Сравнение A-Data Elite SE880 AELI-SE880-500GCGY 500 ГБ vs A-Data SE800 ASE800-512GU32G2-CBL 512 ГБ
Добавить в сравнение | ![]() | ![]() |
|---|---|---|
| A-Data Elite SE880 AELI-SE880-500GCGY 500 ГБ | A-Data SE800 ASE800-512GU32G2-CBL 512 ГБ | |
от 25 290 тг. | от 52 638 тг. | |
SE800 соответствует стандартам IEC IP68, что дает полную защиту от пыли и сохранение всех рабочих характеристик после 30 минут нахождения в воде на глубине 1.5 м. SE800 соответствует стандарту сопротивления ударной нагрузке MIL-STD-810G 516.6 и легко выдерживает случайные падения и удары. | ||
| Тип | внешний | внешний |
| Объем | 500 ГБ | 512 ГБ |
| Разъем | USB-C 20Gbps | USB-C 10Gbps |
Технические хар-ки | ||
| Тип памяти | 3D TLC NAND | |
| Внешняя скорость записи | 2000 МБ/с | 1000 МБ/с |
| Внешняя скорость считывания | 2000 МБ/с | 1000 МБ/с |
| Гарантия производителя | 5 лет | 3 года |
Общее | ||
| Кабель в комплекте | USB-C to USB-C и USB-C to USB-A | USB-C to USB-C и USB-C to USB-A |
| Ударостойкий корпус | ||
| Стандарт защиты MIL-STD-810 | ||
| Уровень защиты (IP) | IP68 | |
| Материал корпуса | пластик | пластик |
| Размеры | 65x35x12 мм | 73x44x12 мм |
| Вес | 31 г | 40 г |
| Цвет корпуса | ||
| Дата добавления на E-Katalog | октябрь 2022 | июнь 2020 |
Сравниваем A-Data Elite SE880 AELI-SE880-500GCGY и SE800 ASE800-512GU32G2-CBL
Возможно, вас заинтересует
Мои сравнения
Глоссарий
Объем
Номинальная емкость накопителя. Этот параметр напрямую определяет не только количество данных, которое может поместиться на устройство, но и его стоимость; многие модели SSD даже выпускаются в нескольких версиях, различающихся по вместимости. Поэтому при выборе стоит учитывать реальные потребности и особенности применения — иначе можно переплатить значительную сумму за не нужные на практике объемы.
Что касается фактических значений, то вместимость 120 ГБ и ниже в наше время считается небольшой. Сюда же можно приравнять и SSD на 240 ГБ. Средними значения уже считаются 500 ГБ, повышенными — 1 ТБ (в диапазон к которым попадают SSD на 400 и 800 ГБ). А наиболее емкие современные SSD вмещают 2 TБ, 4 TБ и даже более.
Что касается фактических значений, то вместимость 120 ГБ и ниже в наше время считается небольшой. Сюда же можно приравнять и SSD на 240 ГБ. Средними значения уже считаются 500 ГБ, повышенными — 1 ТБ (в диапазон к которым попадают SSD на 400 и 800 ГБ). А наиболее емкие современные SSD вмещают 2 TБ, 4 TБ и даже более.
Разъем
Разъем (разъемы) подключения, используемый (используемые) в накопителе. Отметим, что для наружных моделей (см. «Тип») здесь, как правило, указывается разъем на корпусе самого накопителя; возможность подключения к тому или иному гнезду на ПК (или другом устройстве) зависит в основном от наличия соответствующих кабелей. Исключение составляют модели с несъемным проводом и накопители-флешки — в них речь идет о штекере.
В некоторых форм-факторах — например, M.2 — используется собственный стандартный разъем, поэтому для таких моделей этот параметр не уточняется. В остальных же случаях разъемы можно условно разделить на внешние и внутренние — в зависимости от типа накопителей (см. выше). Во внутренних модулях, помимо того же M.2, можно встретить интерфейсы SATA 3, U.2 и SAS. Внешние устройства используют в основном разные виды USB — классический разъем USB-A (версии 5Gbps или 10Gbps) либо же USB-C (версии 5Gbps, 10Gbps, 20Gbps или USB4). Кроме того, встречаются решения с интерфейсом Thunderbolt (обычно версий v4 или v3). Рассмотрим эти варианты подробнее:
— SATA 3. Третья версия интерфейса SATA, обеспечиваю...щая скорость передачи данных до 5,9 Гбит/с (около 600 МБ/с). По меркам SSD такая скорость является невысокой, так как SATA изначально разрабатывался под жесткие диски и не предполагал использования с быстродействующей твердотельной памятью. Поэтому подобное подключение можно встретить преимущественно в бюджетных и устаревших внутренних накопителях.
