SSD Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E1T0BW 1 ТБ
 |
 |
Закрыть
Samsung MZ-V9E1T0BW 1 ТБ2 ТБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Работает в режимах PCI-E 4.0 x4 или PCI-E 5.0 2x.
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2025 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2025 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопитель?Выбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Купить Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E1T0BW 1 ТБ
Все цены 8 →Когда вы совершаете покупку по ссылкам на нашем сайте, мы можем получать партнерскую комиссию.
Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO, 1 Tb, M.2, PCI-E 4.0 x4, 5000/4200 Mb/s, MZ-V9E1T0BW | 63 230 тг. |  | |||
| 56 787 тг. |  | ||||
SSD накопитель 1 TB Samsung 990 EVO, M.2, PCIe 4.0 MZ-V9E1T0BW | 56 900 тг. |  | |||
| 49 330 тг. |  | ||||
| 58 500 тг. |  | ||||
eще 3 предложения
Серия Samsung EVO (высокоэффективные TLC)Сравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 6300 МБ/с, чтение: 7150 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 6300 МБ/с, чтение: 7250 МБ/с, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 2300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
500 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3200 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
Модификации Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E1T0BW
| Цены на Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E1T0BW | ||||
|---|---|---|---|---|
| Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E1T0BW 1 ТБ | от 49 330 тг. | 8 предложений | |
| Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E2T0BW 2 ТБ | от 79 620 тг. | 8 предложений | |
Видеообзоры
Samsung 990 EVO Review - All Capacities Tested
2 февраля 202451 003 просмотра
GENIUS: Gen4 & Gen5 in ONE DRIVE! | Samsung 990 EVO SSD Review & Benchmarks
28 января 202493 171 просмотр
Как выбрать SSD-накопитель
РекомендуемСравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 6300 МБ/с, чтение: 7150 МБ/с, гарантия 5 лет
1024 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5335 МБ/с, чтение: 7450 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x30, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 4800 МБ/с, чтение: 4800 МБ/с, гарантия 5 лет
1024 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6200 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5700 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5800 МБ/с, чтение: 7100 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5800 МБ/с, чтение: 7100 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3900 МБ/с, чтение: 4800 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6000 МБ/с, чтение: 7300 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
