Оперативная память Samsung DDR4 1x4Gb M378A5143TB2-CTDD0

Товар устарел

Объем памяти комплекта: 4; Планок в комплекте: 1; Тип памяти: DDR4; Тактовая частота: 2666; CAS-латентность: CL19;

Рекомендуем товары в наличииОперативная память Samsung →

Crucial Value DDR4 1x4Gb CT4G4DFS8266

от 4 250 тг.

4 ГБ, 1 планка, DDR4, 2666 МГц, тайминги 19-19-19, 1.2 В, без охлаждения

сравнить

Geil Pristine DDR4 1x4Gb GN44GB2666C19S

от 5 490 тг.

4 ГБ, 1 планка, DDR4, 2666 МГц, тайминги 19-19-19, 1.2 В, XMP, без охлаждения

сравнить

Hikvision U1 DDR4 1x4Gb HKED4041BAA1D0ZA1/4G

от 4 775 тг.

4 ГБ, 1 планка, DDR4, 2666 МГц, 1.2 В, без охлаждения

сравнить

Kingston KCP ValueRAM DDR4 1x4Gb KCP426NS6/4

от 6 371 тг.

4 ГБ, 1 планка, DDR4, 2666 МГц, тайминги 19-19-19, 1.2 В, без охлаждения

сравнить

Geil Pristine DDR4 1x4Gb GP44GB2666C19SC

от 6 391 тг.

4 ГБ, 1 планка, DDR4, 2666 МГц, тайминги 19-19-19-43, 1.2 В, XMP, без охлаждения

сравнить

Apacer DDR4 1x4Gb EL.04G2V.KNH

от 5 909 тг.

4 ГБ, 1 планка, DDR4, 2666 МГц, тайминги 19-19-19, 1.2 В, без охлаждения

сравнить

Team Group Elite DDR4 1x4Gb TED44G2666C1901

от 11 925 тг.

4 ГБ, 1 планка, DDR4, 2666 МГц, тайминги 19-19-19-43, 1.2 В, без охлаждения

сравнить

Samsung M378A5143TB2-CTDD0

2666 МГц

CL19

2666 МГц

CL19

Объем памяти комплекта	4 ГБ
Кол-во планок в комплекте	1 шт
Форм-фактор памяти	DIMM
Тип памяти	DDR4
Тактовая частота	2666 МГц
Пропускная способность	21300 МБ/с
CAS-латентность	CL19
Схема таймингов памяти	19-19-19
Рабочее напряжение	1.2 В
Тип охлаждения	без охлаждения
Профиль планки	стандартный
Дата добавления на E-Katalog	март 2019

Ошибки ₁

Сообщить об ошибке в описании

Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2024 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.