Сравнение Samsung 970 PRO M.2 MZ-V7P512BW 512 GB vs Kingston KC1000 PCIe SKC1000H/480G 480 GB

Объем памяти показывает, сколько данных можно хранить на диске, включая операционную систему, программы, игры, фото, видео и рабочие файлы. По сравнению с жесткими дисками SSD дает более высокую скорость работы, поэтому система и приложения открываются заметно быстрее.

Таким образом, накопитель на 256 ГБ часто берут под базовый набор программ, 512 ГБ и уже 1 ТБ считаются более универсальным вариантом, а 2 ТБ, 4 ТБ и выше лучше подходят тем, кто хранит много тяжелых файлов. Поэтому объем памяти SSD стоит выбирать с запасом, чтобы позже не столкнуться с постоянной нехваткой свободного места.

Форм-фактор, в котором выполнен накопитель. Эта характеристика определяет размеры и форму модуля, а во многих случаях — еще и интерфейс подключения.

— Флешка. Внешний твердотельный накопитель, который подключается прямо в USB-порт без кабеля и по габаритам похож на обычную USB-флешку. Такой формат часто встречается под названиями вроде «SSD-флешка», «USB-SSD» или «stick-SSD», и его ценят за максимальную мобильность: воткнули в ноутбук — и сразу копируете файлы. В сравнении с классической флешкой он обычно быстрее и стабильнее на больших объёмах данных, а по сравнению с внешним SSD в корпусе на проводе выигрывает удобством, но может сильнее греться, чуть выступать из порта и из-за миниатюрности проще потеряться. Примеры использования: переносить тяжёлые папки с фото/видео, быстро перекидывать проекты между рабочим ПК и ноутбуком, держать с собой рабочие документы и портативные утилиты в кармане как «мини-диск».

— 2,5". Один из самых распространенных форм-факторов для внутренних SSD. Изначально накопители на 2,5" применялись в ноутбуках, однако в наше время соответствующие слоты встречаются и в большинстве настольных ПК. Как бы то ни было, модули этого форм-фактора могут устанавливаться разными способами: одни крепятся в отдельные гнезда аналогично жестким дискам, другие (под интерфейс U.2, см. «Разъем») вставляются прямо в разъемы материнских плат.

— M.2.... Форм-фактор, применяемый в основном в высококлассных внутренних накопителях, сочетающих в себе миниатюрные размеры и значительные объемы. Использует собственный стандартный разъем подключения, поэтому этот разъем в характеристиках отдельно не указывается. Стоит учитывать, что стандарт M.2 сочетает в себе сразу два формата передачи данных — SATA и PCI-E, и накопителем обычно поддерживается только один из них; подробнее см. «Интерфейс M.2». Как бы то ни было, благодаря небольшим габаритам подобные модули подходят как для настольных ПК, так и для ноутбуков.

— mini-SATA (mSATA). Миниатюрный форм-фактор внутренних накопителей, идейный предшественник M.2. Изначально разрабатывался для нетбуков и ультракомпактных лэптопов, однако в наше время можно встретить и настольные ПК с разъемами mSATA на материнских платах. Впрочем, в связи с появлением и развитием более продвинутых вариантов этот форм-фактор постепенно выходит из употребления.

— PCI-E карта (HHHL). Накопители, выполненные в виде плат расширения и подключаемые в слоты PCI-E (так же, как внешние видеокарты, звуковые платы и т. п.). Маркировка HHHL означает половинную длину и половинную высоту — таким образом, подобные модули подходят не только для полноразмерных ПК, но и для более компактных систем — к примеру, неттопов и даже некоторых ноутбуков. Интерфейс PCI-E позволяет достичь хороших скоростей обмена данными, к тому же именно через него реализуется NVMe (см. ниже). С другой стороны, эти возможности доступны и в более совершенных и компактных форм-факторах, в частности M.2. Поэтому SSD-модулей в формате карт PCI-E в наше время на рынке немного.

— 1,8". Форм-фактор миниатюрных накопителей, изначально созданный для ультракомпактных ноутбуков. Впрочем, в наше время SSD-модули этого формата можно встретить крайне редко, причем это в основном внешние модели. Это связано с появлением более удобных и совершенных форм-факторов для внутреннего применения — таких, как описанный выше M.2.

— 3,5". Наиболее крупный форм-фактор современных SSD-накопителей — размер такого модуля сравним с традиционным жестким диском для настольного ПК. В наше время практически вышел из употребления в связи с громоздкостью и отсутствием каких-либо заметных преимуществ перед более миниатюрными решениями.

Модель контроллера, установленного в SSD-накопителе.

Контроллер представляет собой управляющую схему, которая, собственно, и обеспечивает обмен информацией между ячейками памяти и компьютером, к которой подключен накопитель. Возможности того или иного SSD-модуля (в частности, скорость чтения и записи) во многом зависят именно от этой схемы. Зная модель контроллера, можно найти подробные данные по нему и оценить возможности накопителя. Для несложного повседневного использования эта информация, как правило, не нужна, но вот профессионалам и энтузиастам (моддерам, оверклокерам) она может пригодиться.

В наше время высококлассные контроллеры выпускаются преимущественно под такими брендами: InnoGrit, Maxio, Phison, Realtek, Silicon Motion, Samsung.

