Тёмная версия
Казахстан
Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   SSD-накопители

Сравнение Samsung 960 PRO M.2 MZ-V6P512BW 512 ГБ vs Samsung 960 EVO M.2 MZ-V6E500BW 500 ГБ

Добавить в сравнение
Samsung 960 PRO M.2 MZ-V6P512BW 512 ГБ
Samsung 960 EVO M.2 MZ-V6E500BW 500 ГБ
Samsung 960 PRO M.2 MZ-V6P512BW 512 ГБSamsung 960 EVO M.2 MZ-V6E500BW 500 ГБ
от 124 710 тг.
Товар устарел
от 101 125 тг.
Товар устарел
Отзывы
0
0
0
1
Главное
Поддержка AES 256 шифрования. Поддержка NVMe.
Поддержка AES 256 шифрования. Поддержка NVMe.
Типвнутреннийвнутренний
Объем512 ГБ500 ГБ
Форм-факторM.2M.2
Интерфейс M.2PCI-E 3.0 4xPCI-E 3.0 4x
Технические хар-ки
КонтроллерSamsung PolarisSamsung Polaris
Буферная память512 МБ512 МБ
Тип памяти3D MLC NAND3D TLC NAND
NVMe
Внешняя скорость записи2100 МБ/с1800 МБ/с
Внешняя скорость считывания3500 МБ/с3200 МБ/с
Ударостойкость при работе1500 G1500 G
Наработка на отказ1.5 млн. ч1.5 млн. ч
IOPS записи330 тыс330 тыс
IOPS считывания330 тыс330 тыс
TBW400 ТБ200 ТБ
DWPD0.4 раз/день0.4 раз/день
Гарантия производителя5 лет3 года
Общее
TRIM
Размеры22x80 мм22x80 мм
Вес9 г8 г
Дата добавления на E-Katalogмарт 2017март 2017

Объем

Номинальная емкость накопителя. Этот параметр напрямую определяет не только количество данных, которое может поместиться на устройство, но и его стоимость; многие модели SSD даже выпускаются в нескольких версиях, различающихся по вместимости. Поэтому при выборе стоит учитывать реальные потребности и особенности применения — иначе можно переплатить значительную сумму за не нужные на практике объемы.

Что касается фактических значений, то вместимость 120 ГБ и ниже в наше время считается небольшой. Сюда же можно приравнять и SSD на 240 ГБ. Средними значения уже считаются 500 ГБ, повышенными — 1 ТБ (в диапазон к которым попадают SSD на 400 и 800 ГБ). А наиболее емкие современные SSD вмещают 2 TБ, 4 TБ и даже более.

Тип памяти

Тип основной памяти накопителя определяет особенности распределения информации по аппаратным ячейкам и физические особенности самих ячеек.

MLC. Память Multi Level Cell на основе многоярусных ячеек, каждая из которых содержит несколько уровней сигнала. В ячейках памяти MLC хранится по 2 бита информации. Имеет оптимальные показатели надёжности, энергопотребления и производительности. До недавних пор технология была популярна в SSD-модулях начального и среднего уровня, сейчас она постепенно вытесняется более совершенными вариантами на манер TLC или 3D MLC.

TLC. Эволюция технологии MLC. Один элемент флеш-памяти Triple Level Cell может хранить 3 бита информации. Подобная плотность записи несколько увеличивает вероятность возникновения ошибок по сравнению с MLC, кроме того, TLC-память считается менее долговечной. Положительной чертой характера данной технологии является доступная стоимость, а для повышения надёжности в SSD-накопителях с TLC-памятью могут применяться различные конструктивные ухищрения.

3D NAND. В структуре 3D NAND несколько слоев ячеек памяти размещаются вертикально, а между ними организованы взаимосвязи. Благодаря этому обеспечивается большая емкость хранилища данных без наращивания физических размеров накопителя и повышается производительность работы памяти за счет более коротких соединений для каждой ячейки памяти. В SSD-накопит...елях память 3D NAND может использовать чипы MLC, TLC или QLC — подробнее о них поведано в соответствующих пунктах справки.

