Казахстан
Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   SSD-накопители

Сравнение Samsung 970 EVO Plus M.2 MZ-V7S500BW 500 ГБ vs Samsung 970 PRO M.2 MZ-V7P512BW 512 ГБ

Добавить в сравнение
Samsung 970 EVO Plus M.2 MZ-V7S500BW 500 ГБ
Samsung 970 PRO M.2 MZ-V7P512BW 512 ГБ
Samsung 970 EVO Plus M.2 MZ-V7S500BW 500 ГБSamsung 970 PRO M.2 MZ-V7P512BW 512 ГБ
Сравнить цены 11
от 81 490 тг.
Товар устарел
Отзывы
ТОП продавцы
Типвнутреннийвнутренний
Объем500 ГБ512 ГБ
Форм-факторM.2M.2
Интерфейс M.2PCI-E 3.0 4xPCI-E 3.0 4x
Технические хар-ки
КонтроллерSamsung PhoenixSamsung Phoenix
Буферная память512 МБ512 МБ
Тип памяти
3D TLC NAND /96-слойная (3-bit MLC)/
3D MLC NAND
NVMe
 /1.3/
Внешняя скорость записи3200 МБ/с2300 МБ/с
Внешняя скорость считывания3500 МБ/с3500 МБ/с
Ударостойкость при работе1500 G1500 G
Наработка на отказ1.5 млн. ч1.5 млн. ч
IOPS записи550 тыс500 тыс
IOPS считывания480 тыс370 тыс
TBW300 ТБ600 ТБ
DWPD0.3 раз/день0.7 раз/день
Гарантия производителя5 лет5 лет
Общее
TRIM
Шифрование данных
Размеры22x80 мм22x80 мм
Вес8 г8 г
Цвет корпуса
Дата добавления на E-Katalogянварь 2019апрель 2018

Объем

Номинальная емкость накопителя. Этот параметр напрямую определяет не только количество данных, которое может поместиться на устройство, но и его стоимость; многие модели SSD даже выпускаются в нескольких версиях, различающихся по вместимости. Поэтому при выборе стоит учитывать реальные потребности и особенности применения — иначе можно переплатить значительную сумму за не нужные на практике объемы.

Что касается фактических значений, то вместимость 120 ГБ и ниже в наше время считается небольшой. Сюда же можно приравнять и SSD на 240 ГБ. Средними значения уже считаются 500 ГБ, повышенными — 1 ТБ (в диапазон к которым попадают SSD на 400 и 800 ГБ). А наиболее емкие современные SSD вмещают 2 TБ, 4 TБ и даже более.

Тип памяти

Тип основной памяти накопителя определяет особенности распределения информации по аппаратным ячейкам и физические особенности самих ячеек.

MLC. Память Multi Level Cell на основе многоярусных ячеек, каждая из которых содержит несколько уровней сигнала. В ячейках памяти MLC хранится по 2 бита информации. Имеет оптимальные показатели надёжности, энергопотребления и производительности. До недавних пор технология была популярна в SSD-модулях начального и среднего уровня, сейчас она постепенно вытесняется более совершенными вариантами на манер TLC или 3D MLC.

TLC. Эволюция технологии MLC. Один элемент флеш-памяти Triple Level Cell может хранить 3 бита информации. Подобная плотность записи несколько увеличивает вероятность возникновения ошибок по сравнению с MLC, кроме того, TLC-память считается менее долговечной. Положительной чертой характера данной технологии является доступная стоимость, а для повышения надёжности в SSD-накопителях с TLC-памятью могут применяться различные конструктивные ухищрения.

3D NAND. В структуре 3D NAND несколько слоев ячеек памяти размещаются вертикально, а между ними организованы взаимосвязи. Благодаря этому обеспечивается большая емкость хранилища данных без наращивания физических размеров накопителя и повышается производительность работы памяти за счет более коротких соединений для каждой ячейки памяти. В SSD-накопит...елях память 3D NAND может использовать чипы MLC, TLC или QLC — подробнее о них поведано в соответствующих пунктах справки.

3D MLC NAND. MLC-память многослойной структуры — её ячейки размещаются на плате не в один уровень, а в несколько «этажей». Как результат, производители добились повышения вместимости накопителей без заметного увеличения габаритов. Также для памяти 3D MLC NAND характерны более высокие показатели надёжности, чем в оригинальной MLC (см. соответствующий пункт), при меньшей стоимости производства.

3D TLC NAND. «Трёхмерная» модификация технологии TLC (см. соответствующий пункт) с размещением ячеек памяти на плате в несколько слоёв. Подобная компоновка позволяет добиться более высокой ёмкости при меньших размерах самих накопителей. В производстве такая память проще и дешевле однослойной.

3D QLC NAND. Тип-флеш памяти с четырёхуровневыми ячейками (Quad Level Cell), предусматривающий по 4 бита данных в каждой клетке. Технология призвана сделать SSD с большими объёмами массово доступными и окончательно отправить традиционные HDD в отставку. В конфигурации 3D QLC NAND память строится по «многоэтажной» схеме с размещением ячеек на плате в несколько слоёв. «Трёхмерная» структура удешевляет производство модулей памяти и позволяет увеличить объём накопителей без ущерба их массогабаритной составляющей.

