Казахстан
Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Samsung DDR4 1x4Gb M378A5244CB0-CRC vs AMD R7 Performance DDR4 1x4Gb R744G2400U1S

Добавить в сравнение
Samsung DDR4 1x4Gb M378A5244CB0-CRC
AMD R7 Performance DDR4 1x4Gb R744G2400U1S
Samsung DDR4 1x4Gb M378A5244CB0-CRCAMD R7 Performance DDR4 1x4Gb R744G2400U1S
от 10 621 тг.
Товар устарел
Сравнить цены 3
Отзывы
0
0
11
ТОП продавцы
Главное
Хорошая совместимость с процессорами AMD Ryzen. Высокий разгонный потенциал.
Объем памяти комплекта4 ГБ4 ГБ
Кол-во планок в комплекте1 шт1 шт
Форм-фактор памятиDIMMDIMM
Тип памятиDDR4DDR4
Ранг памятиодноранговая
Характеристики
Тактовая частота2400 МГц2400 МГц
Пропускная способность19200 МБ/с19200 МБ/с
CAS-латентностьCL17CL15
Схема таймингов памяти17-17-1715-15-15-36
Рабочее напряжение1.2 В1.2 В
Тип охлаждениябез охлаждениярадиатор
Профиль планкистандартныйстандартный
Дополнительно
 
 
 
серия для разгона (overclocking)
поддержка XMP
поддержка AMP
Дата добавления на E-Katalogфевраль 2017февраль 2015

Ранг памяти

Количество рангов, предусмотренное в планке памяти.

Рангом в данном случае называют один логический модуль — набор микросхем с общей разрядностью в 64 бита. Если рангов больше одного — это значит, что на одном физическом модуле реализовано несколько логических, а канал передачи данных они используют попеременно. Подобная конструкция используется для того, чтобы добиться больших объемов RAM при ограниченном количестве слотов под отдельные планки. При этом стоит сказать, что для бытовых компьютеров на ранг памяти можно не обращать особого внимания — точнее, для них вполне достаточно одноранговых модулей. А вот для серверов и мощных рабочих станций выпускаются двух-, четырех- и даже восьмиранговые решения.

Отметим, что при прочих равных большее число рангов позволяет добиться больших объемов, однако требует большей вычислительной мощности и повышает нагрузку на систему.

CAS-латентность

Под данным термином подразумевают время (точнее, количество циклов работы памяти), которое проходит от запроса процессора на чтение данных до предоставления доступа к первой из ячеек, содержащих выбранные данные. CAS-латентность является одним из таймингов (подробнее о них см п. «Схема таймингов памяти», там этот параметр обозначен как CL) — а значит, она влияет на быстродействие: чем ниже CAS, тем быстрее работает данный модуль памяти. Правда, это справедливо лишь для одной и той же тактовой частоты (подробнее см. там же).

Сейчас на рынке представлены модули памяти с такими значениями CAS-латентности: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24, 30, 32, 36, 38, 40, 42, 46.

Схема таймингов памяти

Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где

CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;

Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;

Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.

Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.

Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.

Тип охлаждения

Тип охлаждения, предусмотренный в конструкции оперативной памяти.

Без охлаждения. Отсутствие специального охлаждения характерно для модулей памяти с небольшой и средней мощностью — они выделяют не так много тепла, чтобы его нужно было специально отводить.

— Радиатор. Приспособление в виде металлической конструкции с характерной ребристой поверхностью — такая форма увеличивает площадь соприкосновения с воздухом, что, в свою очередь, улучшает теплоотдачу. Простейшая разновидность систем охлаждения, по эффективности уступает радиатору с кулером и тем более водяному контуру (см. ниже), зато не создает шума, не потребляет лишней энергии и не требует подключения дополнительного питания или трубок. А упомянутой эффективности бывает достаточно даже для довольно мощных модулей RAM.

— Радиатор с кулером. Радиаторное охлаждение (см. выше), дополненное блоком с вентилятором (вентиляторами) для принудительной циркуляции воздуха. Такое дополнение заметно повышает эффективность радиатора, оно может применяться даже в довольно мощных комплектах RAM. С другой стороны, вентилятор создает шум при работе и заметно увеличивает энергопотребление.

