Сравнение Samsung 960 PRO M.2 MZ-V6P512BW 512 ГБ vs Samsung 850 EVO MZ-75E500BW 500 ГБ

Номинальная емкость накопителя. Этот параметр напрямую определяет не только количество данных, которое может поместиться на устройство, но и его стоимость; многие модели SSD даже выпускаются в нескольких версиях, различающихся по вместимости. Поэтому при выборе стоит учитывать реальные потребности и особенности применения — иначе можно переплатить значительную сумму за не нужные на практике объемы.

Что касается фактических значений, то вместимость 120 ГБ и ниже в наше время считается небольшой. Сюда же можно приравнять и SSD на 240 ГБ. Средними значения уже считаются 500 ГБ, повышенными — 1 ТБ (в диапазон к которым попадают SSD на 400 и 800 ГБ). А наиболее емкие современные SSD вмещают 2 TБ, 4 TБ и даже более.

Форм-фактор, в котором выполнен накопитель. Эта характеристика определяет размеры и форму модуля, а во многих случаях — еще и интерфейс подключения. При этом стоит отметить, что для внешних SSD (см. «Тип») форм-фактор является второстепенным параметром, от него зависят лишь общие габариты корпуса (и то весьма приблизительно). Поэтому обращать внимание на этот момент стоит прежде всего при выборе внутреннего SSD — такой накопитель должен соответствовать форм-фактору посадочного места под него, иначе нормальная установка будет невозможной.

Вот некоторые наиболее популярные варианты:

— 2,5". Один из самых распространенных форм-факторов для внутренних SSD. Изначально накопители на 2,5" применялись в ноутбуках, однако в наше время соответствующие слоты встречаются и в большинстве настольных ПК. Как бы то ни было, модули этого форм-фактора могут устанавливаться разными способами: одни крепятся в отдельные гнезда аналогично жестким дискам, другие (под интерфейс U.2, см. «Разъем») вставляются прямо в разъемы материнских плат.

— M.2. Форм-фактор, применяемый в основном в высококлассных внутренних накопителях, сочетающих в себе миниатюрные размеры и значительные объемы. Использует собственный стандартный разъем подключения, поэтому этот разъем в характеристиках отдельно не указывается. Стоит учитывать, что стандарт M.2 сочетает в себе сразу два формата передачи данн...ых — SATA и PCI-E, и накопителем обычно поддерживается только один из них; подробнее см. «Интерфейс M.2». Как бы то ни было, благодаря небольшим габаритам подобные модули подходят как для настольных ПК, так и для ноутбуков.

— mini-SATA (mSATA). Миниатюрный форм-фактор внутренних накопителей, идейный предшественник M.2. Изначально разрабатывался для нетбуков и ультракомпактных лэптопов, однако в наше время можно встретить и настольные ПК с разъемами mSATA на материнских платах. Впрочем, в связи с появлением и развитием более продвинутых вариантов этот форм-фактор постепенно выходит из употребления.

— PCI-E карта (HHHL). Накопители, выполненные в виде плат расширения и подключаемые в слоты PCI-E (так же, как внешние видеокарты, звуковые платы и т. п.). Маркировка HHHL означает половинную длину и половинную высоту — таким образом, подобные модули подходят не только для полноразмерных ПК, но и для более компактных систем — к примеру, неттопов и даже некоторых ноутбуков. Интерфейс PCI-E позволяет достичь хороших скоростей обмена данными, к тому же именно через него реализуется NVMe (см. ниже). С другой стороны, эти возможности доступны и в более совершенных и компактных форм-факторах, в частности M.2. Поэтому SSD-модулей в формате карт PCI-E в наше время на рынке немного.

— 1,8". Форм-фактор миниатюрных накопителей, изначально созданный для ультракомпактных ноутбуков. Впрочем, в наше время SSD-модули этого формата можно встретить крайне редко, причем это в основном внешние модели. Это связано с появлением более удобных и совершенных форм-факторов для внутреннего применения — таких, как описанный выше M.2.

— 3,5". Наиболее крупный форм-фактор современных SSD-накопителей — размер такого модуля сравним с традиционным жестким диском для настольного ПК. В наше время практически вышел из употребления в связи с громоздкостью и отсутствием каких-либо заметных преимуществ перед более миниатюрными решениями.

