Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память   /   G.Skill

Оперативная память G.Skill Trident X DDR3 F3-2933C12Q-16GTXDG

Фото - Оперативная память G.Skill Trident X DDR3 F3-2933C12Q-16GTXDG
Видео 12Фото 3
Товар устарел
Объем памяти комплекта: 16; Планок в комплекте: 4; Тип памяти: DDR3; Тактовая частота: 2933; CAS-латентность: CL12;
в списокмои списки
G.Skill F3-2933C12Q-16GTXDG
Объем памяти комплекта
16 ГБ
Кол-во планок в комплекте
4 шт
Форм-фактор памяти
DIMM
Тип памяти
DDR3
Тактовая частота
2933 МГц
Пропускная способность
23400 МБ/с
CAS-латентность
CL12
Схема таймингов памяти
12-14-14-35-2N
Рабочее напряжение
1.65 В
Тип охлаждения
радиатор
Профиль планки
стандартный
Дополнительно
серия для разгона (overclocking)
поддержка XMP
Дата добавления на E-Katalog
июль 2014
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог G.Skill 2025 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели G.Skill.
Обзор модели на основе отзывов пользователей  
Оперативная память G.Skill Trident X DDR3 получила положительные отзывы пользователей благодаря своей высокой частоте и отличным таймингам, что делает её привлекательной для энтузиастов разгона. Пользователи отмечают возможность заводского разгона и наличие XMP профилей, которые упрощают настройку. Конструкция радиаторов позволяет легко снять верхнюю часть для совместимости с массивными кулерами, однако некоторые пользователи жалуются на неудобства с радиаторами, включая их высоту и хрупкость винтиков. Несмотря на высокую цену, продукт оправдывает свои затраты благодаря качеству и надежности, подтвержденной пожизненной гарантией производителя. В целом, G.Skill Trident X DDR3 рекомендуется для тех, кто ищет производительную и надежную память с возможностью разгона.
Плюсы

Минусы

0
0
2
7
Добавить отзыв
Видеообзоры
Дополнительные функции и возможности оперативной памяти G.Skill F3-2933C12Q-16GTXDG:
  • Крепление с вентилятором для дополнительного охлаждения памяти