— Водяное охлаждение. Охлаждение в виде жидкостного теплообменника, подключаемого к контуру водяного охлаждения компьютерной системы. Отличительно внешней особенностью такого охлаждения являются два характерных...патрубка. Водяные системы очень эффективны и подходят даже для самых мощных и «горячих» планок, однако сложны в подключении и требуют недешевого внешнего оборудования, а потому применяются в основном среди топовых моделей RAM, в которых без такого охлаждения в принципе не обойтись. Отметим, что некоторые из таких моделей допускают работу и «насухую», без воды, однако это не рекомендуется — на высоких нагрузках могут возникнуть сбои.

— Жидкостно-воздушное. В соответствии с названием, данный вариант предполагает использование сразу двух типов охлаждения — воздушного (радиатора) и водяного. О том и другом см. выше, однако стоит отметить, что водяное охлаждение в данном случае может предусматриваться в несколько «урезанном» виде — не в виде патрубков для подключения к общему контуру охлаждения, а в виде герметичной капсулы с теплопроводящей жидкостью. В эффективности такие системы, разумеется, заметно проигрывают классическим жидкостным — зато они не требуют сложного подключения; а капсула так или иначе улучшает эффективность работы радиатора, да и смотрится необычно.

Дополнительно

— Серия для разгона (overclocking). Принадлежность к подобной серии означает, что производитель изначально предусмотрел в модуле возможность разгона («оверклокинга») — то есть повышения производительности за счет изменения параметров работы, в частности, увеличения рабочего напряжения и тактовой частоты. «Разогнать» можно и обычную память, не относящуюся к оверклокерской — однако это сложно и чревато сбоями, вплоть до полного перегорания схем, тогда как в специализированных сериях разгон является документированной функцией, реализуется быстро и просто, к тому же чаще всего покрывается гарантией.

Поддержка XMP. Совместимость модуля памяти с технологией XMP. Данная технология, созданная компанией Intel, применяется для разгона (см. соответствующий пункт). Ее ключевой принцип заключается в том, что в модуле памяти записаны определенные профили разгона — наборы настроек, проверенные на стабильность работы; и вместо того, чтобы вручную выставлять отдельные параметры, пользователю достаточно выбрать один из профилей. Это упрощает настройку системы и в то же время повышает ее надежность при разгоне. Однако стоит учитывать, что для использования XMP ее должна поддерживать не только память, но и материнская плата.

— Поддержка AMP. Совместимость модуля памяти с технологией AMP. По основным особенностям данная технология полностью аналогична описанной выше XMP и о...тличается лишь создателем — в данном случае это компания AMD.

Поддержка EXPO. Совместимость модуля памяти с технологией EXPO (Extended Profiles for Overclocking). Ее создали в компании AMD спецом для разгона планок DDR5 в составе систем Ryzen 7000. По своей сути, это заводской набор профилей оперативной памяти, который упрощает разгон «оперативки». Использование технологии позволяет повысить производительность в играх примерно на 11 % при разрешении транслируемого изображения Full HD.

Поддержка буферизации (Registered). Наличие у модуля памяти т.н. буфера — раздела для быстрого сохранения поступивших данных — между контроллером памяти (управляющим устройством) и собственно чипами (запоминающими устройствами). Такая схема снижает нагрузку на контроллер, за счёт чего достигается более высокая надёжность; с другой стороны, буферизованные модули имеют слегка пониженное быстродействие вследствие задержки при передаче информации через буфер. Буферизованная память применяется в основном в серверных системах и отличается высокой стоимостью. При выборе памяти стоит учитывать, что в одной системе может использоваться либо только буферизованная, либо только небуферизованная память; совместить эти два типа памяти невозможно.

Поддержка ECC. ECC (Error Checking and Correction) — технология, позволяющая исправлять мелкие ошибки, возникающие в процессе работы с данными. Для использования ECC необходимо, чтобы она поддерживалась не только модулем памяти, но и материнской платой; в основном такая поддержка применяется в серверах, однако встречается и в «материнках» для обычных десктопов.
Samsung DDR4 1x4Gb часто сравнивают
AMD R7 Performance DDR4 1x4Gb часто сравнивают