Интерфейс подключения, поддерживаемый накопителем формата M.2 (см. «Форм-фактор»).

Все такие накопители используют стандартный аппаратный разъем, однако через этот разъем могут реализовываться разные электрические (логические) интерфейсы — либо SATA (обычно SATA 3), либо PCI-E (чаще всего в вариантах PCI-E 3.0 2x, PCI-E 3.0 4x, PCI-E 4.0 4x, PCI-E 5.0 4x). Разъем M.2 на материнской плате должен поддерживать соответствующий интерфейс — иначе нормальная работа SSD будет невозможна. Рассмотрим каждый вариант более детально.

Подключение по стандарту SATA 3 обеспечивает скорость передачи данных до 5,9 Гбит/с (около 600 МБ/с); оно считается очень простым вариантом и используется в основном в бюджетных M.2-модулях. Это связано с тем, что данный интерфейс изначально создавался под жесткие диски, и для более быстрых SSD-накопителей его возможностей уже может не хватать.

В свою очередь, интерфейс PCI-E дает более высокие скорости подключения и позволяет реализовывать специальные технологии вроде NVMe (см. ниже). В обозначении такого интерфейса указывается его версия и количество линий — например, PCI-E 3.0 2x означает версию 3 с двумя линиями передачи данных. По этому обозначению можно определить максимальную скорость подключения: PCI-E версии 3.0 дает чуть менее 1 ГБ/с на 1 линию, версии 4....0 — вдвое больше (до 2 ГБ/с), 5.0 — еще вдвое больше «четверки» (почти 4 ГБ/с). Таким образом, к примеру, для PCI-E 5.0 4x максимальная скорость обмена данными будет составлять около 15 ГБ/с (4 линии почти по 4 ГБ/с). При этом отметим, что более новые и быстрые накопители можно подключать к более ранним и медленным разъемам M.2 — разве что скорость передачи данных при этом будет ограничиваться возможностями разъема.

Разъем (разъемы) подключения, используемый (используемые) в накопителе. Отметим, что для наружных моделей (см. «Тип») здесь, как правило, указывается разъем на корпусе самого накопителя; возможность подключения к тому или иному гнезду на ПК (или другом устройстве) зависит в основном от наличия соответствующих кабелей. Исключение составляют модели с несъемным проводом — в них речь идет о штекере на таком проводе.

В некоторых форм-факторах — например, M.2 — используется собственный стандартный разъем, поэтому для таких моделей этот параметр не уточняется. В остальных же случаях разъемы можно условно разделить на внешние и внутренние — в зависимости от типа накопителей (см. выше). Во внутренних модулях, помимо того же M.2, можно встретить интерфейсы SATA 3, U.2 и SAS. Внешние устройства используют в основном разные виды USB — классический разъем USB (версии 3.2 gen1 или 3.2 gen2) либо же USB C (версии 3.2 gen1, 3.2 gen2, 3.2 gen2x2 или USB4). Кроме того, встречаются решения с интерфейсом Thunderbolt (обычно версий v2 или v3). Рассмотрим эти варианты подробнее:

— SATA 3. Третья версия интерфейса SATA, обеспечивающая скорость передачи да...нных до 5,9 Гбит/с (около 600 МБ/с). По меркам SSD такая скорость является невысокой, так как SATA изначально разрабатывался под жесткие диски и не предполагал использования с быстродействующей твердотельной памятью. Поэтому подобное подключение можно встретить преимущественно в бюджетных и устаревших внутренних накопителях.

— SAS. Стандарт, созданный как высокопроизводительное подключение для серверных систем. Несмотря на появление более продвинутых интерфейсов, все еще встречается и в наше время. Обеспечивает скорость передачи данных до 22,5 Гбит/с (2,8 ГБ/с), в зависимости от версии.

— U.2. Разъем, специально созданный для высококлассных внутренних накопителей в форм-факторе 2,5", преимущественно серверного назначения. Собственно, U.2 — это название специализированного форм-фактора (2,5", высота 15 мм), а разъем формально называется SFF-8639. Подключаются такие модули аналогично платам расширения PCI-E (по этой же шине), однако имеют более миниатюрные размеры и допускают горячую замену.

