Казахстан
Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   SSD-накопители

Сравнение Kingston NV1 SNVS/500G 500 ГБ vs Kingston KC2500 SKC2500M8/500G 500 ГБ

Добавить в сравнение
Kingston NV1 SNVS/500G 500 ГБ
Kingston KC2500 SKC2500M8/500G 500 ГБ
Kingston NV1 SNVS/500G 500 ГБKingston KC2500 SKC2500M8/500G 500 ГБ
от 20 160 тг.
Товар устарел
Сравнить цены 1
Отзывы
0
0
12
0
0
15
ТОП продавцы
Типвнутреннийвнутренний
Объем500 ГБ500 ГБ
Форм-факторM.2M.2
Интерфейс M.2PCI-E 3.0 4xPCI-E 3.0 4x
Технические хар-ки
КонтроллерPhison PS5013-E13-31Silicon Motion 2262EN
Тип памяти3D QLC NAND
3D TLC NAND /96-слойная/
NVMe
Внешняя скорость записи1700 МБ/с2500 МБ/с
Внешняя скорость считывания2100 МБ/с3500 МБ/с
Ударостойкость при работе1500 G1500 G
Наработка на отказ2 млн. ч
IOPS записи300 тыс
IOPS считывания375 тыс
TBW150 ТБ300 ТБ
DWPD0.3 раз/день0.3 раз/день
Гарантия производителя3 года5 лет
Общее
TRIM
Шифрование данных
Размеры22x80 мм22x80 мм
Вес7 г10 г
Дата добавления на E-Katalogмарт 2021май 2020

Контроллер

Модель контроллера, установленного в SSD-накопителе.

Контроллер представляет собой управляющую схему, которая, собственно, и обеспечивает обмен информацией между ячейками памяти и компьютером, к которой подключен накопитель. Возможности того или иного SSD-модуля (в частности, скорость чтения и записи) во многом зависят именно от этой схемы. Зная модель контроллера, можно найти подробные данные по нему и оценить возможности накопителя. Для несложного повседневного использования эта информация, как правило, не нужна, но вот профессионалам и энтузиастам (моддерам, оверклокерам) она может пригодиться.

В наше время высококлассные контроллеры выпускаются преимущественно под такими брендами: InnoGrit, Maxio, Phison, Realtek, Silicon Motion, Samsung.

Тип памяти

Тип основной памяти накопителя определяет особенности распределения информации по аппаратным ячейкам и физические особенности самих ячеек.

MLC. Память Multi Level Cell на основе многоярусных ячеек, каждая из которых содержит несколько уровней сигнала. В ячейках памяти MLC хранится по 2 бита информации. Имеет оптимальные показатели надёжности, энергопотребления и производительности. До недавних пор технология была популярна в SSD-модулях начального и среднего уровня, сейчас она постепенно вытесняется более совершенными вариантами на манер TLC или 3D MLC.

TLC. Эволюция технологии MLC. Один элемент флеш-памяти Triple Level Cell может хранить 3 бита информации. Подобная плотность записи несколько увеличивает вероятность возникновения ошибок по сравнению с MLC, кроме того, TLC-память считается менее долговечной. Положительной чертой характера данной технологии является доступная стоимость, а для повышения надёжности в SSD-накопителях с TLC-памятью могут применяться различные конструктивные ухищрения.

3D NAND. В структуре 3D NAND несколько слоев ячеек памяти размещаются вертикально, а между ними организованы взаимосвязи. Благодаря этому обеспечивается большая емкость хранилища данных без наращивания физических размеров накопителя и повышается производительность работы памяти за счет более коротких соединений для каждой ячейки памяти. В SSD-накопит...елях память 3D NAND может использовать чипы MLC, TLC или QLC — подробнее о них поведано в соответствующих пунктах справки.

3D MLC NAND. MLC-память многослойной структуры — её ячейки размещаются на плате не в один уровень, а в несколько «этажей». Как результат, производители добились повышения вместимости накопителей без заметного увеличения габаритов. Также для памяти 3D MLC NAND характерны более высокие показатели надёжности, чем в оригинальной MLC (см. соответствующий пункт), при меньшей стоимости производства.

3D TLC NAND. «Трёхмерная» модификация технологии TLC (см. соответствующий пункт) с размещением ячеек памяти на плате в несколько слоёв. Подобная компоновка позволяет добиться более высокой ёмкости при меньших размерах самих накопителей. В производстве такая память проще и дешевле однослойной.

3D QLC NAND. Тип-флеш памяти с четырёхуровневыми ячейками (Quad Level Cell), предусматривающий по 4 бита данных в каждой клетке. Технология призвана сделать SSD с большими объёмами массово доступными и окончательно отправить традиционные HDD в отставку. В конфигурации 3D QLC NAND память строится по «многоэтажной» схеме с размещением ячеек на плате в несколько слоёв. «Трёхмерная» структура удешевляет производство модулей памяти и позволяет увеличить объём накопителей без ущерба их массогабаритной составляющей.

3D XPoint. Принципиально новый тип памяти, кардинально отличающийся от традиционного NAND. В таких накопителях ячейки памяти и селекторы располагаются на пересечениях перпендикулярных рядов проводящих дорожек. Механизм записи информации в ячейки базируется на изменении сопротивления материала без использования транзисторов. Память 3D XPoint является простой и недорогой в производстве, к тому же она обеспечивает гораздо более высокие показатели скорости и долговечности. Приставка «3D» в названии технологии гласит о том, что ячейки на кристалле размещаются в несколько слоёв. Первое поколение 3D XPoint получило двухслойную структуру и выполнено по 20-нанометровому техпроцессу.

