Сравнение Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x8Gb BLS8G4D26BFSCK vs Corsair Vengeance LPX DDR4 1x8Gb CMK8GX4M1A2666C16
Добавить в сравнение | ||
|---|---|---|
| Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x8Gb BLS8G4D26BFSCK | Corsair Vengeance LPX DDR4 1x8Gb CMK8GX4M1A2666C16 | |
от 18 310 тг. | от 10 990 тг. | |
| Объем памяти комплекта | 8 ГБ | 8 ГБ |
| Кол-во планок в комплекте | 1 шт | 1 шт |
| Форм-фактор памяти | DIMM | DIMM |
| Тип памяти | DDR4 | DDR4 |
| Ранг памяти | одноранговая | |
Характеристики | ||
| Тактовая частота | 2666 МГц | 2666 МГц |
| Пропускная способность | 21300 МБ/с | 21300 МБ/с |
| CAS-латентность | CL16 | CL16 |
| Схема таймингов памяти | 16-18-18 | 16-18-18-35 |
| Рабочее напряжение | 1.2 В | 1.2 В |
| Тип охлаждения | радиатор | радиатор |
| Профиль планки | стандартный | стандартный |
| Высота планки | 33 мм | 33 мм |
| Дополнительно | серия для разгона (overclocking) поддержка XMP | серия для разгона (overclocking) поддержка XMP |
| Цвет корпуса | ||
| Дата добавления на E-Katalog | июнь 2017 | ноябрь 2015 |
Сравниваем Crucial BLS8G4D26BFSCK и Corsair CMK8GX4M1A2666C16 Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x8Gb и Corsair Vengeance LPX DDR4 1x8Gb?
Возможно, вас заинтересует
Мои сравнения
Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x8Gb часто сравнивают
Corsair Vengeance LPX DDR4 1x8Gb часто сравнивают
Глоссарий
Ранг памяти
Количество рангов, предусмотренное в планке памяти.
Рангом в данном случае называют один логический модуль — набор микросхем с общей разрядностью в 64 бита. Если рангов больше одного — это значит, что на одном физическом модуле реализовано несколько логических, а канал передачи данных они используют попеременно. Подобная конструкция используется для того, чтобы добиться больших объемов RAM при ограниченном количестве слотов под отдельные планки. При этом стоит сказать, что для бытовых компьютеров на ранг памяти можно не обращать особого внимания — точнее, для них вполне достаточно одноранговых модулей. А вот для серверов и мощных рабочих станций выпускаются двух-, четырех- и даже восьмиранговые решения.
Отметим, что при прочих равных большее число рангов позволяет добиться больших объемов, однако требует большей вычислительной мощности и повышает нагрузку на систему.
Рангом в данном случае называют один логический модуль — набор микросхем с общей разрядностью в 64 бита. Если рангов больше одного — это значит, что на одном физическом модуле реализовано несколько логических, а канал передачи данных они используют попеременно. Подобная конструкция используется для того, чтобы добиться больших объемов RAM при ограниченном количестве слотов под отдельные планки. При этом стоит сказать, что для бытовых компьютеров на ранг памяти можно не обращать особого внимания — точнее, для них вполне достаточно одноранговых модулей. А вот для серверов и мощных рабочих станций выпускаются двух-, четырех- и даже восьмиранговые решения.
Отметим, что при прочих равных большее число рангов позволяет добиться больших объемов, однако требует большей вычислительной мощности и повышает нагрузку на систему.
Схема таймингов памяти
Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где
CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;
Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;
Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.
Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.
Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;
Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;
Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.
Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.
Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.











