Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Crucial DDR4 SO-DIMM 1x4GB CT4G4SFS8213 vs Hynix DDR4 1x4GB HMA451U6AFR8N-TFN0

Добавить в сравнение
Crucial DDR4 SO-DIMM 1x4GB CT4G4SFS8213
Hynix DDR4 1x4GB HMA451U6AFR8N-TFN0
Crucial DDR4 SO-DIMM 1x4GB CT4G4SFS8213Hynix DDR4 1x4GB HMA451U6AFR8N-TFN0
от 6 135 тг.
Товар устарел
от 6 120 тг.
Товар устарел
Объем памяти1 x 4GB1 x 4GB
Форм-фактор памятиSO-DIMM (laptops)DIMM (PC)
Тип памятиDDR4DDR4
Характеристики
Скорость2133 MT/s2133 MT/s
Пропускная способность17000 МБ/с17000 МБ/с
Схема таймингов15-15-1515-15-15
First Word Latency14.06 нс14.06 нс
Рабочее напряжение1.2 В1.2 В
Тип охлаждениябез охлаждениябез охлаждения
Профиль планки
стандартный
стандартный
Дата добавления на E-Katalogфевраль 2016декабрь 2015
Сравниваем Crucial CT4G4SFS8213 и Hynix HMA451U6AFR8N-TFN0 Crucial DDR4 SO-DIMM 1x4GB и Hynix DDR4 1x4GB?
Crucial DDR4 SO-DIMM 1x4GB часто сравнивают
Глоссарий

Форм-фактор памяти

Параметр, определяющий физические размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов на нём. На сегодняшний день наиболее популярны такие форм-факторы:

DIMM. Стандартный полноразмерный форм-фактор оперативной памяти для настольных компьютеров. Именно такие планки чаще всего ставят в обычные ПК, игровые сборки, рабочие станции и часть серверных систем, где внутри корпуса достаточно места под классические модули.

SO-DIMM. Компактный форм-фактор оперативной памяти, который чаще всего используется в ноутбуках. Он заметно меньше обычного DIMM, поэтому лучше подходит для мобильных устройств, мини-ПК и других компактных систем, где важно экономить место внутри корпуса.

CAMM2. Новый форм-фактор оперативной памяти для тонких современных ноутбуков, который рассчитан на более компактную установку, чем SO-DIMM. Такой модуль устроен как плоская плата, которая лежит параллельно материнской плате, прижимается к контактной площадке и фиксируется винтами, а не вставляется в отдельный слот. Его идея в том, чтобы дать производителям тонких устройств модульную память без обязательного перехода на полностью распаянную ОЗУ.