Сравнение Corsair Vengeance LPX DDR4 1x8Gb CMK8GX4M1A2400C16 vs Samsung DDR3 1x4Gb M378B5173EB0-CK0

Общий объем всех модулей комплекта оперативной памяти.

Зная этот параметр и количество планок в комплекте, можно оценить объем одной планки. Эта информация может пригодиться для оценки совместимости с конкретным ПК: любая материнская плата имеет ограничение на максимальный объем каждой отдельной планки.

Сейчас на рынке представлены комплекты с таким объем памяти: 4 ГБ, 8 ГБ, 16 ГБ, 24 ГБ, 32 ГБ, 64 ГБ и даже 128 ГБ. Сочетание нескольких планок позволяет продавать наборы 8 ГБ (2 планки по 4 ГБ), 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ), 16 ГБ (4 планки по 4 ГБ), 32 ГБ (2 планки по 16 ГБ), 32 ГБ (4 планки по 8 ГБ), 48 ГБ (2 планки по 24 ГБ). Комплекты на 64 ГБ представлены такими наборами: 64 ГБ (2 планки по 32 ГБ), 64 ГБ (4 планки по 16 ГБ) и 64 ГБ (8 планок по 8 ГБ). ОЗУ на 128 ГБ преимущественно состоят из 4 планок по 32 ГБ или 8 планок по 16 ГБ. А 256 ГБ и 96 ГБ (2 планки по 48 ГБ) являются не столь востребованными

Тип памяти, используемый в модуле (модулях). Этот параметр напрямую определяет совместимость с материнской платой: последняя должна поддерживать тот же тип памяти, к которому относится планка, т. к. разные типы не совместимы между собой. Конкретные же варианты на сегодняшний день могут быть такими: устаревшая, но еще где-то встречающаяся память DDR2, уходящая в прошлое DDR3, современная DDR4 и новинка DDR5.

— DDR2. Второе поколение оперативной памяти с удвоенной передачей данных, выпущенное в 2003 году. На сегодняшний день такая память практически полностью вытеснена более продвинутыми стандартами DDR3 и DDR4, поддержку DDR2 можно встретить разве что в откровенно устаревшем ПК или ноутбуке.

— DDR3. Третье поколение оперативной памяти с удвоенной передачей данных, выпущенное в 2007 году. По сравнению с DDR 2 имеет более высокую скорость работы и меньшее энергопотребление На смену данному стандарту постепенно приходит DDR4, однако поддержка DDR3 все еще встречается в относительно простых и недорогих «материнках».

— DDR4. Дальнейшее развитие стандарта DDR, пришедшее на смену DDR3 в 2014 году. Предусматривает, в частности, повышение пропускной способности (в перспективе до 25,6 ГБ/с) и надежности при снижении энергопотребления.

— DDR5. Шествие пятого поколения стандарта DDR началось на рубеже 2020-2021 гг.... В нём предусматривается примерно двукратный прирост производительности подсистемы памяти и наращивание пропускной способности по сравнению с DDR4. Вместо одного 64-битного канала данных DDR5 использует пару независимых 32-битных каналов, которые работают с 16-байтными пакетами и позволяют доставлять 64 байта информации за такт по каждому каналу. Новые модули памяти требуют напряжения 1.1 В, а максимальный объём одной планки DDR5 может достигать внушительных 128 ГБ.

Тактовая частота модуля оперативной памяти.

Чем выше данный показатель — тем быстрее работает «оперативка», при прочих равных, тем выше ее эффективность в играх и других ресурсоемких приложениях. С другой стороны, высокая тактовая частота соответствующим образом сказывается на стоимости. Кроме того, для использования всех возможностей памяти соответствующую частоту должна поддерживать материнская плата, к которой подключен модуль.

Наиболее востребованными являются модули с частотой 3200 и 3600 МГц — так сказать универсальные рабочие лошадки. Есть также варианты скромнее — к примеру 2400, 2666, 2800, 2933, 3000 МГц. И продвинутые для серьезных задач — 3866, 4000, 4800, 5200, 5600 МГц. Также предусмотрены высокочастотные модули 6000, 6400, 6600, 6800, 7000, 7200 МГц и более.

Количество информации, которую модуль памяти может принять или передать за одну секунду. От пропускной способности напрямую зависит скорость работы памяти и, соответственно, цена на неё. В то же время это довольно специфический параметр, актуальный в основном для высокопроизводительных систем — геймерских и рабочих станций, серверов и т. п. Если же модуль RAM покупается для обычной домашней или офисной системы, на пропускную способность можно не обращать особого внимания.

Под данным термином подразумевают время (точнее, количество циклов работы памяти), которое проходит от запроса процессора на чтение данных до предоставления доступа к первой из ячеек, содержащих выбранные данные. CAS-латентность является одним из таймингов (подробнее о них см п. «Схема таймингов памяти», там этот параметр обозначен как CL) — а значит, она влияет на быстродействие: чем ниже CAS, тем быстрее работает данный модуль памяти. Правда, это справедливо лишь для одной и той же тактовой частоты (подробнее см. там же).

Сейчас на рынке представлены модули памяти с такими значениями CAS-латентности: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24, 30, 32, 36, 38, 40, 42, 46.

Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где

CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;

Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;

Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.

Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.

Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.