— SAS. Стандарт, созданный как высокопроизводительное подключение для серверных систем. Несмотря на появление более продвинутых интерфейсов, все еще встречается и в наше время. Обеспечивает скорость передачи данных до 22,5 Гбит/с (2,8 ГБ/с), в зависимости от версии.
— U.2. Разъем, специально созданный для высококлассных внутренних накопителей в форм-факторе 2,5", преимущественно серверного назначения. Собственно, U.2 — это название специализированного форм-фактора (2,5", высота 15 мм), а разъем формально называется SFF-8639. Подключаются такие модули аналогично платам расширения PCI-E (по этой же шине), однако имеют более миниатюрные размеры и допускают горячую замену.
— U.3. Трехинтерфейсный разъем подключения, созданный на базе спецификации U.2 (см. соответствующий пункт) и использующий аналогичный коннектор SFF-8639. Разъем U.3 объединяет интерфейсы SAS, SATA и NVMe в одном контроллере, что позволяет подключать разные типы накопителей через один и тот же слот. В U.3 предусмотрены отдельные контакты для определения конкретного типа дисков. Спецификацию создали для внутренних накопителей форм-фактора 2.5". Такие модули имеют миниатюрные размеры, допускают горячую замену, поддерживают внешние управляющие импульсы.
— USB-A 5Gbps. Традиционный полноразмерный разъем USB-A, соответствующий версии 5Gbps. Эта версия (ранее известная как 3.2 gen1 или 3.0) обеспечивает скорость передачи данных до 4,8 Гбит/с. Она совместима с другими стандартами USB, разве что скорость подключения будет ограничена наиболее медленной версией.
— USB-A 10 Gbps. Традиционный полноразмерный разъем USB-A, соответствующий версии 10Gbps (ранее известной как 3.2 gen2 или просто 3.1). Работает на скоростях до 10 Гбит/с, в остальном по ключевым особенностям аналогичен описанному выше USB-A 5Gbps.
— USB-C 5Gbps. Разъем типа USB-C, поддерживающий версию подключения 5Gbps. Напомним, эта версия позволяет добиться скорости до 4,8 Гбит/с. А USB-C — относительно новый тип USB-разъема, имеющий небольшие размеры (чуть крупнее microUSB), симметричную овальную форму и двустороннюю конструкцию. Он особенно удобен для внешних SSD с учетом того, что такие накопители делаются все более миниатюрными.
— USB-C 10Gbps. Разъем типа USB-C, поддерживающий версию подключения 10Gbps — со скоростью передачи данных до 10 Гбит/с. Впрочем, такой накопитель сможет работать и с более медленными USB-портами — разве что скорость будет ограничена возможностями такого порта.
— USB-C 20Gbps. Разъем типа USB-C, поддерживающий версию подключения 20Gbps позволяет добиться скоростей до 20 Гбит/с.
— USB4. Высокоскоростная ревизия интерфейса USB, использующая только симметричные разъемы типа USB type C. Позволяет добиться скоростей передачи данных на уровне до 40 Гбит/с (в зависимости от технологий и стандартов, реализованных в конкретном порту). Интерфейс может поддерживать Thunderbolt v3 и v4, также он имеет обратную совместимость с предыдущими спецификациями USB, разве что для устройств с полноразмерным штекером USB A потребуется адаптер.
