Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Patriot Memory Viper Elite II DDR4 2x8GB PVE2416G400C0K vs G.Skill Ripjaws V DDR4 2x8GB F4-4000C18D-16GVK

Добавить в сравнение
Patriot Memory Viper Elite II DDR4 2x8GB PVE2416G400C0K
G.Skill Ripjaws V DDR4 2x8GB F4-4000C18D-16GVK
Patriot Memory Viper Elite II DDR4 2x8GB PVE2416G400C0KG.Skill Ripjaws V DDR4 2x8GB F4-4000C18D-16GVK
от 37 204 тг.
Товар устарел
от 68 290 тг.
Товар устарел
Объем памяти2 x 8GB2 x 8GB
Форм-фактор памятиDIMM (PC)DIMM (PC)
Тип памятиDDR4DDR4
Ранг памятиодноранговая
Характеристики
Скорость4000 MT/s4000 MT/s
Пропускная способность32000 МБ/с32000 МБ/с
Схема таймингов20-26-26-4618-22-22-42
First Word Latency10 нс9 нс
Рабочее напряжение1.4 В1.35 В
Тип охлаждениярадиаторрадиатор
Профиль планки
стандартный
35 мм
стандартный
42 мм
Дополнительно
поддержка XMP
поддержка XMP
Цвет корпуса
Дата добавления на E-Katalogиюль 2021март 2020
Сравниваем Patriot Memory PVE2416G400C0K и G.Skill F4-4000C18D-16GVK Patriot Memory Viper Elite II DDR4 2x8GB и G.Skill Ripjaws V DDR4 2x8GB?
G.Skill Ripjaws V DDR4 2x8GB часто сравнивают
Глоссарий

Ранг памяти

Этот пункт показывает, как организованы чипы внутри модуля ОЗУ и сколько у него внутренних групп данных, с которыми работает система. Чаще всего встречаются варианты 1R и 2R, то есть одноранговая и двухранговая память. При этом 2R не означает, что модуль лучше во всем: иногда такой вариант может дать небольшой плюс, но на практике все зависит от платформы, процессора и общей конфигурации.

Память разного ранга нередко может работать вместе, однако самым беспроблемным вариантом обычно остается установка одинаковых планок. От ранга памяти обычно ждут не резкого прироста скорости, а понимания совместимости и особенностей конкретного модуля.

Схема таймингов

Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.

На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.

Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.

First Word Latency

First Word Latency показывает, за какое время ОЗУ после запроса начинает отдавать первый блок данных. Чем ниже это значение, тем быстрее память реагирует на обращение, что особенно интересно в игровых системах и производительных ПК, где важны отзывчивость и минимальные задержки.

Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.

Рабочее напряжение

Уровень питания, который нужен оперативной памяти для нормальной работы в системе. В характеристиках он чаще всего выглядит как 1.5 В, 1.35 В, 1.2 В или 1.1 В в зависимости от поколения ОЗУ.

Этот пункт особенно важен не сам по себе, а на фоне совместимости: модуль должен соответствовать требованиям материнской платы или ноутбука. Соответственно на практике от рабочего напряжения ждут не прироста скорости, а корректной работы памяти без лишнего нагрева и проблем при установке.