Сравнение Transcend MTS820 M.2 TS120GMTS820 120 ГБ vs WD Green SSD M.2 WDS120G2G0B 120 ГБ
Добавить в сравнение | ||
|---|---|---|
| Transcend MTS820 M.2 TS120GMTS820 120 ГБ | WD Green SSD M.2 WDS120G2G0B 120 ГБ | |
от 8 730 тг. | от 41 990 тг. | |
WDS120G1G0B и WDS120G2G0B данные модели отличаются контроллерами и чипами памяти. А сама цифра (G1/G2) это номер релиза/поколения. | ||
| Тип | внутренний | внутренний |
| Объем | 120 ГБ | 120 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 | M.2 |
| Интерфейс M.2 | SATA 3 | SATA 3 |
Технические хар-ки | ||
| Контроллер | Silicon Motion | |
| Тип памяти | TLC | 3D TLC NAND |
| Внешняя скорость записи | 420 МБ/с | 310 МБ/с |
| Внешняя скорость считывания | 550 МБ/с | 540 МБ/с |
| Ударостойкость при работе | 1500 G | |
| Наработка на отказ | 1 млн. ч | |
| Гарантия производителя | 3 года | 3 года |
Общее | ||
| TRIM | ||
| Размеры | 22x80 мм | 22x80 мм |
| Вес | 9 г | 7 г |
| Дата добавления на E-Katalog | октябрь 2016 | октябрь 2016 |
Сравниваем Transcend MTS820 M.2 TS120GMTS820 и WD Green SSD M.2 WDS120G2G0B
Возможно, вас заинтересует
WD Green SSD M.2 часто сравнивают
Глоссарий
Контроллер
Модель контроллера, установленного в SSD-накопителе.
Контроллер представляет собой управляющую схему, которая, собственно, и обеспечивает обмен информацией между ячейками памяти и компьютером, к которой подключен накопитель. Возможности того или иного SSD-модуля (в частности, скорость чтения и записи) во многом зависят именно от этой схемы. Зная модель контроллера, можно найти подробные данные по нему и оценить возможности накопителя. Для несложного повседневного использования эта информация, как правило, не нужна, но вот профессионалам и энтузиастам (моддерам, оверклокерам) она может пригодиться.
В наше время высококлассные контроллеры выпускаются преимущественно под такими брендами: InnoGrit, Maxio, Phison, Realtek, Silicon Motion, Samsung.
Контроллер представляет собой управляющую схему, которая, собственно, и обеспечивает обмен информацией между ячейками памяти и компьютером, к которой подключен накопитель. Возможности того или иного SSD-модуля (в частности, скорость чтения и записи) во многом зависят именно от этой схемы. Зная модель контроллера, можно найти подробные данные по нему и оценить возможности накопителя. Для несложного повседневного использования эта информация, как правило, не нужна, но вот профессионалам и энтузиастам (моддерам, оверклокерам) она может пригодиться.
В наше время высококлассные контроллеры выпускаются преимущественно под такими брендами: InnoGrit, Maxio, Phison, Realtek, Silicon Motion, Samsung.
Тип памяти
Тип основной памяти накопителя определяет особенности распределения информации по аппаратным ячейкам и физические особенности самих ячеек.
— MLC. Память Multi Level Cell на основе многоярусных ячеек, каждая из которых содержит несколько уровней сигнала. В ячейках памяти MLC хранится по 2 бита информации. Имеет оптимальные показатели надёжности, энергопотребления и производительности. До недавних пор технология была популярна в SSD-модулях начального и среднего уровня, сейчас она постепенно вытесняется более совершенными вариантами на манер TLC или 3D MLC.
— TLC. Эволюция технологии MLC. Один элемент флеш-памяти Triple Level Cell может хранить 3 бита информации. Подобная плотность записи несколько увеличивает вероятность возникновения ошибок по сравнению с MLC, кроме того, TLC-память считается менее долговечной. Положительной чертой характера данной технологии является доступная стоимость, а для повышения надёжности в SSD-накопителях с TLC-памятью могут применяться различные конструктивные ухищрения.