В некоторых форм-факторах — например, M.2 — используется собственный стандартный разъем, поэтому для таких моделей этот параметр не уточняется. В остальных же случаях разъемы можно условно разделить на внешние и внутренние — в зависимости от типа накопителей (см. выше). Во внутренних модулях, помимо того же M.2, можно встретить интерфейсы SATA 3, U.2 и SAS. Внешние устройства используют в основном разные виды USB — классический разъем USB-A (версии 5Gbps или 10Gbps) либо же USB-C (версии 5Gbps, 10Gbps, 20Gbps или USB4). Кроме того, встречаются решения с интерфейсом Thunderbolt (обычно версий v4 или v3). Рассмотрим эти варианты подробнее:
— SATA 3. Третья версия интерфейса SATA, обеспечиваю...щая скорость передачи данных до 5,9 Гбит/с (около 600 МБ/с). По меркам SSD такая скорость является невысокой, так как SATA изначально разрабатывался под жесткие диски и не предполагал использования с быстродействующей твердотельной памятью. Поэтому подобное подключение можно встретить преимущественно в бюджетных и устаревших внутренних накопителях.
— SAS. Стандарт, созданный как высокопроизводительное подключение для серверных систем. Несмотря на появление более продвинутых интерфейсов, все еще встречается и в наше время. Обеспечивает скорость передачи данных до 22,5 Гбит/с (2,8 ГБ/с), в зависимости от версии.
— U.2. Разъем, специально созданный для высококлассных внутренних накопителей в форм-факторе 2,5", преимущественно серверного назначения. Собственно, U.2 — это название специализированного форм-фактора (2,5", высота 15 мм), а разъем формально называется SFF-8639. Подключаются такие модули аналогично платам расширения PCI-E (по этой же шине), однако имеют более миниатюрные размеры и допускают горячую замену.
— U.3. Трехинтерфейсный разъем подключения, созданный на базе спецификации U.2 (см. соответствующий пункт) и использующий аналогичный коннектор SFF-8639. Разъем U.3 объединяет интерфейсы SAS, SATA и NVMe в одном контроллере, что позволяет подключать разные типы накопителей через один и тот же слот. В U.3 предусмотрены отдельные контакты для определения конкретного типа дисков. Спецификацию создали для внутренних накопителей форм-фактора 2.5". Такие модули имеют миниатюрные размеры, допускают горячую замену, поддерживают внешние управляющие импульсы.
— USB-A 5Gbps. Традиционный полноразмерный разъем USB-A, соответствующий версии 5Gbps. Эта версия (ранее известная как 3.2 gen1 или 3.0) обеспечивает скорость передачи данных до 4,8 Гбит/с. Она совместима с другими стандартами USB, разве что скорость подключения будет ограничена наиболее медленной версией.
— USB-A 10 Gbps. Традиционный полноразмерный разъем USB-A, соответствующий версии 10Gbps (ранее известной как 3.2 gen2 или просто 3.1). Работает на скоростях до 10 Гбит/с, в остальном по ключевым особенностям аналогичен описанному выше USB-A 5Gbps.
— USB-C 5Gbps. Разъем типа USB-C, поддерживающий версию подключения 5Gbps. Напомним, эта версия позволяет добиться скорости до 4,8 Гбит/с. А USB-C — относительно новый тип USB-разъема, имеющий небольшие размеры (чуть крупнее microUSB), симметричную овальную форму и двустороннюю конструкцию. Он особенно удобен для внешних SSD с учетом того, что такие накопители делаются все более миниатюрными.
— USB-C 10Gbps. Разъем типа USB-C, поддерживающий версию подключения 10Gbps — со скоростью передачи данных до 10 Гбит/с. Впрочем, такой накопитель сможет работать и с более медленными USB-портами — разве что скорость будет ограничена возможностями такого порта.
— USB-C 20Gbps. Разъем типа USB-C, поддерживающий версию подключения 20Gbps позволяет добиться скоростей до 20 Гбит/с.
— USB4. Высокоскоростная ревизия интерфейса USB, использующая только симметричные разъемы типа USB type C. Позволяет добиться скоростей передачи данных на уровне до 40 Гбит/с (в зависимости от технологий и стандартов, реализованных в конкретном порту). Интерфейс может поддерживать Thunderbolt v3 и v4, также он имеет обратную совместимость с предыдущими спецификациями USB, разве что для устройств с полноразмерным штекером USB A потребуется адаптер.
Тип памяти
Тип основной памяти накопителя определяет особенности распределения информации по аппаратным ячейкам и физические особенности самих ячеек.
— MLC. Память Multi Level Cell на основе многоярусных ячеек, каждая из которых содержит несколько уровней сигнала. В ячейках памяти MLC хранится по 2 бита информации. Имеет оптимальные показатели надёжности, энергопотребления и производительности. До недавних пор технология была популярна в SSD-модулях начального и среднего уровня, сейчас она постепенно вытесняется более совершенными вариантами на манер TLC или 3D MLC.