— U.3. Трехинтерфейсный разъем подключения, созданный на базе спецификации U.2 (см. соответствующий пункт) и использующий аналогичный коннектор SFF-8639. Разъем U.3 объединяет интерфейсы SAS, SATA и NVMe в одном контроллере, что позволяет подключать разные типы накопителей через один и тот же слот. В U.3 предусмотрены отдельные контакты для определения конкретного типа дисков. Спецификацию создали для внутренних накопителей форм-фактора 2.5". Такие модули имеют миниатюрные размеры, допускают горячую замену, поддерживают внешние управляющие импульсы.

— USB 3.2 gen1. Традиционный полноразмерный разъем USB, соответствующий версии 3.2 gen1. Эта версия (ранее известная как 3.1 gen1 или 3.0) обеспечивает скорость передачи данных до 4,8 Гбит/с. Она совместима с другими стандартами USB, разве что скорость подключения будет ограничена наиболее медленной версией.

— USB 3.2 gen2. Традиционный полноразмерный разъем USB, соответствующий версии 3.2 gen2 (ранее известной как 3.1 gen2 или просто 3.1). Работает на скоростях до 10 Гбит/с, в остальном по ключевым особенностям аналогичен описанному выше USB 3.2 gen1

— USB C 3.2 gen1. Разъем типа USB C, поддерживающий версию подключения 3.2 gen1. Напомним, эта версия позволяет добиться скорости до 4,8 Гбит/с. А USB C — относительно новый тип USB-разъема, имеющий небольшие размеры (чуть крупнее microUSB), симметричную овальную форму и двустороннюю конструкцию. Он особенно удобен для внешних SSD с учетом того, что такие накопители делаются все более миниатюрными.

— USB C 3.2 gen2. Разъем типа USB C, поддерживающий версию подключения 3.2 gen2 — со скоростью передачи данных до 10 Гбит/с. Впрочем, такой накопитель сможет работать и с более медленными USB-портами — разве что скорость будет ограничена возможностями такого порта. Подробнее о самом разъеме USB C см. выше.

— USB C 3.2 gen2x2. Разъем типа USB C, поддерживающий версию подключения 3.2 gen2x2. Подробнее о самом разъеме см. выше; а версия 3.2 gen 2x2 (ранее известная как USB 3.2) позволяет добиться скоростей до 20 Гбит/с — то есть вдвое выше, чем в оригинальной 3.2 gen 2, отсюда и название. Также стоит отметить, что эта версия реализуется только через разъемы USB C и не применяется в портах более ранних стандартов.



— USB4. Высокоскоростная ревизия интерфейса USB, использующая только симметричные разъемы типа USB type C. Позволяет добиться скоростей передачи данных на уровне до 40 Гбит/с (в зависимости от технологий и стандартов, реализованных в конкретном порту). Интерфейс может поддерживать Thunderbolt v3 и v4, также он имеет обратную совместимость с предыдущими спецификациями USB, разве что для устройств с полноразмерным штекером USB A потребуется адаптер.

Модель контроллера, установленного в SSD-накопителе.

Контроллер представляет собой управляющую схему, которая, собственно, и обеспечивает обмен информацией между ячейками памяти и компьютером, к которой подключен накопитель. Возможности того или иного SSD-модуля (в частности, скорость чтения и записи) во многом зависят именно от этой схемы. Зная модель контроллера, можно найти подробные данные по нему и оценить возможности накопителя. Для несложного повседневного использования эта информация, как правило, не нужна, но вот профессионалам и энтузиастам (моддерам, оверклокерам) она может пригодиться.

В наше время высококлассные контроллеры выпускаются преимущественно под такими брендами: InnoGrit, Maxio, Phison, Realtek, Silicon Motion, Samsung.

Буферная память являет собой небольшой чип на SSD-диске, выполняющий функцию транзита данных между диском и материнской платой. По сути, он выступает эдаким промежуточным звеном между оперативной памятью компьютера и собственной постоянной памятью накопителя. Буфер служит для хранения наиболее часто запрашиваемых с модуля данных, благодаря чему уменьшается время доступа к ним — информация посылается с кеша, вместо того, чтобы считываться с магнитного носителя. Как правило, чем больше размер буфера — тем выше быстродействие накопителя, при прочих равных условиях. Также накопители с большим объёмом буферной памяти снижают нагрузку на процессор.

