Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Crucial Ballistix DDR4 2x8GB BL2K8G30C15U4B vs G.Skill Aegis DDR4 2x8GB F4-3000C16D-16GISB

Добавить в сравнение
Crucial Ballistix DDR4 2x8GB BL2K8G30C15U4B
G.Skill Aegis DDR4 2x8GB F4-3000C16D-16GISB
Crucial Ballistix DDR4 2x8GB BL2K8G30C15U4BG.Skill Aegis DDR4 2x8GB F4-3000C16D-16GISB
от 49 460 тг.
Товар устарел
от 17 486 тг.
Товар устарел
3000 МГц из коробки. Разгонный потенциал.
Объем памяти2 x 8GB2 x 8GB
Форм-фактор памятиDIMM (PC)DIMM (PC)
Тип памятиDDR4DDR4
Ранг памятиодноранговая
Характеристики
Скорость3000 MT/s3000 MT/s
Пропускная способность24000 МБ/с24000 МБ/с
Схема таймингов15-16-16-3516-18-18-38
First Word Latency10 нс10.67 нс
Рабочее напряжение1.35 В1.35 В
Тип охлаждениярадиаторбез охлаждения
Профиль планки
стандартный
41 мм
стандартный
31.2 мм
Дополнительно
поддержка XMP
поддержка XMP
Цвет корпуса
Дата добавления на E-Katalogфевраль 2020октябрь 2016
Сравниваем Crucial BL2K8G30C15U4B и G.Skill F4-3000C16D-16GISB Crucial Ballistix DDR4 2x8GB и G.Skill Aegis DDR4 2x8GB?
Crucial Ballistix DDR4 2x8GB часто сравнивают
G.Skill Aegis DDR4 2x8GB часто сравнивают
Глоссарий

Ранг памяти

Этот пункт показывает, как организованы чипы внутри модуля ОЗУ и сколько у него внутренних групп данных, с которыми работает система. Чаще всего встречаются варианты 1R и 2R, то есть одноранговая и двухранговая память. При этом 2R не означает, что модуль лучше во всем: иногда такой вариант может дать небольшой плюс, но на практике все зависит от платформы, процессора и общей конфигурации.

Память разного ранга нередко может работать вместе, однако самым беспроблемным вариантом обычно остается установка одинаковых планок. От ранга памяти обычно ждут не резкого прироста скорости, а понимания совместимости и особенностей конкретного модуля.

Схема таймингов

Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.

На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.

Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.

First Word Latency

First Word Latency показывает, за какое время ОЗУ после запроса начинает отдавать первый блок данных. Чем ниже это значение, тем быстрее память реагирует на обращение, что особенно интересно в игровых системах и производительных ПК, где важны отзывчивость и минимальные задержки.

Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.

Тип охлаждения

Без охлаждения. Оперативная память без отдельного радиатора или теплорассеивателя, то есть в самом простом исполнении. Такой вариант чаще встречается у базовых модулей для офисных, домашних и недорогих систем, где не предполагаются повышенные частоты или заметная тепловая нагрузка. Для обычной повседневной работы этого обычно достаточно, если память используется в штатном режиме и корпус нормально продувается.

Радиатор. Наличие металлического теплорассеивателя на модуле памяти, который помогает отводить тепло от чипов и поддерживать более стабильную работу. Такой тип охлаждения часто встречается у игровой и более быстрой памяти, где нагрев выше. На практике радиатор полезен не только для разгона, но и просто для длительной нагрузки, плотной компоновки и более уверенной работы на заявленных скоростях.

— Графеновый радиатор. Тонкий теплорассеивающий слой на модуле памяти, где для отвода тепла используется графеновая технология вместо обычного массивного радиатора. Такой формат особенно интересен там, где важно сохранить компактность модуля и не мешать установке в ограниченном пространстве.