— TLC. Эволюция технологии MLC. Один элемент флеш-памяти Triple Level Cell может хранить 3 бита информации. Подобная плотность записи несколько увеличивает вероятность возникновения ошибок по сравнению с MLC, кроме того, TLC-память считается менее долговечной. Положительной чертой характера данной технологии является доступная стоимость, а для повышения надёжности в SSD-накопителях с TLC-памятью могут применяться различные конструктивные ухищрения.
— 3D NAND. В структуре 3D NAND несколько слоев ячеек памяти размещаются вертикально, а между ними организованы взаимосвязи. Благодаря этому обеспечивается большая емкость хранилища данных без наращивания физических размеров накопителя и повышается производительность работы памяти за счет более коротких соединений для каждой ячейки памяти. В SSD-накопит...елях память 3D NAND может использовать чипы MLC, TLC или QLC — подробнее о них поведано в соответствующих пунктах справки.
— 3D MLC NAND. MLC-память многослойной структуры — её ячейки размещаются на плате не в один уровень, а в несколько «этажей». Как результат, производители добились повышения вместимости накопителей без заметного увеличения габаритов. Также для памяти 3D MLC NAND характерны более высокие показатели надёжности, чем в оригинальной MLC (см. соответствующий пункт), при меньшей стоимости производства.
— 3D TLC NAND. «Трёхмерная» модификация технологии TLC (см. соответствующий пункт) с размещением ячеек памяти на плате в несколько слоёв. Подобная компоновка позволяет добиться более высокой ёмкости при меньших размерах самих накопителей. В производстве такая память проще и дешевле однослойной.
— 3D QLC NAND. Тип-флеш памяти с четырёхуровневыми ячейками (Quad Level Cell), предусматривающий по 4 бита данных в каждой клетке. Технология призвана сделать SSD с большими объёмами массово доступными и окончательно отправить традиционные HDD в отставку. В конфигурации 3D QLC NAND память строится по «многоэтажной» схеме с размещением ячеек на плате в несколько слоёв. «Трёхмерная» структура удешевляет производство модулей памяти и позволяет увеличить объём накопителей без ущерба их массогабаритной составляющей.
— 3D XPoint. Принципиально новый тип памяти, кардинально отличающийся от традиционного NAND. В таких накопителях ячейки памяти и селекторы располагаются на пересечениях перпендикулярных рядов проводящих дорожек. Механизм записи информации в ячейки базируется на изменении сопротивления материала без использования транзисторов. Память 3D XPoint является простой и недорогой в производстве, к тому же она обеспечивает гораздо более высокие показатели скорости и долговечности. Приставка «3D» в названии технологии гласит о том, что ячейки на кристалле размещаются в несколько слоёв. Первое поколение 3D XPoint получило двухслойную структуру и выполнено по 20-нанометровому техпроцессу.
— MLC. Память Multi Level Cell на основе многоярусных ячеек, каждая из которых содержит несколько уровней сигнала. В ячейках памяти MLC хранится по 2 бита информации. Имеет оптимальные показатели надёжности, энергопотребления и производительности. До недавних пор технология была популярна в SSD-модулях начального и среднего уровня, сейчас она постепенно вытесняется более совершенными вариантами на манер TLC или 3D MLC.
— TLC. Эволюция технологии MLC. Один элемент флеш-памяти Triple Level Cell может хранить 3 бита информации. Подобная плотность записи несколько увеличивает вероятность возникновения ошибок по сравнению с MLC, кроме того, TLC-память считается менее долговечной. Положительной чертой характера данной технологии является доступная стоимость, а для повышения надёжности в SSD-накопителях с TLC-памятью могут применяться различные конструктивные ухищрения.
— 3D NAND. В структуре 3D NAND несколько слоев ячеек памяти размещаются вертикально, а между ними организованы взаимосвязи. Благодаря этому обеспечивается большая емкость хранилища данных без наращивания физических размеров накопителя и повышается производительность работы памяти за счет более коротких соединений для каждой ячейки памяти. В SSD-накопит...елях память 3D NAND может использовать чипы MLC, TLC или QLC — подробнее о них поведано в соответствующих пунктах справки.
