Тёмная версия
Казахстан
Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Hynix HMT DDR3 1x4Gb HMT351U6EFR8C-PB vs NCP DDR4 NCPC9AUDR-24M58

Добавить в сравнение
Hynix HMT DDR3 1x4Gb HMT351U6EFR8C-PB
NCP DDR4 NCPC9AUDR-24M58
Hynix HMT DDR3 1x4Gb HMT351U6EFR8C-PBNCP DDR4 NCPC9AUDR-24M58
от 6 800 тг.
Товар устарел
от 8 535 тг.
Товар устарел
Отзывы
Объем памяти комплекта4 ГБ4 ГБ
Кол-во планок в комплекте1 шт1 шт
Форм-фактор памятиDIMMDIMM
Тип памятиDDR3DDR4
Характеристики
Тактовая частота1600 МГц2400 МГц
Пропускная способность12800 МБ/с19200 МБ/с
CAS-латентностьCL11CL15
Схема таймингов памяти15-15-15
Рабочее напряжение1.5 В1.2 В
Тип охлаждениябез охлаждениябез охлаждения
Профиль планкистандартныйстандартный
Дата добавления на E-Katalogмай 2018январь 2018

Тип памяти

Тип памяти, используемый в модуле (модулях). Этот параметр напрямую определяет совместимость с материнской платой: последняя должна поддерживать тот же тип памяти, к которому относится планка, т. к. разные типы не совместимы между собой. Конкретные же варианты на сегодняшний день могут быть такими: устаревшая, но еще где-то встречающаяся память DDR2, уходящая в прошлое DDR3, современная DDR4 и новинка DDR5.

— DDR2. Второе поколение оперативной памяти с удвоенной передачей данных, выпущенное в 2003 году. На сегодняшний день такая память практически полностью вытеснена более продвинутыми стандартами DDR3 и DDR4, поддержку DDR2 можно встретить разве что в откровенно устаревшем ПК или ноутбуке.

— DDR3. Третье поколение оперативной памяти с удвоенной передачей данных, выпущенное в 2007 году. По сравнению с DDR 2 имеет более высокую скорость работы и меньшее энергопотребление На смену данному стандарту постепенно приходит DDR4, однако поддержка DDR3 все еще встречается в относительно простых и недорогих «материнках».

— DDR4. Дальнейшее развитие стандарта DDR, пришедшее на смену DDR3 в 2014 году. Предусматривает, в частности, повышение пропускной способности (в перспективе до 25,6 ГБ/с) и надежности при снижении энергопотребления.

— DDR5. Шествие пятого поколения стандарта DDR началось на рубеже 2020-2021 гг.... В нём предусматривается примерно двукратный прирост производительности подсистемы памяти и наращивание пропускной способности по сравнению с DDR4. Вместо одного 64-битного канала данных DDR5 использует пару независимых 32-битных каналов, которые работают с 16-байтными пакетами и позволяют доставлять 64 байта информации за такт по каждому каналу. Новые модули памяти требуют напряжения 1.1 В, а максимальный объём одной планки DDR5 может достигать внушительных 128 ГБ.

Тактовая частота

Тактовая частота модуля оперативной памяти.

Чем выше данный показатель — тем быстрее работает «оперативка», при прочих равных, тем выше ее эффективность в играх и других ресурсоемких приложениях. С другой стороны, высокая тактовая частота соответствующим образом сказывается на стоимости. Кроме того, для использования всех возможностей памяти соответствующую частоту должна поддерживать материнская плата, к которой подключен модуль.

Наиболее востребованными являются модули с частотой 3200 и 3600 МГц — так сказать универсальные рабочие лошадки. Есть также варианты скромнее — к примеру 2400, 2666, 2800, 2933, 3000 МГц. И продвинутые для серьезных задач — 3866, 4000, 4800, 5200, 5600 МГц. Также предусмотрены высокочастотные модули 6000, 6400, 6600, 6800, 7000, 7200 МГц и более.

Пропускная способность

Количество информации, которую модуль памяти может принять или передать за одну секунду. От пропускной способности напрямую зависит скорость работы памяти и, соответственно, цена на неё. В то же время это довольно специфический параметр, актуальный в основном для высокопроизводительных систем — геймерских и рабочих станций, серверов и т. п. Если же модуль RAM покупается для обычной домашней или офисной системы, на пропускную способность можно не обращать особого внимания.

CAS-латентность

Под данным термином подразумевают время (точнее, количество циклов работы памяти), которое проходит от запроса процессора на чтение данных до предоставления доступа к первой из ячеек, содержащих выбранные данные. CAS-латентность является одним из таймингов (подробнее о них см п. «Схема таймингов памяти», там этот параметр обозначен как CL) — а значит, она влияет на быстродействие: чем ниже CAS, тем быстрее работает данный модуль памяти. Правда, это справедливо лишь для одной и той же тактовой частоты (подробнее см. там же).

Сейчас на рынке представлены модули памяти с такими значениями CAS-латентности: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24, 30, 32, 36, 38, 40, 42, 46.

Схема таймингов памяти

Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где

CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;

Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;

Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.

Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.

Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.

Рабочее напряжение

Штатное электрическое напряжение, необходимое для работы модулю памяти. При выборе памяти необходимо обратить внимание на то, чтобы соответствующее напряжение поддерживалось материнской платой.