Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение G.Skill Sniper X DDR4 2x8GB F4-2400C17D-16GSXF vs Corsair Vengeance LPX DDR4 2x4GB CMK8GX4M2A2400C14

Добавить в сравнение
G.Skill Sniper X DDR4 2x8GB F4-2400C17D-16GSXF
Corsair Vengeance LPX DDR4 2x4GB CMK8GX4M2A2400C14
G.Skill Sniper X DDR4 2x8GB F4-2400C17D-16GSXFCorsair Vengeance LPX DDR4 2x4GB CMK8GX4M2A2400C14
от 53 130 тг.
Товар устарел
от 52 382 тг.
Товар устарел
Classic Camo - F4-2400C17D-16GSXF. Urban Camo - F4-2400C17D-16GSXW. Digital Camo - F4-2400C17D-16GSXK.
Объем памяти2 x 8GB2 x 4GB
Форм-фактор памятиDIMMDIMM
Тип памятиDDR4DDR4
Характеристики
Тактовая частота2400 МГц2400 МГц
Пропускная способность19200 МБ/с19200 МБ/с
Схема таймингов17-17-17-3914-16-16-31
First Word Latency14.17 нс11.67 нс
Рабочее напряжение1.2 В1.2 В
Тип охлаждениярадиаторрадиатор
Профиль планкистандартныйстандартный
Высота планки43 мм33 мм
Дополнительно
серия для разгона (overclocking)
поддержка XMP
серия для разгона (overclocking)
поддержка XMP
Дата добавления на E-Katalogмай 2018ноябрь 2015
Сравниваем G.Skill F4-2400C17D-16GSXF и Corsair CMK8GX4M2A2400C14 G.Skill Sniper X DDR4 2x8GB и Corsair Vengeance LPX DDR4 2x4GB?
G.Skill Sniper X DDR4 2x8GB часто сравнивают
Corsair Vengeance LPX DDR4 2x4GB часто сравнивают
Глоссарий

Схема таймингов

Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где

CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;

Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;

Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.

Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.

Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.

First Word Latency

First Word Latency показывает, за какое время ОЗУ после запроса начинает отдавать первый блок данных. Чем ниже это значение, тем быстрее память реагирует на обращение, что особенно интересно в игровых системах и производительных ПК, где важны отзывчивость и минимальные задержки.

Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.