Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   SSD-накопители

Сравнение WD Blue SN580 WDS500G3B0E 512 GB vs Silicon Power XD80 SP512GBP34XD8005 512 GB

Добавить в сравнение
WD Blue SN580 WDS500G3B0E 512 GB
Silicon Power XD80 SP512GBP34XD8005 512 GB
WD Blue SN580 WDS500G3B0E 512 GBSilicon Power XD80 SP512GBP34XD8005 512 GB
от 50 990 тг.
Товар устарел
от 20 126 тг.
Товар устарел
Технология nCache 4.0 с гибридным кэшем SLC, ускоряющая передачу файлов больших размеров.
Типвнутреннийвнутренний
Объем512 GB512 GB
Форм-факторM.2M.2
Интерфейс M.2PCIe 4.0 4xPCIe 3.0 4x
Технические хар-ки
КонтроллерSanDisk 20-82-10082Phison PS5012-E12S
Буферная память128 МБ
Тип памяти3D TLC NAND3D TLC NAND
Количество слоёв 3D NAND112-Layer Kioxia TLC (BiCS5)64-слойная
NVMe
Внешняя скорость записи3600 МБ/с3000 МБ/с
Внешняя скорость считывания4000 МБ/с3400 МБ/с
Ударостойкость при работе1500 G
Наработка на отказ1.5 млн. ч2 млн. ч
IOPS записи750 тыс
IOPS считывания450 тыс
TBW300 ТБ400 ТБ
DWPD0.3 раз/день0.4 раз/день
Гарантия производителя5 лет5 лет
Общее
TRIM
Охлаждение M.2радиатор
Размеры22x80 мм22x80 мм
Дата добавления на E-Katalogавгуст 2023июль 2021
Сравниваем WD Blue SN580 WDS500G3B0E и Silicon Power XD80 SP512GBP34XD8005
WD Blue SN580 часто сравнивают
Глоссарий

Интерфейс M.2

Интерфейс подключения, поддерживаемый накопителем формата M.2 (см. «Форм-фактор»).

Все такие накопители используют стандартный аппаратный разъем, однако через этот разъем могут реализовываться разные электрические (логические) интерфейсы — либо SATA (обычно SATA 3), либо PCIe (чаще всего в вариантах PCIe 3.0 2x, PCIe 3.0 4x, PCIe 4.0 4x, PCIe 5.0 4x). Разъем M.2 на материнской плате должен поддерживать соответствующий интерфейс — иначе нормальная работа SSD будет невозможна. Рассмотрим каждый вариант более детально.

Подключение по стандарту SATA 3 обеспечивает скорость передачи данных до 5,9 Гбит/с (около 600 МБ/с); оно считается очень простым вариантом и используется в основном в бюджетных M.2-модулях. Это связано с тем, что данный интерфейс изначально создавался под жесткие диски, и для более быстрых SSD-накопителей его возможностей уже может не хватать.

В свою очередь, интерфейс PCIe дает более высокие скорости подключения и позволяет реализовывать специальные технологии вроде NVMe (см. ниже). В обозначении такого интерфейса указывается его версия и количество линий — например, PCIe 3.0 2x означает версию 3 с двумя линиями передачи данных. По этому обозначению можно определить максимальную скорость подключения: PCIe версии 3.0 дает чуть менее 1 ГБ/с на 1 линию, версии 4.0 — вдво...е больше (до 2 ГБ/с), 5.0 — еще вдвое больше «четверки» (почти 4 ГБ/с). Таким образом, к примеру, для PCIe 5.0 4x максимальная скорость обмена данными будет составлять около 15 ГБ/с (4 линии почти по 4 ГБ/с). При этом отметим, что более новые и быстрые накопители можно подключать к более ранним и медленным разъемам M.2 — разве что скорость передачи данных при этом будет ограничиваться возможностями разъема.

Контроллер

Модель контроллера, установленного в SSD-накопителе.

Контроллер представляет собой управляющую схему, которая, собственно, и обеспечивает обмен информацией между ячейками памяти и компьютером, к которой подключен накопитель. Возможности того или иного SSD-модуля (в частности, скорость чтения и записи) во многом зависят именно от этой схемы. Зная модель контроллера, можно найти подробные данные по нему и оценить возможности накопителя. Для несложного повседневного использования эта информация, как правило, не нужна, но вот профессионалам и энтузиастам (моддерам, оверклокерам) она может пригодиться.

В наше время высококлассные контроллеры выпускаются преимущественно под такими брендами: InnoGrit, Maxio, Phison, Realtek, Silicon Motion, Samsung.

