Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x8GB BLS8G4D26BFSCK vs Crucial Ballistix Elite DDR4 1x8GB BLE8G4D26AFEA

Добавить в сравнение
Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x8GB BLS8G4D26BFSCK
Crucial Ballistix Elite DDR4 1x8GB BLE8G4D26AFEA
Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x8GB BLS8G4D26BFSCKCrucial Ballistix Elite DDR4 1x8GB BLE8G4D26AFEA
от 18 310 тг.
Товар устарел
от 48 000 тг.
Товар устарел
Объем памяти1 x 8GB1 x 8GB
Форм-фактор памятиDIMM (PC)DIMM (PC)
Тип памятиDDR4DDR4
Ранг памятиодноранговаядвухранговая
Характеристики
Скорость2666 MT/s2666 MT/s
Пропускная способность21300 МБ/с21300 МБ/с
Схема таймингов16-18-1816-17-17
First Word Latency12 нс12 нс
Рабочее напряжение1.2 В1.2 В
Тип охлаждениярадиаторрадиатор
Профиль планки
стандартный
33 мм
стандартный
40.4 мм
Дополнительно
поддержка XMP
поддержка XMP
Цвет корпуса
Дата добавления на E-Katalogиюнь 2017сентябрь 2015
Сравниваем Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x8GB и Ballistix Elite DDR4 1x8GB
Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x8GB часто сравнивают
Crucial Ballistix Elite DDR4 1x8GB часто сравнивают
Глоссарий

Ранг памяти

Этот пункт показывает, как организованы чипы внутри модуля ОЗУ и сколько у него внутренних групп данных, с которыми работает система. Чаще всего встречаются варианты 1R и 2R, то есть одноранговая и двухранговая память. При этом 2R не означает, что модуль лучше во всем: иногда такой вариант может дать небольшой плюс, но на практике все зависит от платформы, процессора и общей конфигурации.

Память разного ранга нередко может работать вместе, однако самым беспроблемным вариантом обычно остается установка одинаковых планок. От ранга памяти обычно ждут не резкого прироста скорости, а понимания совместимости и особенностей конкретного модуля.

Схема таймингов

Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.

На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.

Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.