Казахстан
Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Corsair Vengeance RGB Pro DDR4 2x8Gb CMW16GX4M2C3000C15 vs Corsair Vengeance LPX DDR4 2x8Gb CMK16GX4M2B3200C16

Добавить в сравнение
Corsair Vengeance RGB Pro DDR4 2x8Gb CMW16GX4M2C3000C15
Corsair Vengeance LPX DDR4 2x8Gb CMK16GX4M2B3200C16
Corsair Vengeance RGB Pro DDR4 2x8Gb CMW16GX4M2C3000C15Corsair Vengeance LPX DDR4 2x8Gb CMK16GX4M2B3200C16
от 111 265 тг.
Товар устарел
Сравнить цены 12
Отзывы
0
0
0
2
ТОП продавцы
Главное
Эффективность системы охлаждения. Разгонный потенциал.
Объем памяти комплекта16 ГБ16 ГБ
Кол-во планок в комплекте2 шт2 шт
Форм-фактор памятиDIMMDIMM
Тип памятиDDR4DDR4
Ранг памятиодноранговая
Характеристики
Тактовая частота3000 МГц3200 МГц
Пропускная способность24000 МБ/с25600 МБ/с
CAS-латентностьCL15CL16
Схема таймингов памяти15-17-17-3516-18-18-36
Рабочее напряжение1.35 В1.35 В
Тип охлаждениярадиаторрадиатор
Профиль планкистандартныйстандартный
Высота планки50.8 мм33 мм
Дополнительно
серия для разгона (overclocking)
поддержка XMP
подсветка
серия для разгона (overclocking)
поддержка XMP
 
Синхронизация подсветкиCorsair iCUE
Цвет корпуса
Дата добавления на E-Katalogиюнь 2018ноябрь 2015

Ранг памяти

Количество рангов, предусмотренное в планке памяти.

Рангом в данном случае называют один логический модуль — набор микросхем с общей разрядностью в 64 бита. Если рангов больше одного — это значит, что на одном физическом модуле реализовано несколько логических, а канал передачи данных они используют попеременно. Подобная конструкция используется для того, чтобы добиться больших объемов RAM при ограниченном количестве слотов под отдельные планки. При этом стоит сказать, что для бытовых компьютеров на ранг памяти можно не обращать особого внимания — точнее, для них вполне достаточно одноранговых модулей. А вот для серверов и мощных рабочих станций выпускаются двух-, четырех- и даже восьмиранговые решения.

Отметим, что при прочих равных большее число рангов позволяет добиться больших объемов, однако требует большей вычислительной мощности и повышает нагрузку на систему.

Тактовая частота

Тактовая частота модуля оперативной памяти.

Чем выше данный показатель — тем быстрее работает «оперативка», при прочих равных, тем выше ее эффективность в играх и других ресурсоемких приложениях. С другой стороны, высокая тактовая частота соответствующим образом сказывается на стоимости. Кроме того, для использования всех возможностей памяти соответствующую частоту должна поддерживать материнская плата, к которой подключен модуль.

Наиболее востребованными являются модули с частотой 3200 и 3600 МГц — так сказать универсальные рабочие лошадки. Есть также варианты скромнее — к примеру 2400, 2666, 2800, 2933, 3000 МГц. И продвинутые для серьезных задач — 3866, 4000, 4800, 5200 МГц, 5600 МГц. Также предусмотрены высокочастотные модули 6000 и 6400 МГц.

Пропускная способность

Количество информации, которую модуль памяти может принять или передать за одну секунду. От пропускной способности напрямую зависит скорость работы памяти и, соответственно, цена на неё. В то же время это довольно специфический параметр, актуальный в основном для высокопроизводительных систем — геймерских и рабочих станций, серверов и т. п. Если же модуль RAM покупается для обычной домашней или офисной системы, на пропускную способность можно не обращать особого внимания.

CAS-латентность

Под данным термином подразумевают время (точнее, количество циклов работы памяти), которое проходит от запроса процессора на чтение данных до предоставления доступа к первой из ячеек, содержащих выбранные данные. CAS-латентность является одним из таймингов (подробнее о них см п. «Схема таймингов памяти», там этот параметр обозначен как CL) — а значит, она влияет на быстродействие: чем ниже CAS, тем быстрее работает данный модуль памяти. Правда, это справедливо лишь для одной и той же тактовой частоты (подробнее см. там же).

Сейчас на рынке представлены модули памяти с такими значениями CAS-латентности: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24, 30, 32, 36, 38, 40, 42, 46.

