 3 предложения | |
Видеообзоры
New New Favorite M.2 SSD - Samsung 990 EVO PLUS - with External Enclosure Speed Test on Mac
23 октября 202432 371 просмотр
Samsung 990 EVO PLUS SSD Review - A Gen 4.5 SSD?
15 октября 202424 727 просмотров
Как выбрать SSD-накопитель
РекомендуемСравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5700 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6000 МБ/с, чтение: 7300 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1024 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5335 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, гарантия 5 лет
1024 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3900 МБ/с, чтение: 4800 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6200 МБ/с, чтение: 7200 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6200 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3000 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6000 МБ/с, чтение: 7300 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
