Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Crucial Ballistix DDR4 2x8GB BL2K8G26C16U4B vs Crucial Ballistix Sport LT DDR4 2x8GB BLS2K8G4D26BFSCK

Добавить в сравнение
Crucial Ballistix DDR4 2x8GB BL2K8G26C16U4B
Crucial Ballistix Sport LT DDR4 2x8GB BLS2K8G4D26BFSCK
Crucial Ballistix DDR4 2x8GB BL2K8G26C16U4BCrucial Ballistix Sport LT DDR4 2x8GB BLS2K8G4D26BFSCK
от 68 788 тг.
Товар устарел
от 42 070 тг.
Товар устарел
Несколько расцветок радиатора. Разгонный потенциал.
Объем памяти2 x 8GB2 x 8GB
Форм-фактор памятиDIMM (PC)DIMM (PC)
Тип памятиDDR4DDR4
Ранг памятиодноранговая
Характеристики
Скорость2666 MT/s2666 MT/s
Пропускная способность21300 МБ/с21300 МБ/с
Схема таймингов16-18-18-3816-18-18
First Word Latency12 нс12 нс
Рабочее напряжение1.35 В1.2 В
Тип охлаждениярадиаторрадиатор
Профиль планки
стандартный
41 мм
стандартный
33 мм
Дополнительно
поддержка XMP
поддержка XMP
Цвет корпуса
Дата добавления на E-Katalogфевраль 2020март 2019
Сравниваем Crucial Ballistix DDR4 2x8GB и Ballistix Sport LT DDR4 2x8GB
Crucial Ballistix DDR4 2x8GB часто сравнивают
Crucial Ballistix Sport LT DDR4 2x8GB часто сравнивают
Глоссарий

Ранг памяти

Этот пункт показывает, как организованы чипы внутри модуля ОЗУ и сколько у него внутренних групп данных, с которыми работает система. Чаще всего встречаются варианты 1R и 2R, то есть одноранговая и двухранговая память. При этом 2R не означает, что модуль лучше во всем: иногда такой вариант может дать небольшой плюс, но на практике все зависит от платформы, процессора и общей конфигурации.

Память разного ранга нередко может работать вместе, однако самым беспроблемным вариантом обычно остается установка одинаковых планок. От ранга памяти обычно ждут не резкого прироста скорости, а понимания совместимости и особенностей конкретного модуля.

Схема таймингов

Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.

На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.

Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.

Рабочее напряжение

Уровень питания, который нужен оперативной памяти для нормальной работы в системе. В характеристиках он чаще всего выглядит как 1.5 В, 1.35 В, 1.2 В или 1.1 В в зависимости от поколения ОЗУ.

Этот пункт особенно важен не сам по себе, а на фоне совместимости: модуль должен соответствовать требованиям материнской платы или ноутбука. Соответственно на практике от рабочего напряжения ждут не прироста скорости, а корректной работы памяти без лишнего нагрева и проблем при установке.