SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0 4 ТБ без радиатора
 |
 |
Закрыть
Samsung MZ-VAP4T0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопительВыбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Серия Samsung PRO (топовые/память TLC)Сравнить в таблице →
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13300 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14800 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13300 МБ/с, чтение: 14700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 13400 МБ/с, чтение: 14800 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
Модификации Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0
| Цены на Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0 | ||||
|---|---|---|---|---|
 | Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0 1 ТБ без радиатора | от 111 900 тг. | 6 предложений | |
 | Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0CW 1 ТБ с радиатором | от 110 069 тг. | 6 предложений | |
 | Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 2 ТБ без радиатора | от 171 750 тг. | 9 предложений | |
 | Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0CW 2 ТБ с радиатором | от 190 990 тг. | 4 предложения | |
| Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0 4 ТБ без радиатора | от 287 950 тг. | 1 предложение | |
 | Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0CW 4 ТБ с радиатором | от 298 919 тг. | 5 предложений | |
Видеообзоры
Samsung's First Proper Gen5 Drive! - 9100 PRO NVMe SSD Review
18 марта140 010 просмотров
FAST PCIE5 At Last - Samsung 9100 PRO NVME Review
18 марта17 476 просмотров
Samsung 9100 Pro - Overview and Installation Guide
18 марта15 178 просмотров
Fastest Gaming SSD - Samsung 9100 Pro
5 апреля851 473 просмотра
SSD 9100 PRO: Performance ready for a new era | Samsung
18 марта36 780 просмотров
Samsung 9100 Pro Gen5 SSD Review
18 марта27 848 просмотров
SSD 9100 PRO Series: Performance ready for a new era | Samsung
25 марта17 139 просмотров
A Drive from the Future: Samsung 9100 Pro PCIE Gen5x4 NVME SSD Review
18 марта16 302 просмотра
SSD 9100 PRO with Heatsink: Performance ready for a new era | Samsung
19 марта14 716 просмотров
Samsung 9100 Pro SSD Revealed - A Gen 5x4 Samsung SSD FINALLY!
27 февраля 202513 376 просмотров
SSD 9100 PRO: Performance ready for a new era | Samsung
19 марта10 733 просмотра
Как выбрать SSD-накопитель
РекомендуемСравнить в таблице →
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 14000 МБ/с, чтение: 14900 МБ/с, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 12600 МБ/с, чтение: 14100 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, запись: 2700 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 / 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 4850 / 5000 МБ/с, IOPS 770 / 900 тыс, 5150 / 5500 МБ/с, IOPS 650 / 690 тыс
128 - 2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, 380 - 520 МБ/с, IOPS 70 - 89 тыс, 530 / 560 МБ/с, IOPS 35 - 85 тыс
120 - 1920 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 320 МБ/с, IOPS 40 тыс, 450 МБ/с, IOPS 40 тыс
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, 6300 МБ/с, IOPS 1350 / 1400 тыс, 7150 / 7250 МБ/с, IOPS 850 - 1050 тыс