Схема таймингов памяти

Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где

CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;

Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;

Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.

Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.

Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.

Дополнительно

— Серия для разгона (overclocking). Принадлежность к подобной серии означает, что производитель изначально предусмотрел в модуле возможность разгона («оверклокинга») — то есть повышения производительности за счет изменения параметров работы, в частности, увеличения рабочего напряжения и тактовой частоты. «Разогнать» можно и обычную память, не относящуюся к оверклокерской — однако это сложно и чревато сбоями, вплоть до полного перегорания схем, тогда как в специализированных сериях разгон является документированной функцией, реализуется быстро и просто, к тому же чаще всего покрывается гарантией.

Поддержка XMP. Совместимость модуля памяти с технологией XMP. Данная технология, созданная компанией Intel, применяется для разгона (см. соответствующий пункт). Ее ключевой принцип заключается в том, что в модуле памяти записаны определенные профили разгона — наборы настроек, проверенные на стабильность работы; и вместо того, чтобы вручную выставлять отдельные параметры, пользователю достаточно выбрать один из профилей. Это упрощает настройку системы и в то же время повышает ее надежность при разгоне. Однако стоит учитывать, что для использования XMP ее должна поддерживать не только память, но и материнская плата.

— Поддержка AMP. Совместимость модуля памяти с технологией AMP. По основным особенностям данная технология полностью аналогична описанной выше XMP и о...тличается лишь создателем — в данном случае это компания AMD.

Поддержка EXPO. Совместимость модуля памяти с технологией EXPO (Extended Profiles for Overclocking). Ее создали в компании AMD спецом для разгона планок DDR5 в составе систем Ryzen 7000. По своей сути, это заводской набор профилей оперативной памяти, который упрощает разгон «оперативки». Использование технологии позволяет повысить производительность в играх примерно на 11 % при разрешении транслируемого изображения Full HD.

Поддержка буферизации (Registered). Наличие у модуля памяти т.н. буфера — раздела для быстрого сохранения поступивших данных — между контроллером памяти (управляющим устройством) и собственно чипами (запоминающими устройствами). Такая схема снижает нагрузку на контроллер, за счёт чего достигается более высокая надёжность; с другой стороны, буферизованные модули имеют слегка пониженное быстродействие вследствие задержки при передаче информации через буфер. Буферизованная память применяется в основном в серверных системах и отличается высокой стоимостью. При выборе памяти стоит учитывать, что в одной системе может использоваться либо только буферизованная, либо только небуферизованная память; совместить эти два типа памяти невозможно.

Поддержка ECC. ECC (Error Checking and Correction) — технология, позволяющая исправлять мелкие ошибки, возникающие в процессе работы с данными. Для использования ECC необходимо, чтобы она поддерживалась не только модулем памяти, но и материнской платой; в основном такая поддержка применяется в серверах, однако встречается и в «материнках» для обычных десктопов.

Подсветка. Декоративная подсветка, обычно при помощи светодиодов. На функционал модуля памяти не влияет, однако придает ему яркий и необычный внешний вид, что ценят любители внешнего тюнинга компьютеров. Разумеется, чтобы эту подсветку было видно, корпус должен иметь как минимум смотровое окно, а в идеале — полностью прозрачную стенку.

Синхронизация подсветки

Технология синхронизации, предусмотренная в модуле памяти с подсветкой (см. «Дополнительно»).

Сама по себе синхронизация позволяет «согласовать» подсветку памяти с подсветкой других компонентов системы — материнской платы, процессора, видеокарты, корпуса, клавиатуры, мыши и т. п. Благодаря этому согласованию все компоненты могут синхронно менять цвет, одновременно включаться/отключаться и т. п. Конкретные особенности работы такой подсветки зависят от применяемой технологии синхронизации, а она, как правило, у каждого производителя своя (Aura Sync у Asus, RGB Fusion у Gigabyte и т. п.). Также от этого зависит совместимость компонентов: все они должны поддерживать одну технологию. Так что проще всего добиться совместимости подсветки, собрав комплектующие от одного производителя. Впрочем, существует немало модулей памяти формата multi compatibility — то есть способных работать сразу с несколькими технологиями подсветки. Как правило, такая память выпускается производителями, у которых своих технологий подсветки нет; конкретный список совместимых технологий стоит уточнять отдельно.
Corsair Vengeance RGB Pro DDR4 2x8Gb часто сравнивают
Corsair Vengeance LPX DDR4 2x8Gb часто сравнивают