Сравнение Lexar ES3 LES3XXX001T-RNSNG 1 TB vs GOODRAM HX200 SSDPR-HX200-2K0-RG 2 TB

Объем памяти показывает, сколько данных можно хранить на диске, включая операционную систему, программы, игры, фото, видео и рабочие файлы. По сравнению с жесткими дисками SSD дает более высокую скорость работы, поэтому система и приложения открываются заметно быстрее.

Таким образом, накопитель на 256 ГБ часто берут под базовый набор программ, 512 ГБ и уже 1 ТБ считаются более универсальным вариантом, а 2 ТБ, 4 ТБ и выше лучше подходят тем, кто хранит много тяжелых файлов. Поэтому объем памяти SSD стоит выбирать с запасом, чтобы позже не столкнуться с постоянной нехваткой свободного места.

Разъем (разъемы) подключения, используемый (используемые) в накопителе. Отметим, что для наружных моделей (см. «Тип») здесь, как правило, указывается разъем на корпусе самого накопителя; возможность подключения к тому или иному гнезду на ПК (или другом устройстве) зависит в основном от наличия соответствующих кабелей. Исключение составляют модели с несъемным проводом и накопители-флешки — в них речь идет о штекере.

В некоторых форм-факторах — например, M.2 — используется собственный стандартный разъем, поэтому для таких моделей этот параметр не уточняется. В остальных же случаях разъемы можно условно разделить на внешние и внутренние — в зависимости от типа накопителей (см. выше). Во внутренних модулях, помимо того же M.2, можно встретить интерфейсы SATA 3, U.2 и SAS. Внешние устройства используют в основном разные виды USB — классический разъем USB-A (версии 5Gbps или 10Gbps) либо же USB-C (версии 5Gbps, 10Gbps, 20Gbps или USB4). Кроме того, встречаются решения с интерфейсом Thunderbolt (обычно версий v4 или v3). Рассмотрим эти варианты подробнее:

— SATA 3. Третья версия интерфейса SATA, обеспечиваю...щая скорость передачи данных до 5,9 Гбит/с (около 600 МБ/с). По меркам SSD такая скорость является невысокой, так как SATA изначально разрабатывался под жесткие диски и не предполагал использования с быстродействующей твердотельной памятью. Поэтому подобное подключение можно встретить преимущественно в бюджетных и устаревших внутренних накопителях.

— SAS. Стандарт, созданный как высокопроизводительное подключение для серверных систем. Несмотря на появление более продвинутых интерфейсов, все еще встречается и в наше время. Обеспечивает скорость передачи данных до 22,5 Гбит/с (2,8 ГБ/с), в зависимости от версии.

— U.2. Разъем, специально созданный для высококлассных внутренних накопителей в форм-факторе 2,5", преимущественно серверного назначения. Собственно, U.2 — это название специализированного форм-фактора (2,5", высота 15 мм), а разъем формально называется SFF-8639. Подключаются такие модули аналогично платам расширения PCI-E (по этой же шине), однако имеют более миниатюрные размеры и допускают горячую замену.

— U.3. Трехинтерфейсный разъем подключения, созданный на базе спецификации U.2 (см. соответствующий пункт) и использующий аналогичный коннектор SFF-8639. Разъем U.3 объединяет интерфейсы SAS, SATA и NVMe в одном контроллере, что позволяет подключать разные типы накопителей через один и тот же слот. В U.3 предусмотрены отдельные контакты для определения конкретного типа дисков. Спецификацию создали для внутренних накопителей форм-фактора 2.5". Такие модули имеют миниатюрные размеры, допускают горячую замену, поддерживают внешние управляющие импульсы.

— USB-A 5Gbps. Традиционный полноразмерный разъем USB-A, соответствующий версии 5Gbps. Эта версия (ранее известная как 3.2 gen1 или 3.0) обеспечивает скорость передачи данных до 4,8 Гбит/с. Она совместима с другими стандартами USB, разве что скорость подключения будет ограничена наиболее медленной версией.

— USB-A 10 Gbps. Традиционный полноразмерный разъем USB-A, соответствующий версии 10Gbps (ранее известной как 3.2 gen2 или просто 3.1). Работает на скоростях до 10 Гбит/с, в остальном по ключевым особенностям аналогичен описанному выше USB-A 5Gbps.

— USB-C 5Gbps. Разъем типа USB-C, поддерживающий версию подключения 5Gbps. Напомним, эта версия позволяет добиться скорости до 4,8 Гбит/с. А USB-C — относительно новый тип USB-разъема, имеющий небольшие размеры (чуть крупнее microUSB), симметричную овальную форму и двустороннюю конструкцию. Он особенно удобен для внешних SSD с учетом того, что такие накопители делаются все более миниатюрными.

— USB-C 10Gbps. Разъем типа USB-C, поддерживающий версию подключения 10Gbps — со скоростью передачи данных до 10 Гбит/с. Впрочем, такой накопитель сможет работать и с более медленными USB-портами — разве что скорость будет ограничена возможностями такого порта.

— USB-C 20Gbps. Разъем типа USB-C, поддерживающий версию подключения 20Gbps позволяет добиться скоростей до 20 Гбит/с.



