Сравнение Samsung DDR3 1x4GB M378B5173EB0-CK0 vs GOODRAM DDR3 1x4GB GR1600D364L11S/4G
Добавить в сравнение |  |  |
|---|---|---|
| Samsung DDR3 1x4GB M378B5173EB0-CK0 | GOODRAM DDR3 1x4GB GR1600D364L11S/4G | |
от 14 025 тг. | от 9 004 тг. | |
| Объем памяти | 1 x 4GB | 1 x 4GB |
| Форм-фактор памяти | DIMM (PC) | DIMM (PC) |
| Тип памяти | DDR3 | DDR3 |
Характеристики | ||
| Скорость | 1600 MT/s | 1600 MT/s |
| Пропускная способность | 12800 МБ/с | 12800 МБ/с |
| Схема таймингов | 11-11-11 | 11-11-11-28 |
| First Word Latency | 13.75 нс | 13.75 нс |
| Рабочее напряжение | 1.5 В | 1.5 В |
| Тип охлаждения | без охлаждения | без охлаждения |
| Профиль планки | стандартный | стандартный |
| Дата добавления на E-Katalog | май 2015 | февраль 2014 |
Сравниваем Samsung M378B5173EB0-CK0 и GOODRAM GR1600D364L11S/4G Samsung DDR3 1x4GB и GOODRAM DDR3 1x4GB?
Возможно, вас заинтересует
Мои сравнения
Samsung DDR3 1x4GB часто сравнивают
GOODRAM DDR3 1x4GB часто сравнивают
Глоссарий
Схема таймингов
Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.
На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.
Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.
На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.
Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.