SSD Samsung 750 EVO MZ-750250BW 250 ГБ
 | Товар устарел 36 525 тг. Тип: внутренний; Объем (ГБ): 250; Форм-фактор: 2.5"; Контроллер: Samsung MGX; Внешняя скорость записи (МБ/с): 520; Внешняя скорость считывания (МБ/с): 540; DWPD (раз/день): 0.3; Гарантия производителя: 3 года; |
 |
Закрыть
Samsung MZ-750250BW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопитель?Выбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2024 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2024 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
Серия Samsung EVO (высокоэффективные TLC)Сравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
500 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3200 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 2300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
Видеообзоры
Samsung 750 EVO 120Gb - переплата за бренд?
25 июня 2016108 980 просмотров
SSD SAMSUNG 750 EVO из Китая (тест, обзор кишков)
14 сентября 201698 569 просмотров
Samsung 750 EVO SSD Review and comparison with 850 EVO SSD. Best SSD for price range
28 марта 201735 176 просмотров
SSD vs HDD | Samsung 750 EVO 120GB SSD Drive unboxing | YES TAMIL
12 марта 20174 129 просмотров
SSD Battle Royale - Samsung 970 EVO Plus vs WD Black SN750 | Hardware
26 января 2019307 275 просмотров
Speed Test | SSD VS HDD | Samsung 750 Evo 120 GB
29 ноября 2016608 просмотров
The Samsung SSD 750 Evo is definitely not the SSD 850 Evo
8 июня 201698 271 просмотр
Samsung 750 Evo 120gb SSD benchmark speed test
5 декабря 20161 449 просмотров
Samsung 750 evo SSD 120GB Review
13 июля 20166 753 просмотра
SAMSUNG SSD 750 EVO 250GB UNBOXING & REVIEW [ CHEAPEST SSD ]
18 сентября 20167 176 просмотров
Samsung 750 EVO SSD Windows 10 Performance
2 марта 20168 813 просмотра
Buy a Samsung 750 evo or 850 evo?
16 сентября 201626 386 просмотров
Как выбрать SSD-накопитель
РекомендуемСравнить в таблице →
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 500 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, multi compatibility, гарантия 3 года
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 500 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, multi compatibility, гарантия 3 года
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
128 - 2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, 380 - 520 МБ/с, IOPS 70 - 89 тыс, 530 / 560 МБ/с, IOPS 35 - 85 тыс
120 - 1920 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 320 МБ/с, IOPS 40 тыс, 450 МБ/с, IOPS 40 тыс
500 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 3900 - 7000 МБ/с, IOPS 900 / 1000 тыс, 7300 МБ/с, IOPS 450 - 1000 тыс
