Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Kingston Fury Impact DDR4 2x16GB KF432S20IBK2/32 vs Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16GB M471A2K43DB1-CWE

Добавить в сравнение
Kingston Fury Impact DDR4 2x16GB KF432S20IBK2/32
Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16GB M471A2K43DB1-CWE
Kingston Fury Impact DDR4 2x16GB KF432S20IBK2/32Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16GB M471A2K43DB1-CWE
Сравнить цены 4
от 11 356 тг.
Товар устарел
ТОП продавцы
нет в продаже
Объем памяти2 х 16GB1 x 16GB
Форм-фактор памятиSO-DIMMSO-DIMM
Тип памятиDDR4DDR4
Ранг памятиодноранговаядвухранговая
Характеристики
Тактовая частота3200 МГц3200 МГц
Пропускная способность25600 МБ/с25600 МБ/с
Схема таймингов20-22-2222-22-22
First Word Latency12.5 нс13.75 нс
Рабочее напряжение1.2 В1.2 В
Тип охлаждениябез охлаждениябез охлаждения
Профиль планки
стандартный
стандартный
Дополнительно
поддержка XMP
 
Дата добавления на E-Katalogсентябрь 2021апрель 2021
Сравниваем Kingston Fury KF432S20IBK2/32 и Samsung M471A2K43DB1-CWE Kingston Fury Impact DDR4 2x16GB и Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16GB?
Kingston Fury Impact DDR4 2x16GB часто сравнивают
Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16GB часто сравнивают
Глоссарий

Объем памяти

Общий суммарный объем RAM в комплекте. В скобках же дополнительно указывается, из скольких модулей он состоит и сколько памяти приходится на каждую планку.

Сам же объем определяет, количество данных, которое система может одновременно держать в быстром доступе, и именно от него зависит комфорт в повседневной работе, играх и тяжелых программах. Для простых задач сегодня обычно хватает 8 ГБ, 16 ГБ (в том числе набор 2x8 ГБ) уже можно назвать хорошим универсальным вариантом, 32 ГБ подходят для современных игр, монтажа, работы с графикой и активной многозадачности, а 64 ГБ и выше чаще нужны для профессиональных сценариев, 3D, больших проектов и виртуальных машин.

Комплекты из нескольких планок остаются актуальными, потому что часто позволяют задействовать двухканальный режим и получить более высокую пропускную способность по сравнению с одной планкой того же общего объема. Например, набор 32 ГБ (2x16) обычно выглядит практичнее, чем 32 ГБ одной планкой, хотя комплект 64 ГБ (4x16) уже сильнее нагружает контроллер памяти и оставляет меньше свободы для будущего апгрейда.

Ранг памяти

Этот пункт показывает, как организованы чипы внутри модуля ОЗУ и сколько у него внутренних групп данных, с которыми работает система. Чаще всего встречаются варианты 1R и 2R, то есть одноранговая и двухранговая память. При этом 2R не означает, что модуль лучше во всем: иногда такой вариант может дать небольшой плюс, но на практике все зависит от платформы, процессора и общей конфигурации.

Память разного ранга нередко может работать вместе, однако самым беспроблемным вариантом обычно остается установка одинаковых планок. От ранга памяти обычно ждут не резкого прироста скорости, а понимания совместимости и особенностей конкретного модуля.

Схема таймингов

Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.

На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.

Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.

First Word Latency

First Word Latency показывает, за какое время ОЗУ после запроса начинает отдавать первый блок данных. Чем ниже это значение, тем быстрее память реагирует на обращение, что особенно интересно в игровых системах и производительных ПК, где важны отзывчивость и минимальные задержки.

Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.

Дополнительно

— Серия для разгона (overclocking). Память, которая изначально рассчитана на работу выше базовых настроек и чаще ориентирована на игровые, производительные и энтузиастские системы. Такие модули обычно интересны тем, кто хочет получить более высокую частоту, более агрессивные тайминги или просто собрать ПК с запасом по настройкам. Ключевым моментом является наличие готовых профилей и повышенных режимов работы, а не ручной разгон.

Поддержка XMP. Готовый профиль настроек Intel Extreme Memory Profile, который позволяет проще запустить модуль на более высокой частоте и с нужными таймингами через BIOS. Это удобно тем, что пользователю не нужно вручную выставлять параметры по отдельности: достаточно выбрать профиль, если его поддерживают материнская плата и сама память. На практике XMP особенно полезен в игровых и домашних ПК, где ОЗУ без включения профиля часто работает медленнее, чем заявлено.

Поддержка EXPO. Наличие фирменного профиля разгона памяти для современных платформ AMD AM5, который помогает включить более быстрый режим работы буквально в несколько действий. Чаще всего этот пункт интересен тем, кто собирает новый ПК на Ryzen и хочет, чтобы DDR5-память сразу работала ближе к своим паспортным возможностям.

Поддержка буферизации (Registered). Дополнительный регистр для снижения нагрузки на контроллер пам...яти. Такая особенность важна прежде всего для серверов и рабочих станций, где она помогает стабильнее работать с большим количеством модулей и большим общим объемом ОЗУ. При выборе памяти стоит учитывать, что в одной системе может использоваться либо только буферизованная, либо только небуферизованная память; совместить эти два типа памяти невозможно.

Поддержка ECC. Функция памяти с коррекцией ошибок, которая помогает повысить надежность работы системы и снизить риск сбоев из-за повреждения данных в ОЗУ. Такой вариант встречается преимущественно в серверах и рабочих станциях, где важна стабильность при долгой непрерывной работе. Здесь важно понимать, что одна только память с ECC еще не гарантирует поддержку функции — она должна поддерживаться и самой платформой (материнской платой).