Буферная память

Буферная память являет собой небольшой чип на SSD-диске, выполняющий функцию транзита данных между диском и материнской платой. По сути, он выступает эдаким промежуточным звеном между оперативной памятью компьютера и собственной постоянной памятью накопителя. Буфер служит для хранения наиболее часто запрашиваемых с модуля данных, благодаря чему уменьшается время доступа к ним — информация посылается с кеша, вместо того, чтобы считываться с магнитного носителя. Как правило, чем больше размер буфера — тем выше быстродействие накопителя, при прочих равных условиях. Также накопители с большим объёмом буферной памяти снижают нагрузку на процессор.

Количество слоёв 3D NAND

Количество слоёв по сути отражает поколение самой флеш-памяти. Чем их больше, тем выше плотность записи, поэтому производитель может разместить больше данных в том же форм-факторе и улучшить энергоэффективность новых чипов. Для пользователя это важно прежде всего как признак более современной платформы: условно, память на 176, 232 или 332 слоя обычно относится к более свежим поколениям, чем старые решения с меньшей слойностью.

При этом количество слоёв 3D NAND не стоит путать с прямой скоростью SSD, потому что на итоговую производительность также сильно влияют контроллер, интерфейс и кэш. Например, накопитель с более современной многослойной памятью может быть интереснее по технологичности и ёмкости, но реальная быстрота работы всё равно зависит от всей конструкции устройства.

Внешняя скорость записи

Наибольшая скорость в режиме записи характеризует скорость, с которой модуль может принимать информацию с подключенного компьютера (или другого внешнего устройства). Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD.

Внешняя скорость считывания

Наибольшая скорость обмена данными с компьютером (или другим внешним устройством), которую накопитель может обеспечить в режиме считывания; проще говоря — наибольшая скорость вывода информации с накопителя на внешнее устройство. Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD. Ее значения могут варьироваться от 100 – 500 МБ/с в наиболее медленных моделях до 3 Гб/с и выше в самых продвинутых.

Ударостойкость при работе

Параметр, определяющий стойкость накопителя к падениям и сотрясениям в процессе работы. Измеряется в G — единицах перегрузки, 1 G соответствует обычной силе земного притяжения. Чем выше число G — тем более устойчиво устройство к различного рода сотрясениям и тем меньше вероятность повреждения данных в нём, скажем, в случае падения. Этот параметр особенно важен для внешних накопителей (см. Тип).

Наработка на отказ

Время наработки накопителя на отказ — время, которое он способен непрерывно проработать без сбоев и неполадок; иными словами — время работы, по истечении которого появляется высокая вероятность появления сбоев, а то и выхода модуля из строя.

Как правило, в характеристиках указывается некоторое среднее время, выведенное по результатам условного тестирования. Поэтому фактическое значение этого параметра может отличаться от заявленного в ту или иную сторону; однако на практике этого момент не является особо значимым. Дело в том, что для современных SSD время наработки на отказ исчисляется миллионами часов, а 1 млн часов соответствует более чем 110 годам — при этом речь идет именно о чистом времени работы. Так что с практической стороны долговечность накопителя чаще ограничивается более специфическими параметрами — TBW и DPWD (см. ниже); а гарантия производителя вообще не превышает нескольких лет. Впрочем, данные по наработке на отказ в часах могут также пригодиться при выборе: при прочих равных большее время означает бОльшую надежность и долговечность SSD в целом.

IOPS записи

Показатель IOPS, обеспечиваемый накопителем в режиме записи.

Термином IOPS обозначают наибольшее количество операций ввода-вывода, которое SSD-модуль может совершить за секунду, в данном случае — при записи данных. По этому показателю часто оценивают быстродействие накопителя; однако это далеко не всегда верно. Во-первых, значения IOPS у разных производителей могут замеряться по-разному — по максимальному значению, по среднему, по произвольной записи, по последовательной записи и т. п. Во-вторых, преимущества высоких IOPS становятся заметны лишь при некоторых специфических операциях — в частности, одновременном копировании большого количества файлов. Кроме того, на практике скорость работы накопителя может ограничиваться системой, к которой он подключен. В свете всего этого сравнивать по IOPS разные SSD-модули в целом допускается, однако реальная разница в быстродействии, скорее всего, будет не столь заметна, как разница в цифрах.

Что касается конкретных значений, то для режима записи с IOPS до 50 тыс. считается сравнительно скромным, 50 – 100 тыс. — средним, более 100 тыс. — высоким.