— 3D NAND. В структуре 3D NAND несколько слоев ячеек памяти размещаются вертикально, а между ними организованы взаимосвязи. Благодаря этому обеспечивается большая емкость хранилища данных без наращивания физических размеров накопителя и повышается производительность работы памяти за счет более коротких соединений для каждой ячейки памяти. В SSD-накопит...елях память 3D NAND может использовать чипы MLC, TLC или QLC — подробнее о них поведано в соответствующих пунктах справки.
— 3D MLC NAND. MLC-память многослойной структуры — её ячейки размещаются на плате не в один уровень, а в несколько «этажей». Как результат, производители добились повышения вместимости накопителей без заметного увеличения габаритов. Также для памяти 3D MLC NAND характерны более высокие показатели надёжности, чем в оригинальной MLC (см. соответствующий пункт), при меньшей стоимости производства.
— 3D TLC NAND. «Трёхмерная» модификация технологии TLC (см. соответствующий пункт) с размещением ячеек памяти на плате в несколько слоёв. Подобная компоновка позволяет добиться более высокой ёмкости при меньших размерах самих накопителей. В производстве такая память проще и дешевле однослойной.
— 3D QLC NAND. Тип-флеш памяти с четырёхуровневыми ячейками (Quad Level Cell), предусматривающий по 4 бита данных в каждой клетке. Технология призвана сделать SSD с большими объёмами массово доступными и окончательно отправить традиционные HDD в отставку. В конфигурации 3D QLC NAND память строится по «многоэтажной» схеме с размещением ячеек на плате в несколько слоёв. «Трёхмерная» структура удешевляет производство модулей памяти и позволяет увеличить объём накопителей без ущерба их массогабаритной составляющей.
— 3D XPoint. Принципиально новый тип памяти, кардинально отличающийся от традиционного NAND. В таких накопителях ячейки памяти и селекторы располагаются на пересечениях перпендикулярных рядов проводящих дорожек. Механизм записи информации в ячейки базируется на изменении сопротивления материала без использования транзисторов. Память 3D XPoint является простой и недорогой в производстве, к тому же она обеспечивает гораздо более высокие показатели скорости и долговечности. Приставка «3D» в названии технологии гласит о том, что ячейки на кристалле размещаются в несколько слоёв. Первое поколение 3D XPoint получило двухслойную структуру и выполнено по 20-нанометровому техпроцессу.
— MLC. Память Multi Level Cell на основе многоярусных ячеек, каждая из которых содержит несколько уровней сигнала. В ячейках памяти MLC хранится по 2 бита информации. Имеет оптимальные показатели надёжности, энергопотребления и производительности. До недавних пор технология была популярна в SSD-модулях начального и среднего уровня, сейчас она постепенно вытесняется более совершенными вариантами на манер TLC или 3D MLC.
— TLC. Эволюция технологии MLC. Один элемент флеш-памяти Triple Level Cell может хранить 3 бита информации. Подобная плотность записи несколько увеличивает вероятность возникновения ошибок по сравнению с MLC, кроме того, TLC-память считается менее долговечной. Положительной чертой характера данной технологии является доступная стоимость, а для повышения надёжности в SSD-накопителях с TLC-памятью могут применяться различные конструктивные ухищрения.
— 3D NAND. В структуре 3D NAND несколько слоев ячеек памяти размещаются вертикально, а между ними организованы взаимосвязи. Благодаря этому обеспечивается большая емкость хранилища данных без наращивания физических размеров накопителя и повышается производительность работы памяти за счет более коротких соединений для каждой ячейки памяти. В SSD-накопит...елях память 3D NAND может использовать чипы MLC, TLC или QLC — подробнее о них поведано в соответствующих пунктах справки.
— 3D MLC NAND. MLC-память многослойной структуры — её ячейки размещаются на плате не в один уровень, а в несколько «этажей». Как результат, производители добились повышения вместимости накопителей без заметного увеличения габаритов. Также для памяти 3D MLC NAND характерны более высокие показатели надёжности, чем в оригинальной MLC (см. соответствующий пункт), при меньшей стоимости производства.