3D XPoint. Принципиально новый тип памяти, кардинально отличающийся от традиционного NAND. В таких накопителях ячейки памяти и селекторы располагаются на пересечениях перпендикулярных рядов проводящих дорожек. Механизм записи информации в ячейки базируется на изменении сопротивления материала без использования транзисторов. Память 3D XPoint является простой и недорогой в производстве, к тому же она обеспечивает гораздо более высокие показатели скорости и долговечности. Приставка «3D» в названии технологии гласит о том, что ячейки на кристалле размещаются в несколько слоёв. Первое поколение 3D XPoint получило двухслойную структуру и выполнено по 20-нанометровому техпроцессу.

Внешняя скорость записи

Наибольшая скорость в режиме записи характеризует скорость, с которой модуль может принимать информацию с подключенного компьютера (или другого внешнего устройства). Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD.

IOPS записи

Показатель IOPS, обеспечиваемый накопителем в режиме записи.

Термином IOPS обозначают наибольшее количество операций ввода-вывода, которое SSD-модуль может совершить за секунду, в данном случае — при записи данных. По этому показателю часто оценивают быстродействие накопителя; однако это далеко не всегда верно. Во-первых, значения IOPS у разных производителей могут замеряться по-разному — по максимальному значению, по среднему, по произвольной записи, по последовательной записи и т. п. Во-вторых, преимущества высоких IOPS становятся заметны лишь при некоторых специфических операциях — в частности, одновременном копировании большого количества файлов. Кроме того, на практике скорость работы накопителя может ограничиваться системой, к которой он подключен. В свете всего этого сравнивать по IOPS разные SSD-модули в целом допускается, однако реальная разница в быстродействии, скорее всего, будет не столь заметна, как разница в цифрах.

Что касается конкретных значений, то для режима записи с IOPS до 50 тыс. считается сравнительно скромным, 50 – 100 тыс. — средним, более 100 тыс. — высоким.

IOPS считывания

Показатель IOPS, обеспечиваемый накопителем в режиме считывания.

Термином IOPS обозначают наибольшее количество операций ввода-вывода, которое SSD-модуль может совершить за секунду, в данном случае — при чтении данных с него. По этом показателю часто оценивают быстродействие накопителя; однако это далеко не всегда верно. Во-первых, значения IOPS у разных производителей могут замеряться по-разному — по максимальному значению, по среднему и т. п. Во-вторых, преимущества высоких IOPS становятся заметны лишь при некоторых специфических операциях — в частности, одновременном копировании большого количества файлов. Кроме того, на практике скорость работы накопителя может ограничиваться системой, к которой он подключен. В свете всего этого сравнивать по IOPS разные SSD-модули в целом допускается, однако реальная разница в быстродействии, скорее всего, будет не столь заметна, как разница в цифрах.

Для современных SSD в режиме чтения значение IOPS менее 50 тыс. считается весьма скромным показателем, в большинстве моделей этот параметр лежит в пределах 50 – 100 тыс., однако встречаются и более высокие цифры.

TBW

Аббревиатурой TBW обозначают наработку накопителя на отказ, выраженную в терабайтах. Иными словами, это общее количество информации, которое гарантированно может быть записано (перезаписано) на данный модуль. Данный показатель позволяет оценить общую надежность и срок службы накопителя — чем выше TBW, тем дольше прослужит устройство, при прочих равных.

Отметим, что зная TBW и срок гарантии, можно вычислить количество перезаписей в день (DWPD, см. соответствующий пункт), если производитель не указал этих данных. Для этого нужно воспользоваться формулой: DWPD = TBW /(V*T*365), где V — емкость накопителя в терабайтах, T — срок гарантии (лет). Что же до конкретных цифр, то на рынке немало накопителей с относительно невысоким TBW — до 100 ТБ; даже таких значений нередко оказывается достаточно для повседневного использования в течение значительного времени. Впрочем, чаще встречаются модели с TBW на уровне 100 – 500 ТБ. Значения в 500 – 1000 ТБ можно отнести к категории «выше средней», а в наиболее надежных решениях этот показатель еще выше.

DWPD

Количество полных перезаписей в день, допускаемое конструкцией накопителя, иными словами — сколько раз в день можно гарантированно перезаписывать накопитель целиком, не боясь сбоев.

Данный параметр описывает общую надежность и долговечность накопителя. По смыслу он схож с TBW (см. соответствующий пункт), одну величину даже можно перевести в другую, зная срок гарантии: TBW = DWPD*V*T*365, где V — объем накопителя в терабайтах, а T — срок гарантии в годах. Тем не менее, DWPD является несколько более специфическим показателем: он описывает не только общую наработку на отказ, но еще и ограничение по количеству перезаписей за день; при превышении данного ограничения накопитель может выйти из строя раньше, чем указано в гарантии. Впрочем, даже небольшие значения DWPD — 0,5 – 1 раз в день, а то и менее 0,5 раз в день — нередко оказываются достаточными не только для несложного повседневного использования, но даже для профессиональных задач. Более высокие показатели — 1 – 2 раза в день или более — встречаются редко; в то же время это могут быть как высококлассные, так и бюджетные SSD-модули.
Samsung 970 EVO Plus M.2 часто сравнивают
Samsung 970 PRO M.2 часто сравнивают