Буферная память являет собой небольшой чип на SSD-диске, выполняющий функцию транзита данных между диском и материнской платой. По сути, он выступает эдаким промежуточным звеном между оперативной памятью компьютера и собственной постоянной памятью накопителя. Буфер служит для хранения наиболее часто запрашиваемых с модуля данных, благодаря чему уменьшается время доступа к ним — информация посылается с кеша, вместо того, чтобы считываться с магнитного носителя. Как правило, чем больше размер буфера — тем выше быстродействие накопителя, при прочих равных условиях. Также накопители с большим объёмом буферной памяти снижают нагрузку на процессор.

Тип основной памяти накопителя определяет особенности распределения информации по аппаратным ячейкам и физические особенности самих ячеек.

— MLC. Память Multi Level Cell на основе многоярусных ячеек, каждая из которых содержит несколько уровней сигнала. В ячейках памяти MLC хранится по 2 бита информации. Имеет оптимальные показатели надёжности, энергопотребления и производительности. До недавних пор технология была популярна в SSD-модулях начального и среднего уровня, сейчас она постепенно вытесняется более совершенными вариантами на манер TLC или 3D MLC.

— TLC. Эволюция технологии MLC. Один элемент флеш-памяти Triple Level Cell может хранить 3 бита информации. Подобная плотность записи несколько увеличивает вероятность возникновения ошибок по сравнению с MLC, кроме того, TLC-память считается менее долговечной. Положительной чертой характера данной технологии является доступная стоимость, а для повышения надёжности в SSD-накопителях с TLC-памятью могут применяться различные конструктивные ухищрения.

— 3D NAND. В структуре 3D NAND несколько слоев ячеек памяти размещаются вертикально, а между ними организованы взаимосвязи. Благодаря этому обеспечивается большая емкость хранилища данных без наращивания физических размеров накопителя и повышается производительность работы памяти за счет более коротких соединений для каждой ячейки памяти. В SSD-накопит...елях память 3D NAND может использовать чипы MLC, TLC или QLC — подробнее о них поведано в соответствующих пунктах справки.

— 3D MLC NAND. MLC-память многослойной структуры — её ячейки размещаются на плате не в один уровень, а в несколько «этажей». Как результат, производители добились повышения вместимости накопителей без заметного увеличения габаритов. Также для памяти 3D MLC NAND характерны более высокие показатели надёжности, чем в оригинальной MLC (см. соответствующий пункт), при меньшей стоимости производства.

— 3D TLC NAND. «Трёхмерная» модификация технологии TLC (см. соответствующий пункт) с размещением ячеек памяти на плате в несколько слоёв. Подобная компоновка позволяет добиться более высокой ёмкости при меньших размерах самих накопителей. В производстве такая память проще и дешевле однослойной.

— 3D QLC NAND. Тип-флеш памяти с четырёхуровневыми ячейками (Quad Level Cell), предусматривающий по 4 бита данных в каждой клетке. Технология призвана сделать SSD с большими объёмами массово доступными и окончательно отправить традиционные HDD в отставку. В конфигурации 3D QLC NAND память строится по «многоэтажной» схеме с размещением ячеек на плате в несколько слоёв. «Трёхмерная» структура удешевляет производство модулей памяти и позволяет увеличить объём накопителей без ущерба их массогабаритной составляющей.

— 3D XPoint. Принципиально новый тип памяти, кардинально отличающийся от традиционного NAND. В таких накопителях ячейки памяти и селекторы располагаются на пересечениях перпендикулярных рядов проводящих дорожек. Механизм записи информации в ячейки базируется на изменении сопротивления материала без использования транзисторов. Память 3D XPoint является простой и недорогой в производстве, к тому же она обеспечивает гораздо более высокие показатели скорости и долговечности. Приставка «3D» в названии технологии гласит о том, что ячейки на кристалле размещаются в несколько слоёв. Первое поколение 3D XPoint получило двухслойную структуру и выполнено по 20-нанометровому техпроцессу.

Наибольшая скорость в режиме записи характеризует скорость, с которой модуль может принимать информацию с подключенного компьютера (или другого внешнего устройства). Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD.

Наибольшая скорость обмена данными с компьютером (или другим внешним устройством), которую накопитель может обеспечить в режиме считывания; проще говоря — наибольшая скорость вывода информации с накопителя на внешнее устройство. Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD. Ее значения могут варьироваться от 100 – 500 МБ/с в наиболее медленных моделях до 3 Гб/с и выше в самых продвинутых.

Параметр, определяющий стойкость накопителя к падениям и сотрясениям в процессе работы. Измеряется в G — единицах перегрузки, 1 G соответствует обычной силе земного притяжения. Чем выше число G — тем более устойчиво устройство к различного рода сотрясениям и тем меньше вероятность повреждения данных в нём, скажем, в случае падения. Этот параметр особенно важен для внешних накопителей (см. Тип).

Время наработки накопителя на отказ — время, которое он способен непрерывно проработать без сбоев и неполадок; иными словами — время работы, по истечении которого появляется высокая вероятность появления сбоев, а то и выхода модуля из строя.

Как правило, в характеристиках указывается некоторое среднее время, выведенное по результатам условного тестирования. Поэтому фактическое значение этого параметра может отличаться от заявленного в ту или иную сторону; однако на практике этого момент не является особо значимым. Дело в том, что для современных SSD время наработки на отказ исчисляется миллионами часов, а 1 млн часов соответствует более чем 110 годам — при этом речь идет именно о чистом времени работы. Так что с практической стороны долговечность накопителя чаще ограничивается более специфическими параметрами — TBW и DPWD (см. ниже); а гарантия производителя вообще не превышает нескольких лет. Впрочем, данные по наработке на отказ в часах могут также пригодиться при выборе: при прочих равных большее время означает бОльшую надежность и долговечность SSD в целом.