— 3D MLC NAND. MLC-память многослойной структуры — её ячейки размещаются на плате не в один уровень, а в несколько «этажей». Как результат, производители добились повышения вместимости накопителей без заметного увеличения габаритов. Также для памяти 3D MLC NAND характерны более высокие показатели надёжности, чем в оригинальной MLC (см. соответствующий пункт), при меньшей стоимости производства.
— 3D TLC NAND. «Трёхмерная» модификация технологии TLC (см. соответствующий пункт) с размещением ячеек памяти на плате в несколько слоёв. Подобная компоновка позволяет добиться более высокой ёмкости при меньших размерах самих накопителей. В производстве такая память проще и дешевле однослойной.
— 3D QLC NAND. Тип-флеш памяти с четырёхуровневыми ячейками (Quad Level Cell), предусматривающий по 4 бита данных в каждой клетке. Технология призвана сделать SSD с большими объёмами массово доступными и окончательно отправить традиционные HDD в отставку. В конфигурации 3D QLC NAND память строится по «многоэтажной» схеме с размещением ячеек на плате в несколько слоёв. «Трёхмерная» структура удешевляет производство модулей памяти и позволяет увеличить объём накопителей без ущерба их массогабаритной составляющей.
— 3D XPoint. Принципиально новый тип памяти, кардинально отличающийся от традиционного NAND. В таких накопителях ячейки памяти и селекторы располагаются на пересечениях перпендикулярных рядов проводящих дорожек. Механизм записи информации в ячейки базируется на изменении сопротивления материала без использования транзисторов. Память 3D XPoint является простой и недорогой в производстве, к тому же она обеспечивает гораздо более высокие показатели скорости и долговечности. Приставка «3D» в названии технологии гласит о том, что ячейки на кристалле размещаются в несколько слоёв. Первое поколение 3D XPoint получило двухслойную структуру и выполнено по 20-нанометровому техпроцессу.
Внешняя скорость записи
Наибольшая скорость в режиме записи характеризует скорость, с которой модуль может принимать информацию с подключенного компьютера (или другого внешнего устройства). Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD.
Внешняя скорость считывания
Наибольшая скорость обмена данными с компьютером (или другим внешним устройством), которую накопитель может обеспечить в режиме считывания; проще говоря — наибольшая скорость вывода информации с накопителя на внешнее устройство. Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD. Ее значения могут варьироваться от 100 – 500 МБ/с в наиболее медленных моделях до 3 Гб/с и выше в самых продвинутых.
Гарантия производителя
Гарантия производителя, предусмотренная для данной модели.
Фактически это минимальный срок службы, обещанный производителем при условии соблюдения правил эксплуатации. Чаще всего фактический срок службы устройства оказывается заметно дольше гарантированного. Однако стоит учитывать, что гарантия нередко предусматривает дополнительные условия — например, «[столько-то лет] либо до исчерпания TBW» (подробнее о TBW см. выше).
Конкретные сроки гарантии могут быть разными даже у схожих накопителей одного производителя. Самые популярные варианты — 3 года и 5 лет, однако встречаются и другие цифры — до 10 лет в наиболее дорогих и высококлассных моделях.
Фактически это минимальный срок службы, обещанный производителем при условии соблюдения правил эксплуатации. Чаще всего фактический срок службы устройства оказывается заметно дольше гарантированного. Однако стоит учитывать, что гарантия нередко предусматривает дополнительные условия — например, «[столько-то лет] либо до исчерпания TBW» (подробнее о TBW см. выше).
Конкретные сроки гарантии могут быть разными даже у схожих накопителей одного производителя. Самые популярные варианты — 3 года и 5 лет, однако встречаются и другие цифры — до 10 лет в наиболее дорогих и высококлассных моделях.
Ударостойкий корпус
Наличие в накопителе усиленной защиты от ударов и сотрясений.
SSD-модули сами по себе довольно устойчивы к ударам; данная же особенность указывается в том случае, если накопитель специально усилен в расчете на то, чтобы максимально противостоять падениям и другим «неприятностям». Ударостойкий корпус актуален в первую очередь для наружных моделей (см. «Тип»).
SSD-модули сами по себе довольно устойчивы к ударам; данная же особенность указывается в том случае, если накопитель специально усилен в расчете на то, чтобы максимально противостоять падениям и другим «неприятностям». Ударостойкий корпус актуален в первую очередь для наружных моделей (см. «Тип»).
