Тёмная версия
Казахстан
Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Patriot Memory Viper 3 DDR3 2x4Gb PV38G186C0K vs Crucial Ballistix Elite DDR3 1x8Gb BLE8G3D1869DE1TX0CEU

Добавить в сравнение
Patriot Memory Viper 3 DDR3 2x4Gb PV38G186C0K
Crucial Ballistix Elite DDR3 1x8Gb BLE8G3D1869DE1TX0CEU
Patriot Memory Viper 3 DDR3 2x4Gb PV38G186C0KCrucial Ballistix Elite DDR3 1x8Gb BLE8G3D1869DE1TX0CEU
от 999 999 тг.
Товар устарел
от 32 130 тг.
Товар устарел
Отзывы
0
0
0
2
0
0
630
Объем памяти комплекта8 ГБ8 ГБ
Кол-во планок в комплекте2 шт1 шт
Форм-фактор памятиDIMMDIMM
Тип памятиDDR3DDR3
Характеристики
Тактовая частота1866 МГц1866 МГц
Пропускная способность14900 МБ/с14900 МБ/с
CAS-латентностьCL10CL9
Схема таймингов памяти10-11-10-309-9-9-27
Рабочее напряжение1.5 В1.5 В
Тип охлаждениярадиаторрадиатор
Профиль планкистандартныйстандартный
Дополнительно
серия для разгона (overclocking)
поддержка XMP
серия для разгона (overclocking)
поддержка XMP
Дата добавления на E-Katalogфевраль 2016июнь 2014

Кол-во планок в комплекте

Количество отдельных планок, входящих в комплект оперативной памяти. Одна планка занимает один слот на материнской плате, поэтому для установки всего комплекта количество свободных слотов должно быть равно количеству планок или больше его.

Если планок в комплекте чётное число, для них может быть предусмотрен режим парной работы. Такой режим значительно увеличивает скорость, однако поддерживается далеко не всеми моделями материнских плат, поэтому в каждом конкретном случае этот момент стоит уточнять отдельно.

Сейчас на рынке представлены планки? поставляемые в таком количестве: одной планкой, комплект из 2 шт, комплект из 4 шт, комплект из 8 шт.

CAS-латентность

Под данным термином подразумевают время (точнее, количество циклов работы памяти), которое проходит от запроса процессора на чтение данных до предоставления доступа к первой из ячеек, содержащих выбранные данные. CAS-латентность является одним из таймингов (подробнее о них см п. «Схема таймингов памяти», там этот параметр обозначен как CL) — а значит, она влияет на быстродействие: чем ниже CAS, тем быстрее работает данный модуль памяти. Правда, это справедливо лишь для одной и той же тактовой частоты (подробнее см. там же).

Сейчас на рынке представлены модули памяти с такими значениями CAS-латентности: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24, 30, 32, 36, 38, 40, 42, 46.

Схема таймингов памяти

Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где

CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;

Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;

Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.

Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.

Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
Patriot Memory Viper 3 DDR3 2x4Gb часто сравнивают
Crucial Ballistix Elite DDR3 1x8Gb часто сравнивают