Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Crucial DDR3 SO-DIMM 1x4GB CT51264BF160BJ vs Kingston ValueRAM DDR3 1x4GB KVR1333D3N9/4G

Добавить в сравнение
Crucial DDR3 SO-DIMM 1x4GB CT51264BF160BJ
Kingston ValueRAM DDR3 1x4GB KVR1333D3N9/4G
Crucial DDR3 SO-DIMM 1x4GB CT51264BF160BJKingston ValueRAM DDR3 1x4GB KVR1333D3N9/4G
от 7 510 тг.
Товар устарел
от 7 706 тг.
Товар устарел
Объем памяти1 x 4GB1 x 4GB
Форм-фактор памятиSO-DIMMDIMM
Тип памятиDDR3DDR3
Характеристики
Тактовая частота1600 МГц1333 МГц
Пропускная способность12800 МБ/с10600 МБ/с
Схема таймингов11-11-119-9-9
First Word Latency13.75 нс13.5 нс
Рабочее напряжение1.35 В1.5 В
Тип охлаждениябез охлаждениябез охлаждения
Профиль планкистандартныйстандартный
Высота планки30 мм
Дата добавления на E-Katalogапрель 2016март 2011
Сравниваем Crucial CT51264BF160BJ и Kingston KVR1333D3N9/4G Crucial DDR3 SO-DIMM 1x4GB и Kingston ValueRAM DDR3 1x4GB?
Глоссарий

Форм-фактор памяти

Параметр, определяющий физические размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов на нём. На сегодняшний день наиболее популярны такие форм-факторы:

DIMM. Классические полноразмерные планки памяти, применяемые в основном в настольных ПК. Количество контактов обычно составляет от 168 до 240.

SO-DIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module). Уменьшенная версия форм-фактора DIMM, предназначена для применения в портативной компьютерной технике, такой как ноутбуки и планшетные ПК. Количество контактов варьируется от 72 до 200.

FB-DIMM (Fully Buffered Dual In-Line Memory Module). Модули памяти, имеющие повышенную надёжность работы за счёт применения в конструкции буфера (см. Поддержка буферизации (Registered)). Применяются чаще всего в серверах. Внешне аналогичны 240-контактным DIMM, однако не совместимы с ними.

CUDIMM (Clock-equipped Unbuffered Dual In-line Memory Module). Эволюция классического форм-фактора DIMM с наличием дополнительного трехрежимного тактового генератора CKD (Clock Driver). Он анализирует сигналы от контроллера памяти в процессоре, очищает их от шумов и искажений, после чего передает чипам памяти — это обеспечивает более стабильную и надежную работу ОЗУ на высоких частотах.

Тактовая частота

Тактовая частота модуля оперативной памяти.

Чем выше данный показатель — тем быстрее работает «оперативка», при прочих равных, тем выше ее эффективность в играх и других ресурсоемких приложениях. С другой стороны, высокая тактовая частота соответствующим образом сказывается на стоимости. Кроме того, для использования всех возможностей памяти соответствующую частоту должна поддерживать материнская плата, к которой подключен модуль.

Наиболее востребованными являются модули с частотой 3200 и 3600 МГц — так сказать универсальные рабочие лошадки. Есть также варианты скромнее — к примеру 2400, 2666, 2800, 2933, 3000 МГц. И продвинутые для серьезных задач — 3866, 4000, 4800, 5200, 5600 МГц. Также предусмотрены высокочастотные модули 6000, 6400, 6600, 6800, 7000, 7200 МГц и более.

Пропускная способность

Количество информации, которую модуль памяти может принять или передать за одну секунду. От пропускной способности напрямую зависит скорость работы памяти и, соответственно, цена на неё. В то же время это довольно специфический параметр, актуальный в основном для высокопроизводительных систем — геймерских и рабочих станций, серверов и т. п. Если же модуль RAM покупается для обычной домашней или офисной системы, на пропускную способность можно не обращать особого внимания.

Схема таймингов

Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где

CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;

Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;

Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.

Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.

Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.

First Word Latency

First Word Latency показывает, за какое время ОЗУ после запроса начинает отдавать первый блок данных. Чем ниже это значение, тем быстрее память реагирует на обращение, что особенно интересно в игровых системах и производительных ПК, где важны отзывчивость и минимальные задержки.

Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.

Рабочее напряжение

Штатное электрическое напряжение, необходимое для работы модулю памяти. При выборе памяти необходимо обратить внимание на то, чтобы соответствующее напряжение поддерживалось материнской платой.