Сравнение Kingston NV2 SNV2S/1000G 1 ТБ vs Crucial P3 CT1000P3SSD8 1 ТБ

Интерфейс подключения, поддерживаемый накопителем формата M.2 (см. «Форм-фактор»).

Все такие накопители используют стандартный аппаратный разъем, однако через этот разъем могут реализовываться разные электрические (логические) интерфейсы — либо SATA (обычно SATA 3), либо PCI-E (чаще всего в вариантах PCI-E 3.0 2x, PCI-E 3.0 4x, PCI-E 4.0 4x, PCI-E 5.0 4x). Разъем M.2 на материнской плате должен поддерживать соответствующий интерфейс — иначе нормальная работа SSD будет невозможна. Рассмотрим каждый вариант более детально.

Подключение по стандарту SATA 3 обеспечивает скорость передачи данных до 5,9 Гбит/с (около 600 МБ/с); оно считается очень простым вариантом и используется в основном в бюджетных M.2-модулях. Это связано с тем, что данный интерфейс изначально создавался под жесткие диски, и для более быстрых SSD-накопителей его возможностей уже может не хватать.

В свою очередь, интерфейс PCI-E дает более высокие скорости подключения и позволяет реализовывать специальные технологии вроде NVMe (см. ниже). В обозначении такого интерфейса указывается его версия и количество линий — например, PCI-E 3.0 2x означает версию 3 с двумя линиями передачи данных. По этому обозначению можно определить максимальную скорость подключения: PCI-E версии 3.0 дает чуть менее 1 ГБ/с на 1 линию, версии 4....0 — вдвое больше (до 2 ГБ/с), 5.0 — еще вдвое больше «четверки» (почти 4 ГБ/с). Таким образом, к примеру, для PCI-E 5.0 4x максимальная скорость обмена данными будет составлять около 15 ГБ/с (4 линии почти по 4 ГБ/с). При этом отметим, что более новые и быстрые накопители можно подключать к более ранним и медленным разъемам M.2 — разве что скорость передачи данных при этом будет ограничиваться возможностями разъема.

Модель контроллера, установленного в SSD-накопителе.

Контроллер представляет собой управляющую схему, которая, собственно, и обеспечивает обмен информацией между ячейками памяти и компьютером, к которой подключен накопитель. Возможности того или иного SSD-модуля (в частности, скорость чтения и записи) во многом зависят именно от этой схемы. Зная модель контроллера, можно найти подробные данные по нему и оценить возможности накопителя. Для несложного повседневного использования эта информация, как правило, не нужна, но вот профессионалам и энтузиастам (моддерам, оверклокерам) она может пригодиться.

В наше время высококлассные контроллеры выпускаются преимущественно под такими брендами: InnoGrit, Maxio, Phison, Realtek, Silicon Motion, Samsung.

Тип основной памяти накопителя определяет особенности распределения информации по аппаратным ячейкам и физические особенности самих ячеек.

— MLC. Память Multi Level Cell на основе многоярусных ячеек, каждая из которых содержит несколько уровней сигнала. В ячейках памяти MLC хранится по 2 бита информации. Имеет оптимальные показатели надёжности, энергопотребления и производительности. До недавних пор технология была популярна в SSD-модулях начального и среднего уровня, сейчас она постепенно вытесняется более совершенными вариантами на манер TLC или 3D MLC.

— TLC. Эволюция технологии MLC. Один элемент флеш-памяти Triple Level Cell может хранить 3 бита информации. Подобная плотность записи несколько увеличивает вероятность возникновения ошибок по сравнению с MLC, кроме того, TLC-память считается менее долговечной. Положительной чертой характера данной технологии является доступная стоимость, а для повышения надёжности в SSD-накопителях с TLC-памятью могут применяться различные конструктивные ухищрения.

— 3D NAND. В структуре 3D NAND несколько слоев ячеек памяти размещаются вертикально, а между ними организованы взаимосвязи. Благодаря этому обеспечивается большая емкость хранилища данных без наращивания физических размеров накопителя и повышается производительность работы памяти за счет более коротких соединений для каждой ячейки памяти. В SSD-накопит...елях память 3D NAND может использовать чипы MLC, TLC или QLC — подробнее о них поведано в соответствующих пунктах справки.

— 3D MLC NAND. MLC-память многослойной структуры — её ячейки размещаются на плате не в один уровень, а в несколько «этажей». Как результат, производители добились повышения вместимости накопителей без заметного увеличения габаритов. Также для памяти 3D MLC NAND характерны более высокие показатели надёжности, чем в оригинальной MLC (см. соответствующий пункт), при меньшей стоимости производства.

— 3D TLC NAND. «Трёхмерная» модификация технологии TLC (см. соответствующий пункт) с размещением ячеек памяти на плате в несколько слоёв. Подобная компоновка позволяет добиться более высокой ёмкости при меньших размерах самих накопителей. В производстве такая память проще и дешевле однослойной.

