SSD Samsung 860 QVO MZ-76Q4T0BW 4 ТБ
 | Товар устарел 110 415 тг. Тип: внутренний; Объем (ГБ): 4000; Форм-фактор: 2.5"; Контроллер: Samsung MJX; Внешняя скорость записи (МБ/с): 520; Внешняя скорость считывания (МБ/с): 550; DWPD (раз/день): 0.3; Гарантия производителя: 3 года; TRIM; |
 |
Закрыть
Samsung MZ-76Q4T0BW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопитель?Выбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2024 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2024 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
Серия Samsung QVO (бюджетные QLC)Сравнить в таблице →
1000 ГБ, 2.5", 3D QLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 3 года
8000 ГБ, 2.5", 3D QLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 3 года
2000 ГБ, 2.5", 3D QLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 3 года
1000 ГБ, 2.5", 3D QLC NAND, запись: 520 МБ/с, чтение: 550 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 3 года
Видеообзоры
SSD КАТАСТРОФИЧЕСКИ ПОДЕШЕВЕЮТ в 2019 году — Samsung 860 QVO 1ТБ
27 ноября 201896 058 просмотров
БЮДЖЕТНЫЙ SSD НА 1ТБ ДЛЯ ИГР, ФИЛЬМОВ И ФОТОГРАФИЙ - Обзор Samsung 860 QVO 1TB
15 марта 201972 477 просмотров
SSD диск SAMSUNG 860 QVO 1000 Гб V-NAND 4bit QLC (MZ-76Q1T0BW)
24 июня 201926 100 просмотров
SSD диск SAMSUNG 860 QVO 1000 Гб V-NAND 4bit QLC (MZ-76Q1T0BW)
24 июня 201926 085 просмотров
Распаковка Samsung 860 QVO 1TB
5 марта 20191 124 просмотра
Как выбрать SSD-накопитель
Рекомендуем
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6300 / 6600 МБ/с, IOPS 1100 тыс, 7300 МБ/с, IOPS 800 / 1200 тыс
128 - 2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, 380 - 520 МБ/с, IOPS 70 - 89 тыс, 530 / 560 МБ/с, IOPS 35 - 85 тыс
120 - 1920 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 320 МБ/с, IOPS 40 тыс, 450 МБ/с, IOPS 40 тыс
1000 / 2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6400 МБ/с, IOPS 700 тыс, 7400 МБ/с, IOPS 1000 тыс
500 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 3900 - 7000 МБ/с, IOPS 900 / 1000 тыс, 7300 МБ/с, IOPS 450 - 1000 тыс
250 - 2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, 1600 - 3000 МБ/с, IOPS 180 - 560 тыс, 3100 - 3430 МБ/с, IOPS 220 - 515 тыс