Штатное электрическое напряжение, необходимое для работы модулю памяти. При выборе памяти необходимо обратить внимание на то, чтобы соответствующее напряжение поддерживалось материнской платой.

Тип охлаждения, предусмотренный в конструкции оперативной памяти.

— Без охлаждения. Отсутствие специального охлаждения характерно для модулей памяти с небольшой и средней мощностью — они выделяют не так много тепла, чтобы его нужно было специально отводить.

— Радиатор. Приспособление в виде металлической конструкции с характерной ребристой поверхностью — такая форма увеличивает площадь соприкосновения с воздухом, что, в свою очередь, улучшает теплоотдачу. Простейшая разновидность систем охлаждения, по эффективности уступает радиатору с кулером и тем более водяному контуру (см. ниже), зато не создает шума, не потребляет лишней энергии и не требует подключения дополнительного питания или трубок. А упомянутой эффективности бывает достаточно даже для довольно мощных модулей RAM.

— Радиатор с кулером. Радиаторное охлаждение (см. выше), дополненное блоком с вентилятором (вентиляторами) для принудительной циркуляции воздуха. Такое дополнение заметно повышает эффективность радиатора, оно может применяться даже в довольно мощных комплектах RAM. С другой стороны, вентилятор создает шум при работе и заметно увеличивает энергопотребление.

— Водяное охлаждение. Охлаждение в виде жидкостного теплообменника, подключаемого к контуру водяного охлаждения компьютерной системы. Отличительно внешней особенностью такого охлаждения являются два характерных...патрубка. Водяные системы очень эффективны и подходят даже для самых мощных и «горячих» планок, однако сложны в подключении и требуют недешевого внешнего оборудования, а потому применяются в основном среди топовых моделей RAM, в которых без такого охлаждения в принципе не обойтись. Отметим, что некоторые из таких моделей допускают работу и «насухую», без воды, однако это не рекомендуется — на высоких нагрузках могут возникнуть сбои.

— Жидкостно-воздушное. В соответствии с названием, данный вариант предполагает использование сразу двух типов охлаждения — воздушного (радиатора) и водяного. О том и другом см. выше, однако стоит отметить, что водяное охлаждение в данном случае может предусматриваться в несколько «урезанном» виде — не в виде патрубков для подключения к общему контуру охлаждения, а в виде герметичной капсулы с теплопроводящей жидкостью. В эффективности такие системы, разумеется, заметно проигрывают классическим жидкостным — зато они не требуют сложного подключения; а капсула так или иначе улучшает эффективность работы радиатора, да и смотрится необычно.

— Серия для разгона (overclocking). Принадлежность к подобной серии означает, что производитель изначально предусмотрел в модуле возможность разгона («оверклокинга») — то есть повышения производительности за счет изменения параметров работы, в частности, увеличения рабочего напряжения и тактовой частоты. «Разогнать» можно и обычную память, не относящуюся к оверклокерской — однако это сложно и чревато сбоями, вплоть до полного перегорания схем, тогда как в специализированных сериях разгон является документированной функцией, реализуется быстро и просто, к тому же чаще всего покрывается гарантией.

— Поддержка XMP. Совместимость модуля памяти с технологией XMP. Данная технология, созданная компанией Intel, применяется для разгона (см. соответствующий пункт). Ее ключевой принцип заключается в том, что в модуле памяти записаны определенные профили разгона — наборы настроек, проверенные на стабильность работы; и вместо того, чтобы вручную выставлять отдельные параметры, пользователю достаточно выбрать один из профилей. Это упрощает настройку системы и в то же время повышает ее надежность при разгоне. Однако стоит учитывать, что для использования XMP ее должна поддерживать не только память, но и материнская плата.

— Поддержка AMP. Совместимость модуля памяти с технологией AMP. По основным особенностям данная технология полностью аналогична описанной выше XMP и о...тличается лишь создателем — в данном случае это компания AMD.

— Поддержка EXPO. Совместимость модуля памяти с технологией EXPO (Extended Profiles for Overclocking). Ее создали в компании AMD спецом для разгона планок DDR5 в составе систем Ryzen 7000. По своей сути, это заводской набор профилей оперативной памяти, который упрощает разгон «оперативки». Использование технологии позволяет повысить производительность в играх примерно на 11 % при разрешении транслируемого изображения Full HD.

— Поддержка буферизации (Registered). Наличие у модуля памяти т.н. буфера — раздела для быстрого сохранения поступивших данных — между контроллером памяти (управляющим устройством) и собственно чипами (запоминающими устройствами). Такая схема снижает нагрузку на контроллер, за счёт чего достигается более высокая надёжность; с другой стороны, буферизованные модули имеют слегка пониженное быстродействие вследствие задержки при передаче информации через буфер. Буферизованная память применяется в основном в серверных системах и отличается высокой стоимостью. При выборе памяти стоит учитывать, что в одной системе может использоваться либо только буферизованная, либо только небуферизованная память; совместить эти два типа памяти невозможно.

— Поддержка ECC. ECC (Error Checking and Correction) — технология, позволяющая исправлять мелкие ошибки, возникающие в процессе работы с данными. Для использования ECC необходимо, чтобы она поддерживалась не только модулем памяти, но и материнской платой; в основном такая поддержка применяется в серверах, однако встречается и в «материнках» для обычных десктопов.