— 3D QLC NAND. Тип-флеш памяти с четырёхуровневыми ячейками (Quad Level Cell), предусматривающий по 4 бита данных в каждой клетке. Технология призвана сделать SSD с большими объёмами массово доступными и окончательно отправить традиционные HDD в отставку. В конфигурации 3D QLC NAND память строится по «многоэтажной» схеме с размещением ячеек на плате в несколько слоёв. «Трёхмерная» структура удешевляет производство модулей памяти и позволяет увеличить объём накопителей без ущерба их массогабаритной составляющей.

— 3D XPoint. Принципиально новый тип памяти, кардинально отличающийся от традиционного NAND. В таких накопителях ячейки памяти и селекторы располагаются на пересечениях перпендикулярных рядов проводящих дорожек. Механизм записи информации в ячейки базируется на изменении сопротивления материала без использования транзисторов. Память 3D XPoint является простой и недорогой в производстве, к тому же она обеспечивает гораздо более высокие показатели скорости и долговечности. Приставка «3D» в названии технологии гласит о том, что ячейки на кристалле размещаются в несколько слоёв. Первое поколение 3D XPoint получило двухслойную структуру и выполнено по 20-нанометровому техпроцессу.

Наибольшая скорость в режиме записи характеризует скорость, с которой модуль может принимать информацию с подключенного компьютера (или другого внешнего устройства). Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD.

Время наработки накопителя на отказ — время, которое он способен непрерывно проработать без сбоев и неполадок; иными словами — время работы, по истечении которого появляется высокая вероятность появления сбоев, а то и выхода модуля из строя.

Как правило, в характеристиках указывается некоторое среднее время, выведенное по результатам условного тестирования. Поэтому фактическое значение этого параметра может отличаться от заявленного в ту или иную сторону; однако на практике этого момент не является особо значимым. Дело в том, что для современных SSD время наработки на отказ исчисляется миллионами часов, а 1 млн часов соответствует более чем 110 годам — при этом речь идет именно о чистом времени работы. Так что с практической стороны долговечность накопителя чаще ограничивается более специфическими параметрами — TBW и DPWD (см. ниже); а гарантия производителя вообще не превышает нескольких лет. Впрочем, данные по наработке на отказ в часах могут также пригодиться при выборе: при прочих равных большее время означает бОльшую надежность и долговечность SSD в целом.

Аббревиатурой TBW обозначают наработку накопителя на отказ, выраженную в терабайтах. Иными словами, это общее количество информации, которое гарантированно может быть записано (перезаписано) на данный модуль. Данный показатель позволяет оценить общую надежность и срок службы накопителя — чем выше TBW, тем дольше прослужит устройство, при прочих равных.

Отметим, что зная TBW и срок гарантии, можно вычислить количество перезаписей в день (DWPD, см. соответствующий пункт), если производитель не указал этих данных. Для этого нужно воспользоваться формулой: DWPD = TBW /(V*T*365), где V — емкость накопителя в терабайтах, T — срок гарантии (лет). Что же до конкретных цифр, то на рынке немало накопителей с относительно невысоким TBW — до 100 ТБ; даже таких значений нередко оказывается достаточно для повседневного использования в течение значительного времени. Впрочем, чаще встречаются модели с TBW на уровне 100 – 500 ТБ. Значения в 500 – 1000 ТБ можно отнести к категории «выше средней», а в наиболее надежных решениях этот показатель еще выше.

Количество полных перезаписей в день, допускаемое конструкцией накопителя, иными словами — сколько раз в день можно гарантированно перезаписывать накопитель целиком, не боясь сбоев.

Данный параметр описывает общую надежность и долговечность накопителя. По смыслу он схож с TBW (см. соответствующий пункт), одну величину даже можно перевести в другую, зная срок гарантии: TBW = DWPD*V*T*365, где V — объем накопителя в терабайтах, а T — срок гарантии в годах. Тем не менее, DWPD является несколько более специфическим показателем: он описывает не только общую наработку на отказ, но еще и ограничение по количеству перезаписей за день; при превышении данного ограничения накопитель может выйти из строя раньше, чем указано в гарантии. Впрочем, даже небольшие значения DWPD — 0,5 – 1 раз в день, а то и менее 0,5 раз в день — нередко оказываются достаточными не только для несложного повседневного использования, но даже для профессиональных задач. Более высокие показатели — 1 – 2 раза в день или более — встречаются редко; в то же время это могут быть как высококлассные, так и бюджетные SSD-модули.

Гарантия производителя, предусмотренная для данной модели.

Фактически это минимальный срок службы, обещанный производителем при условии соблюдения правил эксплуатации. Чаще всего фактический срок службы устройства оказывается заметно дольше гарантированного. Однако стоит учитывать, что гарантия нередко предусматривает дополнительные условия — например, «[столько-то лет] либо до исчерпания TBW» (подробнее о TBW см. выше).

Конкретные сроки гарантии могут быть разными даже у схожих накопителей одного производителя. Самые популярные варианты — 3 года и 5 лет, однако встречаются и другие цифры — до 10 лет в наиболее дорогих и высококлассных моделях.