— 3D TLC NAND. «Трёхмерная» модификация технологии TLC (см. соответствующий пункт) с размещением ячеек памяти на плате в несколько слоёв. Подобная компоновка позволяет добиться более высокой ёмкости при меньших размерах самих накопителей. В производстве такая память проще и дешевле однослойной.
— 3D QLC NAND. Тип-флеш памяти с четырёхуровневыми ячейками (Quad Level Cell), предусматривающий по 4 бита данных в каждой клетке. Технология призвана сделать SSD с большими объёмами массово доступными и окончательно отправить традиционные HDD в отставку. В конфигурации 3D QLC NAND память строится по «многоэтажной» схеме с размещением ячеек на плате в несколько слоёв. «Трёхмерная» структура удешевляет производство модулей памяти и позволяет увеличить объём накопителей без ущерба их массогабаритной составляющей.
— 3D XPoint. Принципиально новый тип памяти, кардинально отличающийся от традиционного NAND. В таких накопителях ячейки памяти и селекторы располагаются на пересечениях перпендикулярных рядов проводящих дорожек. Механизм записи информации в ячейки базируется на изменении сопротивления материала без использования транзисторов. Память 3D XPoint является простой и недорогой в производстве, к тому же она обеспечивает гораздо более высокие показатели скорости и долговечности. Приставка «3D» в названии технологии гласит о том, что ячейки на кристалле размещаются в несколько слоёв. Первое поколение 3D XPoint получило двухслойную структуру и выполнено по 20-нанометровому техпроцессу.
Внешняя скорость записи
Наибольшая скорость в режиме записи характеризует скорость, с которой модуль может принимать информацию с подключенного компьютера (или другого внешнего устройства). Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD.
Внешняя скорость считывания
Наибольшая скорость обмена данными с компьютером (или другим внешним устройством), которую накопитель может обеспечить в режиме считывания; проще говоря — наибольшая скорость вывода информации с накопителя на внешнее устройство. Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD. Ее значения могут варьироваться от 100 – 500 МБ/с в наиболее медленных моделях до 3 Гб/с и выше в самых продвинутых.
Ударостойкость при работе
Параметр, определяющий стойкость накопителя к падениям и сотрясениям в процессе работы. Измеряется в G — единицах перегрузки, 1 G соответствует обычной силе земного притяжения. Чем выше число G — тем более устойчиво устройство к различного рода сотрясениям и тем меньше вероятность повреждения данных в нём, скажем, в случае падения. Этот параметр особенно важен для внешних накопителей (см. Тип).
Наработка на отказ
Время наработки накопителя на отказ — время, которое он способен непрерывно проработать без сбоев и неполадок; иными словами — время работы, по истечении которого появляется высокая вероятность появления сбоев, а то и выхода модуля из строя.
Как правило, в характеристиках указывается некоторое среднее время, выведенное по результатам условного тестирования. Поэтому фактическое значение этого параметра может отличаться от заявленного в ту или иную сторону; однако на практике этого момент не является особо значимым. Дело в том, что для современных SSD время наработки на отказ исчисляется миллионами часов, а 1 млн часов соответствует более чем 110 годам — при этом речь идет именно о чистом времени работы. Так что с практической стороны долговечность накопителя чаще ограничивается более специфическими параметрами — TBW и DPWD (см. ниже); а гарантия производителя вообще не превышает нескольких лет. Впрочем, данные по наработке на отказ в часах могут также пригодиться при выборе: при прочих равных большее время означает бОльшую надежность и долговечность SSD в целом.
Как правило, в характеристиках указывается некоторое среднее время, выведенное по результатам условного тестирования. Поэтому фактическое значение этого параметра может отличаться от заявленного в ту или иную сторону; однако на практике этого момент не является особо значимым. Дело в том, что для современных SSD время наработки на отказ исчисляется миллионами часов, а 1 млн часов соответствует более чем 110 годам — при этом речь идет именно о чистом времени работы. Так что с практической стороны долговечность накопителя чаще ограничивается более специфическими параметрами — TBW и DPWD (см. ниже); а гарантия производителя вообще не превышает нескольких лет. Впрочем, данные по наработке на отказ в часах могут также пригодиться при выборе: при прочих равных большее время означает бОльшую надежность и долговечность SSD в целом.











