Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Corsair Vengeance LPX DDR4 2x4GB CMK8GX4M2A2400C14 vs HyperX Fury DDR4 2x4GB HX424C15FBK2/8

Добавить в сравнение
Corsair Vengeance LPX DDR4 2x4GB CMK8GX4M2A2400C14
HyperX Fury DDR4 2x4GB HX424C15FBK2/8
Corsair Vengeance LPX DDR4 2x4GB CMK8GX4M2A2400C14HyperX Fury DDR4 2x4GB HX424C15FBK2/8
от 52 382 тг.
Товар устарел
от 7 650 тг.
Товар устарел
Объем памяти2 x 4GB2 x 4GB
Форм-фактор памятиDIMM (PC)DIMM (PC)
Тип памятиDDR4DDR4
Ранг памятиодноранговая
Характеристики
Скорость2400 MT/s2400 MT/s
Пропускная способность19200 МБ/с19200 МБ/с
Схема таймингов14-16-16-3115-15-15
First Word Latency11.67 нс12.5 нс
Рабочее напряжение1.2 В1.2 В
Тип охлаждениярадиаторрадиатор
Профиль планки
стандартный
33 мм
стандартный
34 мм
Дополнительно
поддержка XMP
поддержка XMP
Дата добавления на E-Katalogноябрь 2015август 2015
Сравниваем Corsair CMK8GX4M2A2400C14 и HyperX HX424C15FBK2/8 Corsair Vengeance LPX DDR4 2x4GB и HyperX Fury DDR4 2x4GB?
Corsair Vengeance LPX DDR4 2x4GB часто сравнивают
HyperX Fury DDR4 2x4GB часто сравнивают
Глоссарий

Ранг памяти

Этот пункт показывает, как организованы чипы внутри модуля ОЗУ и сколько у него внутренних групп данных, с которыми работает система. Чаще всего встречаются варианты 1R и 2R, то есть одноранговая и двухранговая память. При этом 2R не означает, что модуль лучше во всем: иногда такой вариант может дать небольшой плюс, но на практике все зависит от платформы, процессора и общей конфигурации.

Память разного ранга нередко может работать вместе, однако самым беспроблемным вариантом обычно остается установка одинаковых планок. От ранга памяти обычно ждут не резкого прироста скорости, а понимания совместимости и особенностей конкретного модуля.

Схема таймингов

Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.

На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.

Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.

First Word Latency

First Word Latency показывает, за какое время ОЗУ после запроса начинает отдавать первый блок данных. Чем ниже это значение, тем быстрее память реагирует на обращение, что особенно интересно в игровых системах и производительных ПК, где важны отзывчивость и минимальные задержки.

Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.