Казахстан
Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   SSD-накопители   /   Samsung

SSD Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW 1 ТБ

Фото - SSD Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW 1 ТБ
Видео 2Фото 5
New Новинка ожидается
Тип: внутренний; Объем (ГБ): 1000; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 5.0 2x; Контроллер: Samsung Piccolo; NVMe; Внешняя скорость записи (МБ/с): 6300; Внешняя скорость считывания (МБ/с): 7150; DWPD (раз/день): 0.3; Гарантия производителя: 5 лет; TRIM; Шифрование данных; Охлаждение M.2: графеновый радиатор
в списокмои списки
Samsung MZ-V9S1T0BW
Тип
внутренний
Объем
1000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 5.0 2x / PCI-E 4.0 4x /
Контроллер
Samsung Piccolo
Тип памяти
3D TLC NAND / Samsung 236-Layer (V8) /
NVMe
Внешняя скорость записи
6300 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7150 МБ/с
Наработка на отказ
1.5 млн. ч
IOPS записи
1350 тыс
IOPS считывания
850 тыс
TBW
600 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
Гарантия производителя
5 лет
TRIM
Шифрование данных
/ TCG Opal 2.0 /
Охлаждение M.2
графеновый радиатор
Размеры
22x80 мм
Официальный сайт
semiconductor.samsung.com
Дата добавления на E-Katalog
октябрь 2024
Маркировка производителя
MZ-V9S1T0AM

MZ-V9S1T0BW

Способность работать в режимах PCI-E 4.0 4x или PCI-E 5.0 2x. Микросхемы V-NAND 8-го поколения с тремя битами на ячейку (TLC) и 5-нм контроллер без внешнего буфера DRAM.
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Видеообзоры

Модификации Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW

Цены на Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW 1 ТБ
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0BW 2 ТБ
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S4T0BW 4 ТБ
Подбор по параметрам
Маркировка производителя:
MZ-V9S1T0AM

MZ-V9S1T0BW