Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Crucial DDR3 SO-DIMM 1x4GB CT51264BF160BJ vs Kingston ValueRAM DDR3 1x4GB KVR1333D3N9/4G

Добавить в сравнение
Crucial DDR3 SO-DIMM 1x4GB CT51264BF160BJ
Kingston ValueRAM DDR3 1x4GB KVR1333D3N9/4G
Crucial DDR3 SO-DIMM 1x4GB CT51264BF160BJKingston ValueRAM DDR3 1x4GB KVR1333D3N9/4G
от 7 510 тг.
Товар устарел
от 7 706 тг.
Товар устарел
Объем памяти1 x 4GB1 x 4GB
Форм-фактор памятиSO-DIMM (laptops)DIMM (PC)
Тип памятиDDR3DDR3
Характеристики
Скорость1600 MT/s1333 MT/s
Пропускная способность12800 МБ/с10600 МБ/с
Схема таймингов11-11-119-9-9
First Word Latency13.75 нс13.5 нс
Рабочее напряжение1.35 В1.5 В
Тип охлаждениябез охлаждениябез охлаждения
Профиль планки
стандартный
стандартный
30 мм
Дата добавления на E-Katalogапрель 2016март 2011
Сравниваем Crucial CT51264BF160BJ и Kingston KVR1333D3N9/4G Crucial DDR3 SO-DIMM 1x4GB и Kingston ValueRAM DDR3 1x4GB?
Глоссарий

Форм-фактор памяти

Параметр, определяющий физические размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов на нём. На сегодняшний день наиболее популярны такие форм-факторы:

DIMM. Стандартный полноразмерный форм-фактор оперативной памяти для настольных компьютеров. Именно такие планки чаще всего ставят в обычные ПК, игровые сборки, рабочие станции и часть серверных систем, где внутри корпуса достаточно места под классические модули.

SO-DIMM. Компактный форм-фактор оперативной памяти, который чаще всего используется в ноутбуках. Он заметно меньше обычного DIMM, поэтому лучше подходит для мобильных устройств, мини-ПК и других компактных систем, где важно экономить место внутри корпуса.

CAMM2. Новый форм-фактор оперативной памяти для тонких современных ноутбуков, который рассчитан на более компактную установку, чем SO-DIMM. Такой модуль устроен как плоская плата, которая лежит параллельно материнской плате, прижимается к контактной площадке и фиксируется винтами, а не вставляется в отдельный слот. Его идея в том, чтобы дать производителям тонких устройств модульную память без обязательного перехода на полностью распаянную ОЗУ.

Скорость

Скорость модуля влияет на обмен данными и насколько быстро ОЗУ может работать в системе. Чем выше этот показатель, тем больше потенциал памяти, но реальный результат всегда зависит еще и от процессора, материнской платы и настроек.

Например, для простого офисного или домашнего ПК часто достаточно базовых значений вроде 2400, 2666, 3200 MT/s у DDR4 или 4800, 5200, 5600 MT/s у DDR5, а в игровой или рабочей системе более высокая тактовая частота — например 3600 MT/s у DDR4 или 60006400 MT/s у DDR5 — может дать более отзывчивую работу.

При этом сама по себе большая скорость не делает компьютер автоматически быстрым, если остальные компоненты слабее или память работает не на заявленном режиме. Скорость ОЗУ особенно важна при сборке и апгрейде, потому что помогает понять общий класс памяти и чего от нее можно ожидать на практике.

Пропускная способность

Пропускная способность показывает, какой объем данных оперативная память может передавать за секунду. Чем выше этот показатель, тем легче памяти обеспечивать систему данными, но реальный результат все равно зависит от процессора, видеокарты и общей конфигурации ПК.

Если тактовая частота больше говорит о скорости самого модуля, то пропускная способность помогает понять, какой поток данных память способна обслуживать на практике. Например, около 25.6 ГБ/с — это нормальный уровень для обычной DDR4-3200 в одноканальном режиме, которого хватает для повседневной работы, а для игр и более тяжелых задач предпочтительнее уже более высокие значения — около 50 ГБ/с и выше в двухканальной конфигурации.

Схема таймингов

Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.

На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.

Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.

First Word Latency

First Word Latency показывает, за какое время ОЗУ после запроса начинает отдавать первый блок данных. Чем ниже это значение, тем быстрее память реагирует на обращение, что особенно интересно в игровых системах и производительных ПК, где важны отзывчивость и минимальные задержки.

Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.

Рабочее напряжение

Уровень питания, который нужен оперативной памяти для нормальной работы в системе. В характеристиках он чаще всего выглядит как 1.5 В, 1.35 В, 1.2 В или 1.1 В в зависимости от поколения ОЗУ.

Этот пункт особенно важен не сам по себе, а на фоне совместимости: модуль должен соответствовать требованиям материнской платы или ноутбука. Соответственно на практике от рабочего напряжения ждут не прироста скорости, а корректной работы памяти без лишнего нагрева и проблем при установке.