SSD Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E1T0BW 1 ТБ
 | Ожидается в продаже Тип: внутренний; Объем (ГБ): 1000; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 5.0 2x; Контроллер: Samsung Piccolo; NVMe; Внешняя скорость записи (МБ/с): 4200; Внешняя скорость считывания (МБ/с): 5000; DWPD (раз/день): 0.3; Гарантия производителя: 5 лет; Шифрование данных; |
 |
Закрыть
Рекомендуем товары в наличииSSD-накопители Samsung →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3000 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, гарантия 5 лет
1024 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6900 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, запись: 5100 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, гарантия 3 года
серверный, 1000 ГБ, M.2, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5100 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6000 МБ/с, чтение: 7300 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6000 МБ/с, чтение: 7300 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, запись: 2100 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, гарантия 3 года
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 1600 МБ/с, чтение: 2000 МБ/с, гарантия 3 года
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 1400 МБ/с, чтение: 2100 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3200 МБ/с, чтение: 3900 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, SATA 3, 3D TLC NAND, запись: 513 МБ/с, чтение: 555 МБ/с, гарантия 3 года
Samsung MZ-V9E1T0BW 1 ТБ 2 ТБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Работает в режимах PCI-E 4.0 x4 или PCI-E 5.0 2x.
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Серия Samsung EVO (высокоэффективные TLC)Сравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
500 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3200 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 2300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
Видеообзоры
Samsung 990 EVO Review - All Capacities Tested
2 февраля26 941 просмотр
GENIUS: Gen4 & Gen5 in ONE DRIVE! | Samsung 990 EVO SSD Review & Benchmarks
28 января 202461 406 просмотров
Как выбрать SSD-накопитель
