Оперативная память Hynix DDR5 SO-DIMM 1x8GB HMCG66AGBSA095N
 | Ожидается в продаже Оперативная память Hynix HMCG66AGBSA095N 2026 года выпуска от компании из Южной Кореи. Представляет собой физический модуль данных формата SO-DIMM, на котором размещены чипы поколения DDR5 объемом 8 ГБ. Рассчитан на апгрейд современных лэптопов для работы, учебы и гейминга начального уровня. ОЗУ характеризуется хорошей производительностью и минимальными задержками. Тактовая частота составляет 5600 МГц, рабочее напряжение 1.1В, пропускная способность 44800 МБ/с, First Word Latency 16.43 нс. Планка выполнена в стандартном размере без пассивного охлаждения. |
 |
Рекомендуем товары в наличииОперативная память Hynix →
Hynix HMCG66AGBSA095N | |||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||
Оперативная память Hynix HMCG66AGBSA095N 2026 года выпуска от компании из Южной Кореи. Представляет собой физический модуль данных формата SO-DIMM, на котором размещены чипы поколения DDR5 объемом 8 ГБ. Рассчитан на апгрейд современных лэптопов для работы, учебы и гейминга начального уровня. ОЗУ характеризуется хорошей производительностью и минимальными задержками. Тактовая частота составляет 5600 МГц, рабочее напряжение 1.1В, пропускная способность 44800 МБ/с, First Word Latency 16.43 нс. Планка выполнена в стандартном размере без пассивного охлаждения.
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
