Сравнение HyperX Impact SO-DIMM DDR3 2x8Gb HX316LS9IBK2/16 vs HyperX Fury DDR3 2x8Gb HX316C10FBK2/16

Параметр, определяющий физические размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов на нём. На сегодняшний день наиболее популярны такие форм-факторы:

— DIMM. Классические полноразмерные планки памяти, применяемые в основном в настольных ПК. Количество контактов обычно составляет от 168 до 240.

— SO-DIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module). Уменьшенная версия форм-фактора DIMM, предназначена для применения в портативной компьютерной технике, такой как ноутбуки и планшетные ПК. Количество контактов варьируется от 72 до 200.

— FB-DIMM (Fully Buffered Dual In-Line Memory Module). Модули памяти, имеющие повышенную надёжность работы за счёт применения в конструкции буфера (см. Поддержка буферизации (Registered)). Применяются чаще всего в серверах. Внешне аналогичны 240-контактным DIMM, однако не совместимы с ними.

— CUDIMM (Clock-equipped Unbuffered Dual In-line Memory Module). Эволюция классического форм-фактора DIMM с наличием дополнительного трехрежимного тактового генератора CKD (Clock Driver). Он анализирует сигналы от контроллера памяти в процессоре, очищает их от шумов и искажений, после чего передает чипам памяти — это обеспечивает более стабильную и надежную работу ОЗУ на высоких частотах.

Под данным термином подразумевают время (точнее, количество циклов работы памяти), которое проходит от запроса процессора на чтение данных до предоставления доступа к первой из ячеек, содержащих выбранные данные. CAS-латентность является одним из таймингов (подробнее о них см п. «Схема таймингов памяти», там этот параметр обозначен как CL) — а значит, она влияет на быстродействие: чем ниже CAS, тем быстрее работает данный модуль памяти. Правда, это справедливо лишь для одной и той же тактовой частоты (подробнее см. там же).

Сейчас на рынке представлены модули памяти с такими значениями CAS-латентности: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24, 28, 30, 32, 34, 36, 38, 40, 42, 46....

Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где

CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;

Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;

Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.

Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.

Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.

Штатное электрическое напряжение, необходимое для работы модулю памяти. При выборе памяти необходимо обратить внимание на то, чтобы соответствующее напряжение поддерживалось материнской платой.