SSD GOODRAM IRDM PRO GEN.2 IRP-SSDPR-S25C-512 512 ГБ
 | Товар устарел 69 588 тг. Производительный SATA3 SSD-накопитель емкостью 512 Гб в алюминиевом корпусе форм-фактора 2,5″ (толщина 7 мм). Представляет собой модель второго поколения из популярного семейства GOODRAM Iridium Pro 2019-го года. Позиционируется как продукт средней ценовой категории, предназначенный для использования в качестве системного накопителя в персональных компьютерах, ноутбуках, miniPC/HTPC-системах и рабочих станциях базового уровня. Подойдет для модернизации существующих конфигураций (замена HDD на SSD). В отличие от первого поколения Iridium Pro, в SSD-накопителе GOODRAM IRDM PRO GEN. 2 IRP-SSDPR-S25C-512 используется флеш-память TLC 3D NAND. Благодаря улучшенной полупроводниковой технологии и специальной методике исключения ошибок LDPC, такая память демонстрирует высокую надежность, сравнимую...с прежней MLC 3D NAND. Производительной аппаратной основой накопителя стал контроллер Phison PS3111-S12 с DDR3L DRAM-буфером объемом 512 Мб. Эта модель поддерживает эффективные алгоритмы аппаратной коррекции ошибок, технологию S.M.A.R.T., NCQ и корректно отрабатывает команду TRIM. Заявленный производителем гарантированный ресурс (TBW 438 Гб) эквивалентен ежедневной записи 120 Гб данных на протяжении 10 лет. |
 |
GOODRAM IRP-SSDPR-S25C-512 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Производительный SATA3 SSD-накопитель емкостью 512 Гб в алюминиевом корпусе форм-фактора 2,5″ (толщина 7 мм). Представляет собой модель второго поколения из популярного семейства GOODRAM Iridium Pro 2019-го года. Позиционируется как продукт средней ценовой категории, предназначенный для использования в качестве системного накопителя в персональных компьютерах, ноутбуках, miniPC/HTPC-системах и рабочих станциях базового уровня.
Подойдет для модернизации существующих конфигураций (замена HDD на SSD). В отличие от первого поколения Iridium Pro, в SSD-накопителе GOODRAM IRDM PRO GEN. 2 IRP-SSDPR-S25C-512 используется флеш-память TLC 3D NAND. Благодаря улучшенной полупроводниковой технологии и специальной методике исключения ошибок LDPC, такая память демонстрирует высокую надежность, сравнимую с прежней MLC 3D NAND.
Производительной аппаратной основой накопителя стал контроллер Phison PS3111-S12 с DDR3L DRAM-буфером объемом 512 Мб. Эта модель поддерживает эффективные алгоритмы аппаратной коррекции ошибок, технологию S.M.A.R.T., NCQ и корректно отрабатывает команду TRIM. Заявленный производителем гарантированный ресурс (TBW 438 Гб) эквивалентен ежедневной записи 120 Гб данных на протяжении 10 лет.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог GOODRAM 2025 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели GOODRAM.
Сравнил старый и новый. CrystalDiskMark.
Старый 87% заполнения.
Последовательное чтение 560, запись 538.
Случайное чтение 202, запись 172.
Новый (этот) 0% заполения.
Последовательное чтение 562, запись 537.
Случайное чтение 234, запись 212.
Старый от нового отличаются версиями чипсетов. В целом очень похожи.
Сравнивал обзоры с Самсунгами 870 и 860 EVO.
870 греется сильнее. 860 не помню или так же, или чуть теплее.
Последовательное чтение запись у Самсунгов слабее. Но рандомная выше.
Пожалуй, Самсунги будут чуть более производительными, но чуть дороже.