Казахстан
Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   SSD-накопители   /   GOODRAM

SSD GOODRAM IRDM PRO GEN.5 IRP-SSDPR-P54S-1K0-80 1 ТБ

Фото - SSD GOODRAM IRDM PRO GEN.5 IRP-SSDPR-P54S-1K0-80 1 ТБ
Фото 12
Ожидается в продаже
Топовый твердотельный накопитель нового поколения, построенный на базе интерфейса PCI-E 5.0, что сразу выделяет его среди большинства актуальных решений на рынке. Благодаря контроллеру Phison E26 и QLC-памяти нового поколения, модель обеспечивает скорость чтения до 11 500 МБ/с и записи до 9000 МБ/с, что практически вдвое превышает возможности самых быстрых Gen4 SSD. На практике это позволяет моментально загружать тяжелые проекты, работать с многогигабайтными файлами без задержек и запускать приложения любой сложности. При этом высокие показатели IOPS (1.4 млн на запись и до 1.3 млн на чтение) делают накопитель отличным выбором не только для игровых систем, но и для задач, связанных с виртуализацией, потоковой обработкой данных и высоконагруженными сценариями. Буферная память объемом 2 ГБ (...DRAM) обеспечивает стабильную производительность при длительных сессиях работы, устраняя проблемы с замедлением, которые характерны для DRAM-less решений, особенно на QLC-платформе. Особое внимание заслуживает система охлаждения IRDM PRO GEN.5. Вместо массивных металлических радиаторов здесь применяется фирменная технология Graphreeze, представляющая собой улучшенный графеновый радиатор с высокой теплопроводностью. Он эффективно отводит тепло даже при максимальных нагрузках, сохраняя стабильную производительность без перегрева. Наработка на отказ составляет 1.6 млн часов, а пятилетняя гарантия производителя подчеркивает уверенность в надежности решения.
в списокмои списки
GOODRAM IRP-SSDPR-P54S-1K0-80
Тип
внутренний
Объем
1000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 5.0 4x
Контроллер
Phison PS5026-E26
Буферная память
2048 МБ / LPDDR4 /
Тип памяти
3D TLC NAND
NVMe
Внешняя скорость записи
9000 МБ/с
Внешняя скорость считывания
11500 МБ/с
Наработка на отказ
1.6 млн. ч
IOPS записи
1400 тыс
IOPS считывания
1300 тыс
TBW
700 ТБ
DWPD
0.4 раз/день
Гарантия производителя
5 лет
Охлаждение M.2
графеновый радиатор
Размеры
22x80x3.6 мм
Официальный сайт
goodram.com
Дата добавления на E-Katalog
ноябрь 2024

Топовый твердотельный накопитель нового поколения, построенный на базе интерфейса PCI-E 5.0, что сразу выделяет его среди большинства актуальных решений на рынке. Благодаря контроллеру Phison E26 и QLC-памяти нового поколения, модель обеспечивает скорость чтения до 11 500 МБ/с и записи до 9000 МБ/с, что практически вдвое превышает возможности самых быстрых Gen4 SSD. На практике это позволяет моментально загружать тяжелые проекты, работать с многогигабайтными файлами без задержек и запускать приложения любой сложности.

При этом высокие показатели IOPS (1.4 млн на запись и до 1.3 млн на чтение) делают накопитель отличным выбором не только для игровых систем, но и для задач, связанных с виртуализацией, потоковой обработкой данных и высоконагруженными сценариями. Буферная память объемом 2 ГБ (DRAM) обеспечивает стабильную производительность при длительных сессиях работы, устраняя проблемы с замедлением, которые характерны для DRAM-less решений, особенно на QLC-платформе.

Особое внимание заслуживает система охлаждения IRDM PRO GEN.5. Вместо массивных металлических радиаторов здесь применяется фирменная технология Graphreeze, представляющая собой улучшенный графеновый радиатор с высокой теплопроводностью. Он эффективно отводит тепло даже при максимальных нагрузках, сохраняя стабильную производительность без перегрева. Наработка на отказ составляет 1.6 млн часов, а пятилетняя гарантия производителя подчеркивает уверенность в надежности решения.

Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог GOODRAM 2025 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели GOODRAM.
Подбор по параметрам
Модели