Стандарт защиты MIL-STD-810
Соответствие диска стандарту защиты MIL-STD-810.
Первоначально — это набор спецификаций, который устанавливает определённые уровни защиты электрообуродования от факторов внешней среды. Стандарт разрабатывался с целью проверки военного оборудования для армии США на предмет сохранения работоспособности в различных неблагоприятных условиях. Он предъявляет к испытуемым довольно жёсткие требования: проверяется уровень прочности изделия к ударам при падениях и встрясках, проводятся тесты на вибрационное воздействие, испытывается работа устройства в широком температурном диапазоне, под дождем, в тумане, под воздействием песка, пыли и т.п. Однако лычка MIL-STD-810 в «гражданских» изделиях не всегда означает наивысшую степень защиты. Это обуславливается отсутствием строгой регламентации проведения тестов. Так, самые хитроумные вендоры тестируют испытуемые гаджеты буквально по одному-двум пунктам программы из обширного перечня и часто намеренно не распространяются о том, какие именно тесты были пройдены. Соответственно, конкретные особенности такой защиты остаются достоверно неизвестными. Стандарт действует с 1962 года. Каждый новый его вариант обозначается буквой латинского алфавита в конце. Чем дальше буква по алфавиту, тем современнее версия сертификата. С 2008 года повсеместно действует спецификация MIL-STD-810G, а в 2019 году была утверждена новая редакция стандарта MIL-STD-810H.
Первоначально — это набор спецификаций, который устанавливает определённые уровни защиты электрообуродования от факторов внешней среды. Стандарт разрабатывался с целью проверки военного оборудования для армии США на предмет сохранения работоспособности в различных неблагоприятных условиях. Он предъявляет к испытуемым довольно жёсткие требования: проверяется уровень прочности изделия к ударам при падениях и встрясках, проводятся тесты на вибрационное воздействие, испытывается работа устройства в широком температурном диапазоне, под дождем, в тумане, под воздействием песка, пыли и т.п. Однако лычка MIL-STD-810 в «гражданских» изделиях не всегда означает наивысшую степень защиты. Это обуславливается отсутствием строгой регламентации проведения тестов. Так, самые хитроумные вендоры тестируют испытуемые гаджеты буквально по одному-двум пунктам программы из обширного перечня и часто намеренно не распространяются о том, какие именно тесты были пройдены. Соответственно, конкретные особенности такой защиты остаются достоверно неизвестными. Стандарт действует с 1962 года. Каждый новый его вариант обозначается буквой латинского алфавита в конце. Чем дальше буква по алфавиту, тем современнее версия сертификата. С 2008 года повсеместно действует спецификация MIL-STD-810G, а в 2019 году была утверждена новая редакция стандарта MIL-STD-810H.
Уровень защиты (IP)
Уровень защиты позволяет понять, как сильно устройство защищено от воздействия пыли и влаги. Достигается это за счет герметичности корпуса, дополнительных резиновых прокладок и естественно отображается в цифрах — к примеру IP67 (такой уровень защиты говорит о водонепроницаемости SSD). Первая цифра говорит о защите от пыли, вторая же повествует о влагозащите. Теперь подробней о возможных цифрах.
Пылезащита:
5 — пылеустойчивость (пыль может попасть внутрь в незначительных количествах, не влияющих на работу аппарата);
6 — пылезащита (пыль не проникает внутрь).
Влагозащита:
5 — защита от водяных струй с любого направления (ливни, бури).
7 — возможность кратковременного погружения под воду на незначительную глубину (до 1 м).
8 — возможность длительного (30 мин и более) погружения на глубину более 1 м. Но конкретные ограничения по глубине и времени могут быть разными.
Пылезащита:
5 — пылеустойчивость (пыль может попасть внутрь в незначительных количествах, не влияющих на работу аппарата);
6 — пылезащита (пыль не проникает внутрь).
Влагозащита:
5 — защита от водяных струй с любого направления (ливни, бури).
7 — возможность кратковременного погружения под воду на незначительную глубину (до 1 м).
8 — возможность длительного (30 мин и более) погружения на глубину более 1 м. Но конкретные ограничения по глубине и времени могут быть разными.

