Сравнение Kingston Fury Renegade DDR4 Black 2x16GB KF436C16RB12K2/32 vs Corsair Vengeance LPX DDR4 2x16GB CMK32GX4M2D3600C18
Добавить в сравнение | ![]() | ![]() |
|---|---|---|
| Kingston Fury Renegade DDR4 Black 2x16GB KF436C16RB12K2/32 | Corsair Vengeance LPX DDR4 2x16GB CMK32GX4M2D3600C18 | |
от 115 080 тг. | от 42 660 тг. | |
| Объем памяти | 2 х 16GB | 2 х 16GB |
| Форм-фактор памяти | DIMM (PC) | DIMM (PC) |
| Тип памяти | DDR4 | DDR4 |
| Ранг памяти | двухранговая | |
Характеристики | ||
| Скорость | 3600 MT/s | 3600 MT/s |
| Пропускная способность | 28800 МБ/с | 28800 МБ/с |
| Схема таймингов | 16-20-20 | 18-22-22-42 |
| First Word Latency | 8.89 нс | 10 нс |
| Рабочее напряжение | 1.35 В | 1.35 В |
| Тип охлаждения | радиатор | радиатор |
| Профиль планки | стандартный 42 мм | стандартный 33 мм |
| Дополнительно | поддержка XMP | поддержка XMP |
| Цвет корпуса | ||
| Дата добавления на E-Katalog | декабрь 2023 | январь 2021 |
Сравниваем Kingston Fury KF436C16RB12K2/32 и Corsair CMK32GX4M2D3600C18 Kingston Fury Renegade DDR4 Black 2x16GB и Corsair Vengeance LPX DDR4 2x16GB?
Возможно, вас заинтересует
Kingston Fury Renegade DDR4 Black 2x16GB часто сравнивают
Corsair Vengeance LPX DDR4 2x16GB часто сравнивают
Глоссарий
Ранг памяти
Этот пункт показывает, как организованы чипы внутри модуля ОЗУ и сколько у него внутренних групп данных, с которыми работает система. Чаще всего встречаются варианты 1R и 2R, то есть одноранговая и двухранговая память. При этом 2R не означает, что модуль лучше во всем: иногда такой вариант может дать небольшой плюс, но на практике все зависит от платформы, процессора и общей конфигурации.
Память разного ранга нередко может работать вместе, однако самым беспроблемным вариантом обычно остается установка одинаковых планок. От ранга памяти обычно ждут не резкого прироста скорости, а понимания совместимости и особенностей конкретного модуля.
Память разного ранга нередко может работать вместе, однако самым беспроблемным вариантом обычно остается установка одинаковых планок. От ранга памяти обычно ждут не резкого прироста скорости, а понимания совместимости и особенностей конкретного модуля.
Схема таймингов
Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.
На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.
Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.
На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.
Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.
First Word Latency
First Word Latency показывает, за какое время ОЗУ после запроса начинает отдавать первый блок данных. Чем ниже это значение, тем быстрее память реагирует на обращение, что особенно интересно в игровых системах и производительных ПК, где важны отзывчивость и минимальные задержки.
Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.
Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.












