SSD Samsung 960 EVO M.2 MZ-V6E1T0BW 1 ТБ
 | Товар устарел 197 680 тг. Тип: внутренний; Объем (ГБ): 1000; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Контроллер: Samsung Polaris; NVMe; Внешняя скорость записи (МБ/с): 1900; Внешняя скорость считывания (МБ/с): 3200; DWPD (раз/день): 0.4; Гарантия производителя: 3 года; TRIM; |
 |
Закрыть
Samsung MZ-V6E1T0BW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Поддержка AES 256 шифрования. Поддержка NVMe.
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2024 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2024 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопитель?Выбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Серия Samsung EVO (высокоэффективные TLC)Сравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
500 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3200 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 6300 МБ/с, чтение: 7150 МБ/с, гарантия 5 лет
250 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 2300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
Видеообзоры
Samsung 960 Evo NVME SSD Review
24 ноября 2016179 018 просмотров
Samsung SSD 960 Evo 500GB Review: Still Super-Fast but Is It Worth It?
7 декабря 2016166 563 просмотра
Samsung 970 EVO vs 960 EVO - Review | JoeteckTips
19 ноября 20186 104 просмотра
Samsung 960 EVO 250GB PCIe NVMe M.2 Internal SSD Unboxing
31 августа 2018932 просмотра
Samsung 960 Pro & Evo Review | The fastest SSDs?
5 апреля 201738 540 просмотров
Samsung 960 EVO M.2 SSD 250GB Benchmark & Review - 99 Second Reviews 2K 60fps
27 марта 2017994 просмотра
รีวิว Samsung NVMe SSD 960 EVO M.2 สตอเรจมาตรฐานใหม่ ตัวเล็ก แต่แรงมาก
29 декабря 201680 347 просмотров
Samsung 960 Evo M.2 1TB boot review
17 мая 2017877 просмотров
MSI GL62M 7RD SSD Upgrade (Samsung 960 Evo)
31 января 201841 374 просмотра
Samsung 960 EVO Single drive vs Raid 0 vs Raid 1
14 марта 201715 330 просмотров
Samsung 960 EVO - M.2 NVME SSD - Installation and Benchmark
2 мая 201814 834 просмотра
250Gb Samsung 960 EVO M.2 SSD - Overview
11 сентября 20172 656 просмотров
Как выбрать SSD-накопитель
Рекомендуем
128 - 2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, 380 - 520 МБ/с, IOPS 70 - 89 тыс, 530 / 560 МБ/с, IOPS 35 - 85 тыс
120 - 1920 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 320 МБ/с, IOPS 40 тыс, 450 МБ/с, IOPS 40 тыс
500 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 3900 - 7000 МБ/с, IOPS 900 / 1000 тыс, 7300 МБ/с, IOPS 450 - 1000 тыс
512 - 2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 2600 - 6400 МБ/с, IOPS 510 - 740 тыс, 7400 МБ/с, IOPS 350 - 650 тыс