Внешняя скорость записи

Наибольшая скорость в режиме записи характеризует скорость, с которой модуль может принимать информацию с подключенного компьютера (или другого внешнего устройства). Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD.

Внешняя скорость считывания

Наибольшая скорость обмена данными с компьютером (или другим внешним устройством), которую накопитель может обеспечить в режиме считывания; проще говоря — наибольшая скорость вывода информации с накопителя на внешнее устройство. Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD. Ее значения могут варьироваться от 100 – 500 МБ/с в наиболее медленных моделях до 3 Гб/с и выше в самых продвинутых.

Наработка на отказ

Время наработки накопителя на отказ — время, которое он способен непрерывно проработать без сбоев и неполадок; иными словами — время работы, по истечении которого появляется высокая вероятность появления сбоев, а то и выхода модуля из строя.

Как правило, в характеристиках указывается некоторое среднее время, выведенное по результатам условного тестирования. Поэтому фактическое значение этого параметра может отличаться от заявленного в ту или иную сторону; однако на практике этого момент не является особо значимым. Дело в том, что для современных SSD время наработки на отказ исчисляется миллионами часов, а 1 млн часов соответствует более чем 110 годам — при этом речь идет именно о чистом времени работы. Так что с практической стороны долговечность накопителя чаще ограничивается более специфическими параметрами — TBW и DPWD (см. ниже); а гарантия производителя вообще не превышает нескольких лет. Впрочем, данные по наработке на отказ в часах могут также пригодиться при выборе: при прочих равных большее время означает бОльшую надежность и долговечность SSD в целом.

IOPS записи

Показатель IOPS, обеспечиваемый накопителем в режиме записи.

Термином IOPS обозначают наибольшее количество операций ввода-вывода, которое SSD-модуль может совершить за секунду, в данном случае — при записи данных. По этому показателю часто оценивают быстродействие накопителя; однако это далеко не всегда верно. Во-первых, значения IOPS у разных производителей могут замеряться по-разному — по максимальному значению, по среднему, по произвольной записи, по последовательной записи и т. п. Во-вторых, преимущества высоких IOPS становятся заметны лишь при некоторых специфических операциях — в частности, одновременном копировании большого количества файлов. Кроме того, на практике скорость работы накопителя может ограничиваться системой, к которой он подключен. В свете всего этого сравнивать по IOPS разные SSD-модули в целом допускается, однако реальная разница в быстродействии, скорее всего, будет не столь заметна, как разница в цифрах.

Что касается конкретных значений, то для режима записи с IOPS до 50 тыс. считается сравнительно скромным, 50 – 100 тыс. — средним, более 100 тыс. — высоким.

IOPS считывания

Показатель IOPS, обеспечиваемый накопителем в режиме считывания.

Термином IOPS обозначают наибольшее количество операций ввода-вывода, которое SSD-модуль может совершить за секунду, в данном случае — при чтении данных с него. По этом показателю часто оценивают быстродействие накопителя; однако это далеко не всегда верно. Во-первых, значения IOPS у разных производителей могут замеряться по-разному — по максимальному значению, по среднему и т. п. Во-вторых, преимущества высоких IOPS становятся заметны лишь при некоторых специфических операциях — в частности, одновременном копировании большого количества файлов. Кроме того, на практике скорость работы накопителя может ограничиваться системой, к которой он подключен. В свете всего этого сравнивать по IOPS разные SSD-модули в целом допускается, однако реальная разница в быстродействии, скорее всего, будет не столь заметна, как разница в цифрах.

Для современных SSD в режиме чтения значение IOPS менее 50 тыс. считается весьма скромным показателем, в большинстве моделей этот параметр лежит в пределах 50 – 100 тыс., однако встречаются и более высокие цифры.

TBW

Аббревиатурой TBW обозначают наработку накопителя на отказ, выраженную в терабайтах. Иными словами, это общее количество информации, которое гарантированно может быть записано (перезаписано) на данный модуль. Данный показатель позволяет оценить общую надежность и срок службы накопителя — чем выше TBW, тем дольше прослужит устройство, при прочих равных.

Отметим, что зная TBW и срок гарантии, можно вычислить количество перезаписей в день (DWPD, см. соответствующий пункт), если производитель не указал этих данных. Для этого нужно воспользоваться формулой: DWPD = TBW /(V*T*365), где V — емкость накопителя в терабайтах, T — срок гарантии (лет). Что же до конкретных цифр, то на рынке немало накопителей с относительно невысоким TBW — до 100 ТБ; даже таких значений нередко оказывается достаточно для повседневного использования в течение значительного времени. Впрочем, чаще встречаются модели с TBW на уровне 100 – 500 ТБ. Значения в 500 – 1000 ТБ можно отнести к категории «выше средней», а в наиболее надежных решениях этот показатель еще выше.

Гарантия производителя

Гарантия производителя, предусмотренная для данной модели.

Фактически это минимальный срок службы, обещанный производителем при условии соблюдения правил эксплуатации. Чаще всего фактический срок службы устройства оказывается заметно дольше гарантированного. Однако стоит учитывать, что гарантия нередко предусматривает дополнительные условия — например, «[столько-то лет] либо до исчерпания TBW» (подробнее о TBW см. выше).

Конкретные сроки гарантии могут быть разными даже у схожих накопителей одного производителя. Самые популярные варианты — 3 года и 5 лет, однако встречаются и другие цифры — до 10 лет в наиболее дорогих и высококлассных моделях.
Kingston NV1 часто сравнивают