SSD Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0BW 2 ТБ
 | New Новинка ожидается Тип: внутренний; Объем (ГБ): 2000; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 5.0 2x; Контроллер: Samsung Piccolo; NVMe; Внешняя скорость записи (МБ/с): 6300; Внешняя скорость считывания (МБ/с): 7250; DWPD (раз/день): 0.3; Гарантия производителя: 5 лет; TRIM; Шифрование данных; Охлаждение M.2: графеновый радиатор |
 |
Закрыть
Рекомендуем товары в наличииSSD-накопители Samsung →
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 1700 МБ/с, чтение: 2100 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 1500 МБ/с, чтение: 1800 МБ/с, гарантия 3 года
2048 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 2430 МБ/с, чтение: 3000 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 2800 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, гарантия 3 года
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 4150 МБ/с, чтение: 4150 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3000 МБ/с, чтение: 3300 МБ/с, гарантия 3 года
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 4400 МБ/с, чтение: 4800 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 1650 МБ/с, чтение: 2100 МБ/с, гарантия 3 года
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5400 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 1600 МБ/с, чтение: 2200 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 4850 МБ/с, чтение: 5150 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 4400 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 3 года
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
2048 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6750 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 4500 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
Samsung MZ-V9S2T0BW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Способность работать в режимах PCI-E 4.0 4x или PCI-E 5.0 2x. Микросхемы V-NAND 8-го поколения с тремя битами на ячейку (TLC) и 5-нм контроллер без внешнего буфера DRAM.
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопитель?Выбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Серия Samsung EVO (высокоэффективные TLC)Сравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
500 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3200 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 6300 МБ/с, чтение: 7150 МБ/с, гарантия 5 лет
250 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 2300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
Модификации Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0BW
| Цены на Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0BW | ||||
|---|---|---|---|---|
| Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW 1 ТБ | от 66 973 тг. | 1 предложение | |
| Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0BW 2 ТБ | от 66 973 тг. | 1 предложение | |
| Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S4T0BW 4 ТБ | от 66 973 тг. | 1 предложение | |
Видеообзоры
New New Favorite M.2 SSD - Samsung 990 EVO PLUS - with External Enclosure Speed Test on Mac
23 октября 202412 704 просмотра
Samsung 990 EVO PLUS SSD Review - A Gen 4.5 SSD?
15 октября11 006 просмотров
Как выбрать SSD-накопитель