Тип основной памяти накопителя определяет особенности распределения информации по аппаратным ячейкам и физические особенности самих ячеек.

— MLC. Память Multi Level Cell на основе многоярусных ячеек, каждая из которых содержит несколько уровней сигнала. В ячейках памяти MLC хранится по 2 бита информации. Имеет оптимальные показатели надёжности, энергопотребления и производительности. До недавних пор технология была популярна в SSD-модулях начального и среднего уровня, сейчас она постепенно вытесняется более совершенными вариантами на манер TLC или 3D MLC.

— TLC. Эволюция технологии MLC. Один элемент флеш-памяти Triple Level Cell может хранить 3 бита информации. Подобная плотность записи несколько увеличивает вероятность возникновения ошибок по сравнению с MLC, кроме того, TLC-память считается менее долговечной. Положительной чертой характера данной технологии является доступная стоимость, а для повышения надёжности в SSD-накопителях с TLC-памятью могут применяться различные конструктивные ухищрения.

— 3D NAND. В структуре 3D NAND несколько слоев ячеек памяти размещаются вертикально, а между ними организованы взаимосвязи. Благодаря этому обеспечивается большая емкость хранилища данных без наращивания физических размеров накопителя и повышается производительность работы памяти за счет более коротких соединений для каждой ячейки памяти. В SSD-накопит...елях память 3D NAND может использовать чипы MLC, TLC или QLC — подробнее о них поведано в соответствующих пунктах справки.

— 3D MLC NAND. MLC-память многослойной структуры — её ячейки размещаются на плате не в один уровень, а в несколько «этажей». Как результат, производители добились повышения вместимости накопителей без заметного увеличения габаритов. Также для памяти 3D MLC NAND характерны более высокие показатели надёжности, чем в оригинальной MLC (см. соответствующий пункт), при меньшей стоимости производства.

— 3D TLC NAND. «Трёхмерная» модификация технологии TLC (см. соответствующий пункт) с размещением ячеек памяти на плате в несколько слоёв. Подобная компоновка позволяет добиться более высокой ёмкости при меньших размерах самих накопителей. В производстве такая память проще и дешевле однослойной.

— 3D QLC NAND. Тип-флеш памяти с четырёхуровневыми ячейками (Quad Level Cell), предусматривающий по 4 бита данных в каждой клетке. Технология призвана сделать SSD с большими объёмами массово доступными и окончательно отправить традиционные HDD в отставку. В конфигурации 3D QLC NAND память строится по «многоэтажной» схеме с размещением ячеек на плате в несколько слоёв. «Трёхмерная» структура удешевляет производство модулей памяти и позволяет увеличить объём накопителей без ущерба их массогабаритной составляющей.

— 3D XPoint. Принципиально новый тип памяти, кардинально отличающийся от традиционного NAND. В таких накопителях ячейки памяти и селекторы располагаются на пересечениях перпендикулярных рядов проводящих дорожек. Механизм записи информации в ячейки базируется на изменении сопротивления материала без использования транзисторов. Память 3D XPoint является простой и недорогой в производстве, к тому же она обеспечивает гораздо более высокие показатели скорости и долговечности. Приставка «3D» в названии технологии гласит о том, что ячейки на кристалле размещаются в несколько слоёв. Первое поколение 3D XPoint получило двухслойную структуру и выполнено по 20-нанометровому техпроцессу.

Поддержка накопителем технологии NVMe.

NVMe представляет собой протокол обмена данными, разработанный специально для SSD-модулей и применяемый при подключении по шине PCI-E. Этот протокол был разработан для устранения недостатков, характерных для более ранних стандартов подключения (вроде SCSI или SATA) — прежде всего невысокой скорости, не позволявшей реализовать все возможности твердотельной памяти. NVMe учитывает ключевые достоинства SSD — независимый доступ, многопоточность и низкие задержки. Поддержка этого протокола встроена во все основные современные операционные системы, он работает не только через оригинальный интерфейс PCIe, но и через M.2 (см. «Форм-фактор»). А разъем U.2 вообще был создан специально для SSD-накопителей с NVMe (хотя наличие этого разъема само по себе еще не означает совместимости с данным протоколом).

Наибольшая скорость в режиме записи характеризует скорость, с которой модуль может принимать информацию с подключенного компьютера (или другого внешнего устройства). Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD.