SSD Samsung 850 EVO M.2 MZ-N5E120BW 120 ГБ
 | Товар устарел 37 800 тг. Тип: внутренний; Объем (ГБ): 120; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: SATA 3; Контроллер: Samsung MGX; Внешняя скорость записи (МБ/с): 500; Внешняя скорость считывания (МБ/с): 540; DWPD (раз/день): 0.4; Гарантия производителя: 5 лет; TRIM; |
 |
Закрыть
Samsung MZ-N5E120BW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопитель?Выбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2024 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2024 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
Серия Samsung EVO (высокоэффективные TLC)Сравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
500 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3200 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 2300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
Видеообзоры
Samsung 850 EVO M.2, Kinetic CPU Cooler, FCC changes broadband - CES Day 3
9 января 201566 624 просмотра
How to Build a $600 PC- i5-6600, 850 EVO M.2, & Windows 10
21 февраля 2016
Samsung 850 EVO m.2 Review
10 августа 20171 454 просмотра
Samsung 850 EVO mSATA & M.2 Overview - Newegg TV
2 мая 201570 096 просмотров
Samsung 850 EVO M.2 250gb vs. Sata 250gb & 500gb - SSD Benchmarks
7 сентября 201559 908 просмотров
Samsung SSD 850 EVO M.2 Unboxing
21 мая 20161 349 просмотров
Samsung 850 EVO M.2 SSD Review
1 апреля 2015184 396 просмотров
Samsung SSD 850 EVO M.2 Speed Test & Review
3 июня 201610 873 просмотра
SSD Samsung 860 EVO M.2 VS Samsung 850 EVO M.2 Speed Test and Comparison
11 июня 201835 871 просмотр
SSD Samsung 850 EVO M.2 500GB - Обзор и тестирование
16 апреля 201616 895 просмотров
SSD диск SAMSUNG M.2 850 EVO 250 Гб TLC MZ-N5E250BW
20 февраля 2019491 просмотр
Как выбрать SSD-накопитель
Дополнительные функции и возможности ssd-накопителя Samsung MZ-N5E120BW:
- Шифрование AES-256
Рекомендуем
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6300 / 6600 МБ/с, IOPS 1100 тыс, 7300 МБ/с, IOPS 800 / 1200 тыс
128 - 2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, 380 - 520 МБ/с, IOPS 70 - 89 тыс, 530 / 560 МБ/с, IOPS 35 - 85 тыс
120 - 1920 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 320 МБ/с, IOPS 40 тыс, 450 МБ/с, IOPS 40 тыс
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6400 МБ/с, IOPS 700 тыс, 7400 МБ/с, IOPS 1000 тыс
500 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 3900 - 7000 МБ/с, IOPS 900 / 1000 тыс, 7300 МБ/с, IOPS 450 - 1000 тыс
250 - 2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, 1600 - 3000 МБ/с, IOPS 180 - 560 тыс, 3100 - 3430 МБ/с, IOPS 220 - 515 тыс