— USB4. Высокоскоростная ревизия интерфейса USB, использующая только симметричные разъемы типа USB type C. Позволяет добиться скоростей передачи данных на уровне до 40 Гбит/с (в зависимости от технологий и стандартов, реализованных в конкретном порту). Интерфейс может поддерживать Thunderbolt v3 и v4, также он имеет обратную совместимость с предыдущими спецификациями USB, разве что для устройств с полноразмерным штекером USB A потребуется адаптер.

Тип основной памяти накопителя определяет особенности распределения информации по аппаратным ячейкам и физические особенности самих ячеек.

— MLC. Память Multi Level Cell на основе многоярусных ячеек, каждая из которых содержит несколько уровней сигнала. В ячейках памяти MLC хранится по 2 бита информации. Имеет оптимальные показатели надёжности, энергопотребления и производительности. До недавних пор технология была популярна в SSD-модулях начального и среднего уровня, сейчас она постепенно вытесняется более совершенными вариантами на манер TLC или 3D MLC.

— TLC. Эволюция технологии MLC. Один элемент флеш-памяти Triple Level Cell может хранить 3 бита информации. Подобная плотность записи несколько увеличивает вероятность возникновения ошибок по сравнению с MLC, кроме того, TLC-память считается менее долговечной. Положительной чертой характера данной технологии является доступная стоимость, а для повышения надёжности в SSD-накопителях с TLC-памятью могут применяться различные конструктивные ухищрения.

— 3D NAND. В структуре 3D NAND несколько слоев ячеек памяти размещаются вертикально, а между ними организованы взаимосвязи. Благодаря этому обеспечивается большая емкость хранилища данных без наращивания физических размеров накопителя и повышается производительность работы памяти за счет более коротких соединений для каждой ячейки памяти. В SSD-накопит...елях память 3D NAND может использовать чипы MLC, TLC или QLC — подробнее о них поведано в соответствующих пунктах справки.

— 3D MLC NAND. MLC-память многослойной структуры — её ячейки размещаются на плате не в один уровень, а в несколько «этажей». Как результат, производители добились повышения вместимости накопителей без заметного увеличения габаритов. Также для памяти 3D MLC NAND характерны более высокие показатели надёжности, чем в оригинальной MLC (см. соответствующий пункт), при меньшей стоимости производства.

— 3D TLC NAND. «Трёхмерная» модификация технологии TLC (см. соответствующий пункт) с размещением ячеек памяти на плате в несколько слоёв. Подобная компоновка позволяет добиться более высокой ёмкости при меньших размерах самих накопителей. В производстве такая память проще и дешевле однослойной.

— 3D QLC NAND. Тип-флеш памяти с четырёхуровневыми ячейками (Quad Level Cell), предусматривающий по 4 бита данных в каждой клетке. Технология призвана сделать SSD с большими объёмами массово доступными и окончательно отправить традиционные HDD в отставку. В конфигурации 3D QLC NAND память строится по «многоэтажной» схеме с размещением ячеек на плате в несколько слоёв. «Трёхмерная» структура удешевляет производство модулей памяти и позволяет увеличить объём накопителей без ущерба их массогабаритной составляющей.

— 3D XPoint. Принципиально новый тип памяти, кардинально отличающийся от традиционного NAND. В таких накопителях ячейки памяти и селекторы располагаются на пересечениях перпендикулярных рядов проводящих дорожек. Механизм записи информации в ячейки базируется на изменении сопротивления материала без использования транзисторов. Память 3D XPoint является простой и недорогой в производстве, к тому же она обеспечивает гораздо более высокие показатели скорости и долговечности. Приставка «3D» в названии технологии гласит о том, что ячейки на кристалле размещаются в несколько слоёв. Первое поколение 3D XPoint получило двухслойную структуру и выполнено по 20-нанометровому техпроцессу.

Поддержка накопителем технологии NVMe.

NVMe представляет собой протокол обмена данными, разработанный специально для SSD-модулей и применяемый при подключении по шине PCI-E. Этот протокол был разработан для устранения недостатков, характерных для более ранних стандартов подключения (вроде SCSI или SATA) — прежде всего невысокой скорости, не позволявшей реализовать все возможности твердотельной памяти. NVMe учитывает ключевые достоинства SSD — независимый доступ, многопоточность и низкие задержки. Поддержка этого протокола встроена во все основные современные операционные системы, он работает не только через оригинальный интерфейс PCIe, но и через M.2 (см. «Форм-фактор»). А разъем U.2 вообще был создан специально для SSD-накопителей с NVMe (хотя наличие этого разъема само по себе еще не означает совместимости с данным протоколом).

Наибольшая скорость в режиме записи характеризует скорость, с которой модуль может принимать информацию с подключенного компьютера (или другого внешнего устройства). Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD.

Наибольшая скорость обмена данными с компьютером (или другим внешним устройством), которую накопитель может обеспечить в режиме считывания; проще говоря — наибольшая скорость вывода информации с накопителя на внешнее устройство. Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD. Ее значения могут варьироваться от 100 – 500 МБ/с в наиболее медленных моделях до 3 Гб/с и выше в самых продвинутых.