SSD Samsung 860 QVO MZ-76Q4T0BW 4 ТБ
 | Товар устарел Тип: внутренний; Объем (ГБ): 4000; Форм-фактор: 2.5"; Контроллер: Samsung MJX; Внешняя скорость записи (МБ/с): 520; Внешняя скорость считывания (МБ/с): 550; DWPD (раз/день): 0.3; Гарантия производителя: 3 года; TRIM; |
 |
Закрыть
Samsung MZ-76Q4T0BW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2025 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2025 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопитель?Выбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Серия Samsung QVO (бюджетные QLC)Сравнить в таблице →
1000 ГБ, 2.5", 3D QLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 3 года
4000 ГБ, 2.5", 3D QLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 3 года
2000 ГБ, 2.5", 3D QLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 3 года
8000 ГБ, 2.5", 3D QLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 3 года
1000 ГБ, 2.5", 3D QLC NAND, запись: 520 МБ/с, чтение: 550 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 3 года
Обзор модели на основе отзывов пользователей
SSD-накопитель Samsung 860 QVO предлагает отличное соотношение цены и объема, особенно в вариантах на 1 ТБ и 4 ТБ. Он подходит для использования в качестве второго диска в системе, благодаря доступной цене и бренду. Однако, стоит учитывать, что скорость записи может снижаться при длительном использовании, особенно при записи больших объемов данных через USB 3.0. Некоторые пользователи отмечают проблемы с надежностью, такие как цикличные ошибки записи, что может быть критичным для тех, кто ищет долговечное решение. В целом, это хороший выбор для тех, кому нужен большой объем хранилища по доступной цене, но с оговорками по поводу долговечности и производительности.
Плюсы
Минусы
Брать конечно нужно если требуется большой объем хранилища. внешний вид, упаковка, бренд, цена всего 25 000 руб. Взял максимально 4ТБ, дата производства винта 04.2019 г.. Скорость записи через USB 3.0 сначала 126 Мб/с, через 20-30 Гигов упала до 116 Мб/с, после записи 40-50 Гб скорость записи упала до 50 Мб/с, что на мой взгляд плохо. Ожидал большего. Непосредственно в сата разьем компьютера не подключал т.к. брал как внешний накопитель для фильмов 4К.  Максим: пользуюсь Samsung MZ-76Q4T0BW менее месяца |
Не рекомендую. 1ТБ выдал цикличную ошибку записи меньше чем через полгода эксплуатации. Дешевый отстой, хоть и под брендом Самсунг. Цена Надежность |
Добавить отзыв
Видеообзоры
SSD КАТАСТРОФИЧЕСКИ ПОДЕШЕВЕЮТ в 2019 году — Samsung 860 QVO 1ТБ
27 ноября 201896 084 просмотра
БЮДЖЕТНЫЙ SSD НА 1ТБ ДЛЯ ИГР, ФИЛЬМОВ И ФОТОГРАФИЙ - Обзор Samsung 860 QVO 1TB
15 марта 201972 964 просмотра
SSD диск SAMSUNG 860 QVO 1000 Гб V-NAND 4bit QLC (MZ-76Q1T0BW)
24 июня 201926 284 просмотра
SSD диск SAMSUNG 860 QVO 1000 Гб V-NAND 4bit QLC (MZ-76Q1T0BW)
24 июня 201926 273 просмотра
Распаковка Samsung 860 QVO 1TB
5 марта 20191 126 просмотров
Как выбрать SSD-накопитель
Рекомендуем
1000 - 8000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6300 / 6600 МБ/с, IOPS 1100 / 1200 тыс, 7200 / 7300 МБ/с, IOPS 800 / 1200 тыс
500 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 4000 - 5000 МБ/с, IOPS 770 / 900 тыс, 5000 - 5500 МБ/с, IOPS 460 - 730 тыс
128 - 2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, 380 - 520 МБ/с, IOPS 70 - 89 тыс, 530 / 560 МБ/с, IOPS 35 - 85 тыс
120 - 1920 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 320 МБ/с, IOPS 40 тыс, 450 МБ/с, IOPS 40 тыс
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, 6300 МБ/с, IOPS 1350 / 1400 тыс, 7150 / 7250 МБ/с, IOPS 850 - 1050 тыс
256 - 2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, 1300 - 3100 МБ/с, 2000 - 3500 МБ/с
500 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 3900 - 7000 МБ/с, IOPS 900 / 1000 тыс, 7300 МБ/с, IOPS 450 - 1000 тыс
500 / 1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 2300 / 3000 МБ/с, IOPS 550 тыс, 3600 МБ/с, IOPS 300 / 420 тыс
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, 13300 / 13400 МБ/с, IOPS 2600 тыс, 14700 / 14800 МБ/с, IOPS 1850 / 2200 тыс