3D MLC NAND. MLC-память многослойной структуры — её ячейки размещаются на плате не в один уровень, а в несколько «этажей». Как результат, производители добились повышения вместимости накопителей без заметного увеличения габаритов. Также для памяти 3D MLC NAND характерны более высокие показатели надёжности, чем в оригинальной MLC (см. соответствующий пункт), при меньшей стоимости производства.

3D TLC NAND. «Трёхмерная» модификация технологии TLC (см. соответствующий пункт) с размещением ячеек памяти на плате в несколько слоёв. Подобная компоновка позволяет добиться более высокой ёмкости при меньших размерах самих накопителей. В производстве такая память проще и дешевле однослойной.

3D QLC NAND. Тип-флеш памяти с четырёхуровневыми ячейками (Quad Level Cell), предусматривающий по 4 бита данных в каждой клетке. Технология призвана сделать SSD с большими объёмами массово доступными и окончательно отправить традиционные HDD в отставку. В конфигурации 3D QLC NAND память строится по «многоэтажной» схеме с размещением ячеек на плате в несколько слоёв. «Трёхмерная» структура удешевляет производство модулей памяти и позволяет увеличить объём накопителей без ущерба их массогабаритной составляющей.

3D XPoint. Принципиально новый тип памяти, кардинально отличающийся от традиционного NAND. В таких накопителях ячейки памяти и селекторы располагаются на пересечениях перпендикулярных рядов проводящих дорожек. Механизм записи информации в ячейки базируется на изменении сопротивления материала без использования транзисторов. Память 3D XPoint является простой и недорогой в производстве, к тому же она обеспечивает гораздо более высокие показатели скорости и долговечности. Приставка «3D» в названии технологии гласит о том, что ячейки на кристалле размещаются в несколько слоёв. Первое поколение 3D XPoint получило двухслойную структуру и выполнено по 20-нанометровому техпроцессу.

Внешняя скорость записи

Наибольшая скорость в режиме записи характеризует скорость, с которой модуль может принимать информацию с подключенного компьютера (или другого внешнего устройства). Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD.

Внешняя скорость считывания

Наибольшая скорость обмена данными с компьютером (или другим внешним устройством), которую накопитель может обеспечить в режиме считывания; проще говоря — наибольшая скорость вывода информации с накопителя на внешнее устройство. Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD. Ее значения могут варьироваться от 100 – 500 МБ/с в наиболее медленных моделях до 3 Гб/с и выше в самых продвинутых.

TBW

Аббревиатурой TBW обозначают наработку накопителя на отказ, выраженную в терабайтах. Иными словами, это общее количество информации, которое гарантированно может быть записано (перезаписано) на данный модуль. Данный показатель позволяет оценить общую надежность и срок службы накопителя — чем выше TBW, тем дольше прослужит устройство, при прочих равных.

Отметим, что зная TBW и срок гарантии, можно вычислить количество перезаписей в день (DWPD, см. соответствующий пункт), если производитель не указал этих данных. Для этого нужно воспользоваться формулой: DWPD = TBW /(V*T*365), где V — емкость накопителя в терабайтах, T — срок гарантии (лет). Что же до конкретных цифр, то на рынке немало накопителей с относительно невысоким TBW — до 100 ТБ; даже таких значений нередко оказывается достаточно для повседневного использования в течение значительного времени. Впрочем, чаще встречаются модели с TBW на уровне 100 – 500 ТБ. Значения в 500 – 1000 ТБ можно отнести к категории «выше средней», а в наиболее надежных решениях этот показатель еще выше.

Гарантия производителя

Гарантия производителя, предусмотренная для данной модели.

Фактически это минимальный срок службы, обещанный производителем при условии соблюдения правил эксплуатации. Чаще всего фактический срок службы устройства оказывается заметно дольше гарантированного. Однако стоит учитывать, что гарантия нередко предусматривает дополнительные условия — например, «[столько-то лет] либо до исчерпания TBW» (подробнее о TBW см. выше).

Конкретные сроки гарантии могут быть разными даже у схожих накопителей одного производителя. Самые популярные варианты — 3 года и 5 лет, однако встречаются и другие цифры — до 10 лет в наиболее дорогих и высококлассных моделях.
Samsung 960 PRO M.2 часто сравнивают
Samsung 960 EVO M.2 часто сравнивают