SSD GOODRAM CL100 GEN 3 SSDPR-CL100-240-G3 240 ГБ
 | Товар устарел 35 088 тг. Тип: внутренний; Объем (ГБ): 240; Форм-фактор: 2.5"; Контроллер: Silicon Motion SM2258XT; Внешняя скорость записи (МБ/с): 400; Внешняя скорость считывания (МБ/с): 520; DWPD (раз/день): 0.7; Гарантия производителя: 3 года; TRIM; |
 |
Закрыть
GOODRAM SSDPR-CL100-240-G3 2020 год | |||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопитель?Выбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог GOODRAM 2024 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели GOODRAM.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог GOODRAM 2024 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели GOODRAM.
Видеообзоры
SSD GoodRam CL100 gen.3 480GB SSDPR-CL100-480-G3
26 марта 202111 209 просмотров
SSD накопитель за 2500р Goodram CL100 gen.3 240 ГБ. В старый ноутбук Acer Aspire V3-571G
8 ноября 2021931 просмотр
Как выбрать SSD-накопитель
РекомендуемСравнить в таблице →
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 500 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, multi compatibility, гарантия 3 года
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 500 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, multi compatibility, гарантия 3 года
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6300 / 6600 МБ/с, IOPS 1100 тыс, 7300 МБ/с, IOPS 800 / 1200 тыс
128 - 2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, 380 - 520 МБ/с, IOPS 70 - 89 тыс, 530 / 560 МБ/с, IOPS 35 - 85 тыс
120 - 1920 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 320 МБ/с, IOPS 40 тыс, 450 МБ/с, IOPS 40 тыс
1000 / 2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6400 МБ/с, IOPS 700 тыс, 7400 МБ/с, IOPS 1000 тыс
