SSD Samsung 750 EVO MZ-750500BW 500 ГБ
 | Товар устарел 64 320 тг. Тип: внутренний; Объем (ГБ): 500; Форм-фактор: 2.5"; Контроллер: Samsung MGX; Внешняя скорость записи (МБ/с): 520; Внешняя скорость считывания (МБ/с): 540; DWPD (раз/день): 0.2; Гарантия производителя: 3 года; |
 |
Закрыть
Samsung MZ-750500BW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопитель?Выбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2024 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2024 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
Серия Samsung EVO (высокоэффективные TLC)Сравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
500 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3200 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
Видеообзоры
Samsung 750 EVO 120Gb - переплата за бренд?
25 июня 2016108 965 просмотров
SSD SAMSUNG 750 EVO из Китая (тест, обзор кишков)
14 сентября 201698 569 просмотров
Samsung 750 EVO SSD Review and comparison with 850 EVO SSD. Best SSD for price range
28 марта 201734 358 просмотров
SSD vs HDD | Samsung 750 EVO 120GB SSD Drive unboxing | YES TAMIL
12 марта 20174 128 просмотров
SSD Battle Royale - Samsung 970 EVO Plus vs WD Black SN750 | Hardware
26 января 2019307 143 просмотра
Speed Test | SSD VS HDD | Samsung 750 Evo 120 GB
29 ноября 2016589 просмотров
The Samsung SSD 750 Evo is definitely not the SSD 850 Evo
8 июня 201698 228 просмотров
Samsung 750 Evo 120gb SSD benchmark speed test
5 декабря 20161 448 просмотров
Samsung 750 evo SSD 120GB Review
13 июля 20166 744 просмотра
SAMSUNG SSD 750 EVO 250GB UNBOXING & REVIEW [ CHEAPEST SSD ]
18 сентября 20167 165 просмотров
Samsung 750 EVO SSD Windows 10 Performance
2 марта 20168 808 просмотров
Buy a Samsung 750 evo or 850 evo?
16 сентября 201626 372 просмотра
Как выбрать SSD-накопитель
Рекомендуем
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6300 / 6600 МБ/с, IOPS 1100 тыс, 7300 МБ/с, IOPS 800 / 1200 тыс
256 - 2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, 400 - 520 МБ/с, IOPS 85 / 89 тыс, 530 / 560 МБ/с, IOPS 65 - 85 тыс
120 - 1920 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 320 МБ/с, IOPS 40 тыс, 450 МБ/с, IOPS 40 тыс
250 - 1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, 1400 / 2100 МБ/с, IOPS 120 / 190 тыс, 3000 / 3100 МБ/с, IOPS 95 / 200 тыс
1000 / 2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6400 МБ/с, IOPS 700 тыс, 7400 МБ/с, IOPS 1000 тыс
500 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 3900 - 7000 МБ/с, IOPS 900 / 1000 тыс, 7300 МБ/с, IOPS 450 - 1000 тыс
500 / 1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 2300 / 3000 МБ/с, IOPS 550 тыс, 3600 МБ/с, IOPS 300 / 420 тыс
