Объем памяти комплекта
Общий объем всех модулей комплекта оперативной памяти.
Зная этот параметр и количество планок в комплекте, можно оценить объем одной планки. Эта информация может пригодиться для оценки совместимости с конкретным ПК: любая материнская плата имеет ограничение на максимальный объем каждой отдельной планки.
Сейчас на рынке представлены комплекты с таким объем памяти:
4 ГБ,
8 ГБ,
16 ГБ,
24 ГБ,
32 ГБ,
64 ГБ и даже
128 ГБ. Сочетание нескольких планок позволяет продавать наборы
8 ГБ (2 планки по 4 ГБ),
16 ГБ (2 планки по 8 ГБ),
16 ГБ (4 планки по 4 ГБ),
32 ГБ (2 планки по 16 ГБ),
32 ГБ (4 планки по 8 ГБ),
48 ГБ (2 планки по 24 ГБ). Комплекты на 64 ГБ представлены такими наборами:
64 ГБ (2 планки по 32 ГБ),
64 ГБ (4 планки по 16 ГБ) и
64 ГБ (8 планок по 8 ГБ). ОЗУ на 128 ГБ преимущественно состоят из
4 планок по 32 ГБ или
8 планок по 16 ГБ. А
256 ГБ и
96 ГБ (2 планки по 48 ГБ) являются не столь востребованными
Тип памяти
Тип памяти, используемый в модуле (модулях). Этот параметр напрямую определяет совместимость с материнской платой: последняя должна поддерживать тот же тип памяти, к которому относится планка, т. к. разные типы не совместимы между собой. Конкретные же варианты на сегодняшний день могут быть такими: устаревшая, но еще где-то встречающаяся
память DDR2, уходящая в прошлое
DDR3, современная
DDR4 и новинка
DDR5.
— DDR2. Второе поколение оперативной памяти с удвоенной передачей данных, выпущенное в 2003 году. На сегодняшний день такая память практически полностью вытеснена более продвинутыми стандартами DDR3 и DDR4, поддержку DDR2 можно встретить разве что в откровенно устаревшем ПК или ноутбуке.
— DDR3. Третье поколение оперативной памяти с удвоенной передачей данных, выпущенное в 2007 году. По сравнению с DDR 2 имеет более высокую скорость работы и меньшее энергопотребление На смену данному стандарту постепенно приходит DDR4, однако поддержка DDR3 все еще встречается в относительно простых и недорогих «материнках».
— DDR4. Дальнейшее развитие стандарта DDR, пришедшее на смену DDR3 в 2014 году. Предусматривает, в частности, повышение пропускной способности (в перспективе до 25,6 ГБ/с) и надежности при снижении энергопотребления.
— DDR5. Шествие пятого поколения стандарта DDR началось на рубеже 2020-2021 гг
.... В нём предусматривается примерно двукратный прирост производительности подсистемы памяти и наращивание пропускной способности по сравнению с DDR4. Вместо одного 64-битного канала данных DDR5 использует пару независимых 32-битных каналов, которые работают с 16-байтными пакетами и позволяют доставлять 64 байта информации за такт по каждому каналу. Новые модули памяти требуют напряжения 1.1 В, а максимальный объём одной планки DDR5 может достигать внушительных 128 ГБ.Тактовая частота
Тактовая частота модуля оперативной памяти.
Чем выше данный показатель — тем быстрее работает «оперативка», при прочих равных, тем выше ее эффективность в играх и других ресурсоемких приложениях. С другой стороны, высокая тактовая частота соответствующим образом сказывается на стоимости. Кроме того, для использования всех возможностей памяти соответствующую частоту должна поддерживать материнская плата, к которой подключен модуль.
Наиболее востребованными являются модули с частотой
3200 и
3600 МГц — так сказать универсальные рабочие лошадки. Есть также варианты скромнее — к примеру
2400,
2666,
2800,
2933,
3000 МГц. И продвинутые для серьезных задач —
3866,
4000,
4800,
5200,
5600 МГц. Также предусмотрены высокочастотные модули
6000,
6400,
6600,
6800,
7000,
7200 МГц и более.
Пропускная способность
Количество информации, которую модуль памяти может принять или передать за одну секунду. От пропускной способности напрямую зависит скорость работы памяти и, соответственно, цена на неё. В то же время это довольно специфический параметр, актуальный в основном для высокопроизводительных систем — геймерских и рабочих станций, серверов и т. п. Если же модуль RAM покупается для обычной домашней или офисной системы, на пропускную способность можно не обращать особого внимания.
CAS-латентность
Под данным термином подразумевают время (точнее, количество циклов работы памяти), которое проходит от запроса процессора на чтение данных до предоставления доступа к первой из ячеек, содержащих выбранные данные. CAS-латентность является одним из таймингов (подробнее о них см п. «Схема таймингов памяти», там этот параметр обозначен как CL) — а значит, она влияет на быстродействие: чем ниже CAS, тем быстрее работает данный модуль памяти. Правда, это справедливо лишь для одной и той же тактовой частоты (подробнее см. там же).
Сейчас на рынке представлены модули памяти с такими значениями CAS-латентности:
9,
10,
11,
12,
13,
14,
15,
16,
17,
18,
19,
20,
21,
22,
24,
30,
32,
36,
38,
40,
42,
46.
Схема таймингов памяти
Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где
CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;
Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;
Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.
Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.
Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
Рабочее напряжение
Штатное электрическое напряжение, необходимое для работы модулю памяти. При выборе памяти необходимо обратить внимание на то, чтобы соответствующее напряжение поддерживалось материнской платой.