Сравнение Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8GB M471A1G44BB0-CWE vs Kingston ValueRAM SO-DIMM DDR3 1x8GB KVR16S11/8
Добавить в сравнение | ![]() | ![]() |
|---|---|---|
| Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8GB M471A1G44BB0-CWE | Kingston ValueRAM SO-DIMM DDR3 1x8GB KVR16S11/8 | |
от 29 323 тг. | от 6 140 тг. | |
| Объем памяти | 1 x 8GB | 1 x 8GB |
| Форм-фактор памяти | SO-DIMM | SO-DIMM |
| Тип памяти | DDR4 | DDR3 |
Характеристики | ||
| Тактовая частота | 3200 МГц | 1600 МГц |
| Пропускная способность | 25600 МБ/с | 12800 МБ/с |
| Схема таймингов | 11-11-11 | |
| First Word Latency | 13.75 нс | 13.75 нс |
| Рабочее напряжение | 1.2 В | 1.5 В |
| Тип охлаждения | без охлаждения | без охлаждения |
| Профиль планки | стандартный | стандартный |
| Дата добавления на E-Katalog | март 2023 | март 2013 |
Сравниваем Samsung M471A1G44BB0-CWE и Kingston KVR16S11/8 Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8GB и Kingston ValueRAM SO-DIMM DDR3 1x8GB?
Возможно, вас заинтересует
Глоссарий
Тип памяти
Тип памяти, используемый в модуле (модулях). Этот параметр напрямую определяет совместимость с материнской платой: последняя должна поддерживать тот же тип памяти, к которому относится планка, т. к. разные типы не совместимы между собой. Конкретные же варианты на сегодняшний день могут быть такими: устаревшая, но еще где-то встречающаяся память DDR2, уходящая в прошлое DDR3, современная DDR4 и новинка DDR5.
— DDR2. Второе поколение оперативной памяти с удвоенной передачей данных, выпущенное в 2003 году. На сегодняшний день такая память практически полностью вытеснена более продвинутыми стандартами DDR3 и DDR4, поддержку DDR2 можно встретить разве что в откровенно устаревшем ПК или ноутбуке.
— DDR3. Третье поколение оперативной памяти с удвоенной передачей данных, выпущенное в 2007 году. По сравнению с DDR 2 имеет более высокую скорость работы и меньшее энергопотребление На смену данному стандарту постепенно приходит DDR4, однако поддержка DDR3 все еще встречается в относительно простых и недорогих «материнках».
— DDR4. Дальнейшее развитие стандарта DDR, пришедшее на смену DDR3 в 2014 году. Предусматривает, в частности, повышение пропускной способности (в перспективе до 25,6 ГБ/с) и надежности при снижении энергопотребления.
— DDR5. Шествие пятого поколения стандарта DDR началось на рубеже 2020-2021 гг.... В нём предусматривается примерно двукратный прирост производительности подсистемы памяти и наращивание пропускной способности по сравнению с DDR4. Вместо одного 64-битного канала данных DDR5 использует пару независимых 32-битных каналов, которые работают с 16-байтными пакетами и позволяют доставлять 64 байта информации за такт по каждому каналу. Новые модули памяти требуют напряжения 1.1 В, а максимальный объём одной планки DDR5 может достигать внушительных 128 ГБ.
— DDR2. Второе поколение оперативной памяти с удвоенной передачей данных, выпущенное в 2003 году. На сегодняшний день такая память практически полностью вытеснена более продвинутыми стандартами DDR3 и DDR4, поддержку DDR2 можно встретить разве что в откровенно устаревшем ПК или ноутбуке.
— DDR3. Третье поколение оперативной памяти с удвоенной передачей данных, выпущенное в 2007 году. По сравнению с DDR 2 имеет более высокую скорость работы и меньшее энергопотребление На смену данному стандарту постепенно приходит DDR4, однако поддержка DDR3 все еще встречается в относительно простых и недорогих «материнках».
— DDR4. Дальнейшее развитие стандарта DDR, пришедшее на смену DDR3 в 2014 году. Предусматривает, в частности, повышение пропускной способности (в перспективе до 25,6 ГБ/с) и надежности при снижении энергопотребления.
— DDR5. Шествие пятого поколения стандарта DDR началось на рубеже 2020-2021 гг.... В нём предусматривается примерно двукратный прирост производительности подсистемы памяти и наращивание пропускной способности по сравнению с DDR4. Вместо одного 64-битного канала данных DDR5 использует пару независимых 32-битных каналов, которые работают с 16-байтными пакетами и позволяют доставлять 64 байта информации за такт по каждому каналу. Новые модули памяти требуют напряжения 1.1 В, а максимальный объём одной планки DDR5 может достигать внушительных 128 ГБ.
Тактовая частота
Тактовая частота модуля оперативной памяти.
Чем выше данный показатель — тем быстрее работает «оперативка», при прочих равных, тем выше ее эффективность в играх и других ресурсоемких приложениях. С другой стороны, высокая тактовая частота соответствующим образом сказывается на стоимости. Кроме того, для использования всех возможностей памяти соответствующую частоту должна поддерживать материнская плата, к которой подключен модуль.
Наиболее востребованными являются модули с частотой 3200 и 3600 МГц — так сказать универсальные рабочие лошадки. Есть также варианты скромнее — к примеру 2400, 2666, 2800, 2933, 3000 МГц. И продвинутые для серьезных задач — 3866, 4000, 4800, 5200, 5600 МГц. Также предусмотрены высокочастотные модули 6000, 6400, 6600, 6800, 7000, 7200 МГц и более.
Чем выше данный показатель — тем быстрее работает «оперативка», при прочих равных, тем выше ее эффективность в играх и других ресурсоемких приложениях. С другой стороны, высокая тактовая частота соответствующим образом сказывается на стоимости. Кроме того, для использования всех возможностей памяти соответствующую частоту должна поддерживать материнская плата, к которой подключен модуль.
Наиболее востребованными являются модули с частотой 3200 и 3600 МГц — так сказать универсальные рабочие лошадки. Есть также варианты скромнее — к примеру 2400, 2666, 2800, 2933, 3000 МГц. И продвинутые для серьезных задач — 3866, 4000, 4800, 5200, 5600 МГц. Также предусмотрены высокочастотные модули 6000, 6400, 6600, 6800, 7000, 7200 МГц и более.
Пропускная способность
Количество информации, которую модуль памяти может принять или передать за одну секунду. От пропускной способности напрямую зависит скорость работы памяти и, соответственно, цена на неё. В то же время это довольно специфический параметр, актуальный в основном для высокопроизводительных систем — геймерских и рабочих станций, серверов и т. п. Если же модуль RAM покупается для обычной домашней или офисной системы, на пропускную способность можно не обращать особого внимания.
Схема таймингов
Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где
CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;
Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;
Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.
Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.
Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;
Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;
Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.
Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.
Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
Рабочее напряжение
Штатное электрическое напряжение, необходимое для работы модулю памяти. При выборе памяти необходимо обратить внимание на то, чтобы соответствующее напряжение поддерживалось материнской платой.

